http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E20 2009 年 4 月 Power Zener Diode 概要 過電圧保護素子として優れた応答性で動作 する表面実装型 1W ﾊﾟﾜｰﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞです パッケージ 4.5±0.2 2.6±0.2 アプリケーション ・ｶｰﾅﾋﾞ ・ｴｱｰﾊﾞｯｸ ・その他電子機器 主要スペック 特長 ・平均電力損失 1Ｗの２端子面実装型 ・高逆ｻｰｼﾞ耐量と高 ESD 耐量を確保 代 項目 記号 単位 定格 許容電力損失 P W 1 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ 基板実装 500μs 矩形波 ﾋﾟｰｸ逆耐電力 PRSM W 95 min 逆方向降伏電圧 VZ V 18.8∼ 21.2 IZ =1mA 逆方向漏れ電流 IR μA 10 max VR =15V 表 特 単発 性 逆方向降伏電圧−逆方向降伏電流特性 Vz typ.品 at Iz=1mA PRSM ﾋﾟｰｸ逆耐電力破壊値 条件 Vz−Iz 10 Iz [A] at t=0.4ms 1000 平均破壊値 P RS M [W ] 100 保証値 10 1 0.1 1 Pulse width [ms] 10 100 1 0.1 0.01 0.001 15 20 25 Vz [V] 記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください . Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 1 30 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E20 2009 年 4 月 Power Zener Diode 絶対最大定格 SJPZ-E20 製品名 項 目 記号 単位 定 格 条 件 許容電力損失 P W 1 次頁の図Ｐ−Ｔａ参照 ﾋﾟｰｸ逆耐電力 PRSM W 95 min. 500μs 矩形波単発 接合部温度 Tj ℃ - 55 ∼ ＋ 1 50 − 保存温度 T s tg ℃ - 55 ∼ ＋ 1 50 − 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。) SJPZ-E20 製品名 項 目 記号 単位 逆方向降伏電圧 Vz V 18. 8 ∼ 21. 2 IZ=1mA 逆方向漏れ電流 IR μA 10 max. VR=15V 降伏電圧温度依存性 γz mV/℃ 1 6 typ. IZ=1mA 降伏領域等価抵抗 Rz Ω 4 typ. IZ=10mA∼20mA Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 2 定 格 条 件 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E20 2009 年 4 月 Power Zener Diode 特性 許容電力損失−周囲温度特性 逆方向降伏電圧−周囲温度特性 Vz−Ta Vz typ.品 at Iz=1mA P−Ta 23 1.2 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装 （銅箔３mm□） 22 Vz [V] at Iz=1mA 1.0 P [W] 0.8 0.6 0.4 20 γ z：１６mV/℃ 19 0.2 0.0 0 20 40 18 -100 60 80 100 120 140 160 Ta [℃] 0 100 200 Ta [℃] 逆方向降伏電圧−降伏電圧温度係数特性 Vz−γz 降伏領域等価抵抗−逆方向降伏電流特性 Vz typ.品 at Iz=1mA Rz−Iz 100 35 30 25 Rz [Ω] γz [mV/℃] at Iz=1mA 21 10 20 15 10 1 15 20 25 30 Vz [V] 35 1 40 10 Iz [mA] 過渡熱抵抗特性 Rth 1000 Rth [℃/W] 100 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装 （銅箔３mm□） Rth(j-a) 10 Rth(j-l) 1 0.1 0.001 0.01 0.1 1 Time [s] Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 3 10 100 1000 100 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E20 2009 年 4 月 Power Zener Diode 外形図 (mm) ② 2.15 +0.1 -0.2 ① 2.0 min. 接続図 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 4