sjpx-f2 ds jp

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SJPX-F2
2016 年 5 月
Fast Recovery Diode
概要
パッケージ
低 VF 且つ高温 trr に優れた特性です。
高温動作時の損失を抑え、高効率な電子回路を実現
します。
SJP
(2)
アプリケーション
(2)
(1)
・ DC-DC コンバータ
・ AC アダプタ
・ その他、高周波整流回路
(1)
(1) カソード
(2) アノード
原寸大ではありません
主要スペック
特長
・ 低 VF、超高速 FRD
・ 高温時の trr 増加が少ない。
項目
記号
定格
単位
ピーク繰り返し逆電圧
VRM
200
V
順方向降下電圧
平均順電流
逆方向回復時間
代
表
特
VF
0.98
V
IF(AV)
1.5
A
trr
25
ns
条件
IF=1.5A
100mA
/200mA
性
SJPX-F2 VR-IR代表特性
SJPX-F2 IF-VF 代表特性
100
1.E-02
1.E-03
150°C
1.E-04
100°C
1.E-05
60°C
10
IR[A]
IF [A]
1
150°C
0.1
100°C
1.E-06
25°C
60°C
0.01
1.E-07
25°C
0.001
1.E-08
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
VR[V]
VF [V]
記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください.
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ページ 1
150
200
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Fast Recovery Diode
絶対最大定格
No.
項
1
目
記号
単位
定
格
条
件
ピーク非繰返し逆電圧
VRSM
V
200
2
ピーク繰返し逆電圧
VRM
V
200
3
平均順電流
IF(AV)
A
1.5
4
サージ順電流
IFSM
A
30
10ms、.正弦半波、単発
5
I2t 限界値
I2t
A2s
4.5
1ms ≤ t ≤ 10ms
6
接合部温度
Tj
°C
-40~+150
7
保存温度
Tstg
°C
-40~+150
電気的特性(特に指定の無い場合は、25°C とする。)
項
No.
目
記号
単位
特
性
条
件
1
順方向降下電圧
VF
V
0.98 max.
IF=1.5A
2
逆方向漏れ電流
IR
µA
10 max.
VR=VRM
3
高温逆方向漏れ電流
H・IR
mA
2.0 max.
VR=VRM, Tj=150°C
trr1
ns
30 max.
IF=IRP=100mA
90% Recovery point, Tj=25°C
trr2
ns
25 max.
IF=100mA,IRP=200mA
75% Recovery point, Tj=25°C
Rth(j-c)
°C/W
20 max.
4
5
逆方向回復時間
熱抵抗
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ページ 2
接合部-リード線間
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Fast Recovery Diode
特性
平均順電流―順電力損失特性
順電力損失 PF (W)
2.0
Tj=150℃
t
1.5
T
t/T=1/6
t/T=1/3,sinewave
1.0
t/T=1/2
DC
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
平均順電流 IF(AV) (A)
逆電圧―逆電力損失特性
0.35
Tj=150℃
逆電力損失 PR (W)
0.30
t
0.25
T
1-t/T=5/6
0.20
1-t/T=2/3
0.15
0.10
1-t/T=1/2
0.05
sinewave
0.00
0
50
100
150
200
逆電圧 VR (V)
リード温度―平均順電流
VR=200V
1.5
DC
平均順電流 IF(AV) (A)
t/T=1/6
1.0
t/T=1/3
t/T=1/2
0.5
Tj=150℃
sinewave
t
T
0.0
100
110
120
130
リード温度 TL (°C)
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ページ 3
140
150
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Fast Recovery Diode
外形図
● SJP
備考:
● 単位:mm
● 端子部 Pb フリー品(RoHS 対応)
接続図
1
2
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ページ 4
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注意書き
● 本書に記載している製品(以下、「本製品」という)のデータ、図、表その他のすべての内容は本書発行
時点のものとなります。本書に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。
ご使用の際には、最新の情報であることを弊社販売窓口に確認してください。
● 本製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)の部品に使用されること
を意図しております。ご使用の際には、納入仕様書に署名または記名押印のうえご返却をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安全
装置など)への使用をご検討の際には、必ず事前にその使用の適否につき弊社販売窓口へご相談および納
入仕様書に署名または記名押印のうえご返却をお願いします。本製品は、極めて高い信頼性が要求される
機器または装置(航空宇宙機器、原子力制御、その故障や誤動作が生命や人体に危害を及ぼす恐れのある
医療機器(日本における法令でクラスⅢ以上)など)(以下「特定用途」という)に使用されることは意
図されておりません。特定用途に本製品を使用したことによりお客様または第三者に生じた損害などに関
し、弊社は一切その責任を負いません。
● 本製品の使用にあたり、本製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、あるいはこれらの製品に物理的、
化学的、その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任においてそのリスクを必ずご検討のう
え行ってください。
● 弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けら
れません。本製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しないよう、
故障発生率およびディレーティングなどを考慮のうえ、使用者の責任において、本製品が使用される装置
やシステム上で十分な安全設計および確認を含む予防措置を必ず行ってください。ディレーティングにつ
いては、納入仕様書および弊社ホームページを参照してください。
● 本製品は耐放射線設計をしておりません。
● 本書に記載している内容を、文書による弊社の承諾なしに転記・複製することを禁じます。
● 本書に記載している回路定数、動作例、回路例、パターンレイアウト例、設計例、推奨例、本書に記載し
ているすべての情報およびこれらに基づく評価結果などは、使用上の参考として示したもので、これらに
起因する使用者もしくは第三者のいかなる損害および知的財産権を含む財産権その他一切の権利の侵害問
題について、弊社は一切責任を負いません。
● 本書に記載している技術情報(以下、「本技術情報」という)は、本製品の使用上の参考として示したも
ので、弊社の所有する知的財産権その他権利の実施、使用を許諾するものではありません。
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または特別環境に対する適合性を含む)ならびに本書に記載の情報(正確性、有用性、信頼性を含む)に
ついて、明示的か黙示的かを問わず、いかなる保証もしておりません。
● 本製品を使用する場合は、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令など、適用可能性がある環境関
連法令を十分に調査したうえで、当該法令に適合するよう使用してください。
● 本製品および本技術情報を、大量破壊兵器の開発を含む、軍事用途や軍事利用の目的で使用しないでくだ
さい。また、本製品および本技術情報を輸出または非居住者などに提供する場合は、
「米国輸出管理規則」、
「外国為替及び外国貿易法」など、各国の適用のある輸出管理法令などを遵守してください。
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一切責任を負いません。
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DSGN-CJZ-16001
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