s12742-254 kspd1082j

Si フォトダイオード
S12742-254
単一波長 (254 nm) 検出用フィルタ付フォトダイオード
窓材に干渉フィルタを採用した、単一波長のみ感度をもつ受光素子です。感度波長のスペクトル幅が10 nm (FWHM)と極
めて狭く、迷光のない正確な測定が行えます。S12742-254の中心波長は254 nm typ.です。340 nm、560 nm、650 nmな
ど、他の波長に最大感度波長をもつタイプに対応が可能です (受注生産品)。
特長
用途
フィルタ付Siフォトダイオード
分析機器
単一波長 (254 nm)検出用
紫外線モニタ (Hgランプなど)
構成
項目
パッケージ
受光面サイズ
仕様
TO-5
3.61 × 3.61
単位
mm
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR max
Topr
Tstg
条件
Ta=25 °C
定格値
5
-20 ~ +60
-55 ~ +80
単位
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
中心波長
感度波長半値幅
受光感度
暗電流
暗電流の温度係数
上昇時間
端子間容量
並列抵抗
雑音等価電力
記号
CWL
FWHM
S
ID
TCID
tr
Ct
Rsh
NEP
条件
λ=254 nm
VR=10 mV
VR=0 V, RL=1 kΩ
10%~90%
VR=0 V, f=10 kHz
VR=10 mV
VR=0 V, λ=λp
Min.
252
8
12
-
Typ.
254
10
18
2
1.12
Max.
256
12
25
-
単位
nm
nm
mA/W
pA
倍 /°C
-
1
-
μs
0.4
-
500
5
9.1 × 10-14
750
-
pF
GΩ
W/Hz1/2
浜松ホトニクス株式会社
1
S12742-254
Siフォトダイオード
分光感度特性
(Typ. Ta=25 °C)
50
਋࢕ۜഽ (mA/W)
40
30
20
10
0
200
注) 254 nm以外の波長は受注生産品にて
承ります。
300
400
500
600
700
800
෨ಿ (nm)
KSPDB0333JA
暗電流ー逆電圧
端子間容量ー逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
1 nA
(Typ. Ta=25 °C)
10 nF
100 pA
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
1 nF
10 pA
100 pF
1 pA
100 fA
0.01
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
10 pF
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
KSPDB0332JA
KSPDB0335JA
2
Siフォトダイオード
S12742-254
ϕ8.3 ± 0.1
X
ϕ9.15 ± 0.2
Y
ϕ6.1 ± 0.1
外形寸法図 (単位: mm)
0.4 max.
਋࢕࿂
ϕ0.45
ςȜΡ
9.64 ± 0.2
(20)
2.6
਋࢕໐
3.61 × 3.61
ϕ5.08 ± 0.2
ঐা̧̈́࢖ओĻġ±0.2
ΉȜΑ
਋࢕໐ಎ૤̥ͣ΅λΛί
ಎ૤͈́͘଱༹
-0.3ɅXɅ+0.3
-0.3ɅYɅ+0.3
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̜̳ͤ͘ȃ
KSPDA0205JA
3
Siフォトダイオード
S12742-254
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
・紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣化する場合があります。このためア
パーチャなどを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報 ・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KSPD1082J03 Oct. 2015 DN
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