s3759 kpin1066j

Si PINフォトダイオード
S3759
可視~赤外測光用Si PINフォトダイオード
S3759は、YAGレーザ (1.06 μm)用に開発されたSi PINフォトダイオードです。1.06 μmでの受光感度が0.38 A/Wと標準の
Siフォトダイオードと比べてはるかに高感度を実現しています。PIN構造のため高速応答、低容量も特長としています。
また、受光面がϕ5 mmと大きいため、光軸合わせなども容易です。
特長
用途
赤外域で高感度: 0.38 A/W (λ=1.06 μm)
YAGレーザ光検出
分析機器など
高速応答: tr=12.5 ns (VR=100 V)
低容量: Ct=10 pF (VR=100 V)
広い受光面サイズ: ϕ5 mm
高信頼性: TO-8メタルパッケージ
絶対最大定格
項目
最大逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR max
Topr
Tstg
定格値
150
-40 ~ +100
-55 ~ +125
単位
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
短絡電流
暗電流
記号
λ
λp
S
Isc
ID
上昇時間
tr
端子間容量
Ct
条件
λ=1060 nm
2856 K, 1000 lx
VR=100 V
λ=1060 nm, VR=100 V,
RL=50 Ω
VR=100 V, f=1 MHz
Min.
0.3
14
-
Typ.
360 ~ 1120
980
0.38
19
1
Max.
10
単位
nm
nm
A/W
μA
nA
-
12.5
-
ns
-
10
-
pF
浜松ホトニクス株式会社
1
S3759
Si PINフォトダイオード
分光感度特性
応答波形
(Typ. Ta=25 °C)
0.8
100 %
[Typ. Ta=25 ˚C, λ=1060 nm (YAGτȜΎ), VR=100 V, RL=50 Ω]
0.7
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.6
0.5
50 %
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
12.5 ns
෨ ಿ (nm)
KPINB0280JB
KPINB0279JA
暗電流ー逆電圧
端子間容量ー逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
10 nA
(Typ. Ta=25 °C)
1 nF
100 pF
ճഩၠ
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nA
100 pA
10 pA
0.01
10 pF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
1 pF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KPINB0281JA
KPINB0282JA
2
Si PINフォトダイオード
S3759
外形寸法図 (単位: mm)
ϕ13.9 ± 0.2
ϕ12.35 ± 0.1
ϕ10.5 ± 0.1
਋࢕໐
ϕ5.0
(15)
(2.8)
0.5 max.
ϕ0.45
ςȜΡ
5.0 ± 0.2
਋࢕࿂
ϕ7.5 ± 0.2
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
ϕ1.4
ϕ1.0 max.
ΉȜΑ
ΙΛίպ౾ୈഽ
΅λΛί͈ಎ૤ͬ‫ܖ‬੔̱͂̀
X, Y≤±0.4
KPINA0092JA
3
Si PINフォトダイオード
S3759
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報 ・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成26年3月現在のものです。
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Cat. No. KPIN1066J02 Mar. 2014 DN
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