SBY2040 SBY2040 Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage – Einzeldiode Version 2012-07-31 Type Typ 0.42±0.4 3 13.9±0.3 1 2.67±0.2 2.8±0.3 Ø 3.8±0.2 4 4 8.7±0.3 14.9±0.4 4.5±0.2 10.1±0.3 ±0.1 1.3 Nominal Current Nennstrom 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40 V Plastic case Kunststoffgehäuse 3.9±0.3 1.2 ±0.2 1 3 TO-220AC Weight approx. Gewicht ca. 1.6 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.8±0.2 5.08±0.1 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] SBY2040 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 40 40 Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A < 0.51 < 0.65 Max. average forward rectified current (AC), R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Max. current in DC forward mode Dauergrenzstrom bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb TC = 130°C IFAV 20 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 135/150 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 80 A2s Tj Tj TS -50...+150°C ≤ 200°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBY2040 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse 120 IR < 200 µA typ. 60 µA < 10 mA RthC < 2.0 K/W 102 [%] SBY2040 [A] 100 10 80 1 60 40 -1 10 20 IF IFAV 0 -2 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses 2 http://www.diotec.com/ 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG