1-1-3 DC/DCコンバータIC SI-8000Qシリーズ 面実装・電流モード制御降圧スイッチング方式 ■絶対最大定格 ■特長 ・小型面実装（HSOP8）パッケージ 項 ・電流モード制御方式採用 目 記 号 入力電圧 VIN 定格値 30 単 位 ・出力電流 3.5A 許容損失＊1 PD 1.35 W 接合部温度＊2 Tj ー30∼ ＋150 ℃ ・高効率：90%（TYP、Vo＝5V時） 保存温度 Tstg ー40∼ ＋150 ℃ ・基準発振器（500kHz）を内蔵 熱抵抗（接合部ーケース間） θj-c 40 ℃/W 熱抵抗（接合部ー周囲間） θj-a 74 ℃/W ・出力にセラミックコンデンサ使用可能 ・垂下型過電流保護、過熱保護回路内蔵 ・ソフトスタート回路内蔵 条 件 V ガラスエポキシ基板30×30mm（銅箔エリア25×25mm）実装時 ガラスエポキシ基板30×30mm（銅箔エリア25×25mm）実装時 ＊1： 但し、過熱保護により制限されます。 ＊2：但し、過熱保護検出温度は約140℃ ・オンオフ機能内蔵（アクティブHi） ・オフ時低消費電流 ■用途 ・DVDレコーダFPD-TV ・オンボードローカル電源 ・OA機器 ■推奨動作条件 項 目 記 規格値 SI-8005Q 号 単 位 入力電圧範囲 VIN Vo+3＊1∼ 28 出力電圧 Vo 0.5∼ 24 V 0∼ 3.5 A 出力電流範囲 Io 条 件 V 動作時接合部温度範囲 Tjop ー30∼ ＋125 ℃ 動作温度範囲 Top ー30∼ ＋85 ℃ ＊1： 入力電圧範囲の最小値は、4.75VもしくはVo+3Vのどちらか大きい値とする。 ■電気的特性 （Ta＝25℃、Vo＝5V設定時、R1＝46kΩ、R2＝5.1kΩ） 項 目 記 規格値 SI-8005Q 号 min. 0.485 VADJ 設定基準電圧 条 件 条 件 ラインレギュレーション ロードレギュレーション 条 件 条 件 条 件 30 60 VIN＝8∼ 28V,Io＝1A ΔVOLOAD 30 条 件 条 件 条 件 60 VIN＝12V, Io＝0.1∼ 3.5A 3.6 6.0 VIN＝12V Iq 静止時回路電流 550 VIN＝16V,Io＝1A ΔVOLINE 18 SS端子 Low時流出電流 EN端子 20 条 件 条 件 条 件 VIN＝12V,Io＝0A,VEN＝0V 5 ISSL Hiレベル電圧 Vc/EN Lowレベル電圧 Vc/EL Low時流出電流 IC/EH VIN＝12V 5 条 件 mV A μA V VIN＝12V 2.2 件 mV μA VIN＝16V,VSSL＝0V 2.8 条 kHz mA VIN＝12V,Io＝0A,VEN＝open Iq(OFF) V % VIN＝12V,Io＝1A 500 位 mV/℃ VIN＝12V,Io＝1A,Ta＝-40～＋85℃ 450 IS 過電流保護開始電流 0.515 90 fo 動作周波数 0.500 0.05 η 効率 max. VIN＝12V,Io＝1A ΔVADJ/ΔT 基準電圧温度係数 単 typ. V μA エラーアンプ電圧ゲイン AEA VEN＝0V 1000 エラーアンプトランスコンダクタンス GEA 800 μA/V V/A カレントセンスアンプインピーダンス V/V 1/GCS 0.35 最大ONデューティ DMAX 92 % 最少ON時間 DMIN 100 nsec. ＊ ： 8番端子は、SS端子で、コンデンサーを接続することによりソフトスタートさせることができます。 SS端子はＩＣ内部電源にプルアップされていますので、外部からの電圧印加はできません。 SI-8008Q 8 SS C8 ソフトスタート 34 IC SI-8000Qシリーズ ■外形図 端子配列 ①BS ②IN ③SW ④GND ⑤FB ⑥COMP ⑦EN ⑧SS 0.08–0.08 6.20 4.40 チェイス No.あり 0.05–0.05 （単位：mm） A部詳細図 1.50 0.695 TYP 5.20 0.15 A 0.4 1.27 0.40 2.70 ＊：裏面ヒートスラグ部はGND電位 2.90 樹脂封じ型 不燃化度：UL規格94V-0 製品質量：約0.1g ■ブロック図 2 IN Current Sense Amp OSC Boot REG OCP 5v_ldo P.REG 1 BS VREF 0.5V PWM LOGIC ON OFF 7 EN OVP TSD Drive 3 SW 5v_ldo 6 COMP 5 FB Amp UVLO 0.5V 4 GND 8 SS ■標準接続回路図 VIN 7 2 IN 1 BS EN C4 R1 SI-8000Q 8 C1 SS 6 C5 GND COMP C6 OPEN C3 R3 VO L1 SW 3 FB 5 D1 GND 4 VFB C2 R2 IADJ GND C1:10μF/50V (murata製:GRM55DB31H106KA87) C2:22μF/16V (murata製:GRM32ER71A226KE20) C3:560pF＊1 (murata製:GRM18タイプ) C4:10nF (murata製: GRM18タイプ) C5:10nF (murata製: GRM18タイプ) L1:10μH D1:SJPW-T4 (サンケン製) R1:46kΩ (Vo=5V設定) R2:5.1kΩ R3:24kΩ＊1 ＊1：Vo＝5V設定時 IC 35