fmn-4206s ds jp

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FMN-4206S
2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
パッケージ(TO-3PF 3pin)
概要
高速性はそこそこで低 VF を重視した FRD を、大電
流パッケージである TO-3PF に組み込みました。
低 VF と程よい高速性でソフトスイッチングを実
現。回路の低ノイズ化にも貢献します。
アプリケーション
・ DCM 方式 PFC 回路(不連続方式力率改善回路)
・ DC-DC コンバーター(電流共振方式)
主要スペック
特長
・ 低 VF 重視の FRD
・ 程よい高速性によるソフトスイッチング
・ 大電流パッケージによる優れた放熱性
・ フルモールドパッケージによる優れた絶縁性
代
項目
記号
単位
定格
ピーク繰り返し逆電圧
VRM
V
600
順方向降下電圧
表
VF
V
1.3
平均順電流
IF(AV)
A
20
逆方向回復時間
trr1
trr2
ns
ns
100
50
特
条件
IF=10A
性
VF-IF温度特性(代表例)
VR-IR温度特性(代表例)
100
10
1
Tj = 150℃
Tj = 150℃
Tj = 100℃
Tj = 100℃
IR[mA]
IF[A]
0.1
10
Tj = 60℃
0.01
Tj = 60℃
Tj =25℃
0.001
Tj = 25℃
0.0001
1
0.5
1
1.5
2
0
100
200
300
400
VR[V]
VF[V]
VF-IF・VR-IR 共に、一素子当たりの特性を示す。
記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください .
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ページ 1
500
600
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FMN-4206S
2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
 絶対最大定格
No.
項
1
目
記号
単位
定
格
条
件
ピーク非繰返し逆電圧
VRSM
V
600
2
ピーク繰返し逆電圧
VRM
V
600
3
平均順電流
IF(AV)
A
20
減定格の項を参照(ページ3)
4
サージ順電流
IFSM
A
150
10msec.正弦半波単発
5
I2t 限界値
I2t
A2s
112.5
6
接合部温度
Tj
℃
-40∼+150
7
保存温度
Tstg
℃
-40∼+150
1msec≦t≦10msec
No.1,2,4,5 は一素子当たりの特性を示す。
 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。)
No.
項
目
記号
単位
特
性
条
1
順方向降下電圧
VF
V
1.5 max.
IF=10A
2
逆方向漏れ電流
IR
uA
100 max.
VR=VRM
3
高温逆方向漏れ電流
H・IR
mA
20 max.
trr1
ns
100 max.
trr2
ns
50 max.
Rth(j-c)
℃/W
2.0 max.
4
5
逆方向回復時間
熱抵抗
No.1,2,3,4 は一素子当たりの特性を示す。
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ページ 2
件
VR=VRM, Tj=150℃
IF=IRP=100mA
90% Recovery point, Tj=25℃
IF=100mA,IRP=200mA
75% Recovery point, Tj=25℃
接合部−ケース間
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FMN-4206S
2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
 特性
平均順電流―順電力損失特性
35
Tj=150℃
30
t
T
順電力損失 PF (W)
25
t/T=1/6
20
t/T=1/3,sinewave
15
t/T=1/2
10
DC
5
0
0
5
 減定格
10
平均順電流 IF(AV) (A)
15
20
リード温度―平均順電流 VR=600V
20
DC
t/T=1/6
平均順電流 IF(AV) (A)
15
Sinewave
t/T=1/3
10
t/T=1/2
5
Tj=150℃
t
T
0
0
50
ケース温度 Tc (℃)
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ページ 3
100
150
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FMN-4206S
2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
 外形図(mm)
1
2
 マーク表示
N4206S
整流記号
XX
XX
N4206S:品名 FMN-4206S を“N4206S”と表す
XXXX:ロット番号(製造年月日)を 4 桁で表す
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ページ 4