AG12A

AG12A ... AG12M
AG12A ... AG12M
Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover
Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung
Version 2012-02-22
Ø 6.4-0.3
Nominal current
Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Weight approx. – Gewicht ca.
0.3 g
Ø 5.5
2.3
max
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
AG12A
50
80
AG12B
100
130
AG12D
200
250
AG12G
400
450
AG12J
600
700
AG12K
800
1000
AG12M
1000
1300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
12 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
60 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
450/500 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
1000 A2s
Tj
-50...+125°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 12 A
VF
< 0.95 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
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Max. temperature of the cell T = 125°C – Max. Temperatur der Zelle T = 125°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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