CCDリニアイメージセンサ S12379 画素サイズ: 8 × 8 μm, 4ポート読み出し 高速応答・高感度を実現した表面入射型CCD S12379は、マシンビジョンカメラ用に設計された高速ラインレートの表面入射型CCDリニアイメージセンサです。 特長 用途 画素サイズ: 8 × 8 μm マシンビジョン 2048画素 高速イメージ読み取り 高速マルチポート読み出し (読み出し速度: 40 MHz max. × 4ポート) 高いCCD変換効率: 21 μV/e- typ. アンチブルーミング機能 構成 項目 イメージサイズ (H × V) 画素サイズ (H × V) 総画素数 有効画素数 開口率 水平クロック 出力回路 パッケージ 窓材 仕様 16.384 × 0.008 8×8 2104 2048 100 2相 3段MOSFETソースフォロア 24ピンセラミックDIP 石英ガラス*1 単位 mm μm % - *1: 樹脂封止 絶対最大定格 (指定のない場合はTa=25 °C) 項目 動作温度 保存温度 出力トランジスタドレイン電圧 リセットドレイン電圧 アンチブルーミングドレイン電圧 アンチブルーミングゲート電圧 ストレージゲート電圧 トランスファーゲート電圧 リセッ ト ゲ ー ト 電 圧 出力ゲート電圧 水平シフトレジスタクロック電圧 記号 Topr Tstg 条件 パッケージ温度, 結露なきこと 結露なきこと VOD1, 2, 3, 4 VRD VABD VABG VSTG VTG VRG12, VRG34 VOG VP1H, VP2H 定格値 -50 ～ +70 -50 ～ +70 -0.5 ～ +20 -0.5 ～ +18 -0.5 ～ +18 -0.5 ～ +15 -0.5 ～ +15 -0.5 ～ +15 -0.5 ～ +15 -0.5 ～ +15 -0.5 ～ +15 単位 °C °C V V V V V V V V V 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 高速動作時にはセンサの発熱によりセンサの温度が上昇します。必要に応じて絶対最大定格を超えないように放熱対策を行ってく ださい。 浜松ホトニクス株式会社 1 S12379 CCDリニアイメージセンサ 動作条件 (Ta=25 °C) 項目 出力トランジスタドレイン電圧 リセットドレイン電圧 アンチブルーミングドレイン電圧 アンチブルーミングゲート電圧 ストレージゲート電圧 トランスファーゲート電圧 リセットゲート電圧 水平シフトレジスタクロック電圧 High Low High Low High Low 出力ゲート電圧 基板電圧 外部負荷抵抗 記号 VOD1, 2, 3, 4 VRD VABD VABG VSTG VTGH VTGL VRG12H, VRG34H VRG12L, VRG34L VP1HH, VP2HH VP1HL, VP2HL VOG VSS RL Min. 13 12 12 0 0 8 0 7 0 5.5 0 6 2.0 Typ. 15 13 13 0 0 10 0 8 0 6 0 7 0 2.2 Max. 17 14 14 5 5 12 3 9 1 6.5 1 8 2.4 単位 V V V V V V V V V V kΩ 電気的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C, 動作条件: Typ.) 項目 出力信号周波数／ポート ラインレート リセットクロック周波数 水平シフトレジスタ容量 トランスファーゲート容量 リセットゲート容量 電荷転送効率*2 DC出力レベル*3 出力インピーダンス*3 消費電力／ポート*3 *4 記号 fc LR frg CP1H, CP2H CTG CRG12, CRG34 CTE Vout Zo P Min. 0.99995 8 - Typ. 20 36 20 180 110 20 0.99999 9 135 100 Max. 40 72 40 10 200 140 単位 MHz kHz MHz pF pF pF V Ω mW *2: 飽和出力の半分のときに測定したCCDシフトレジスタ1画素当たりの転送効率 *3: 負荷抵抗により変わります (VOD=15 V, 負荷抵抗=2.2 kΩ)。 *4: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力 電気的および光学的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C, 動作条件: Typ.) 項目 飽和出力電圧 飽和電荷量*5 CCD変換効率 全有効画素の平均値 全有効画素の最大値 暗電流*6 読み出しノイズ*7 ダイナミックレンジ*8 感度波長範囲 感度不均一性*9 *10 読み残し*9 *11 記号 Vsat Fw Sv DSave DSmax Nr DR λ PRNU L Min. 15 19 600 - Typ. Fw × Sv 20 21 30 40 20 1000 200 ～ 1000 ±3 0.1 Max. 23 100 100 30 ±10 1 単位 V keμV/ee-/ms e- rms nm % % *5: 飽和電荷量は直線性 ± 2％以内 *6: 暗電流は5～7 °Cの冷却で1/2になります。 *7: 読み出し周波数 40 MHz *8: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量／読み出しノイズ *9: LED光 (ピーク波長: 470 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定 īIJıĻġۜഽະ֚ = ࡥΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak) × 100 [%] *11: 飽和出力の半分となるようにパルス光を照射した場合に読み残される信号量の割合 2 S12379 CCDリニアイメージセンサ 分光感度特性 (窓なし時) 窓材の分光透過特性 (Typ. Ta=25 °C) 50 100 80 40 80 60 30 100 (Typ. Ta=25 °C) 20 ۜഽ 20 ൫ًၚ (%) 40 ۜഽ [V/(uJ · cm2)] ၾঊ࢘ၚ (%) ၾঊ࢘ၚ 60 40 20 10 0 200 0 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 300 400 500 600 700 800 900 1000 ෨ಿ (nm) ෨ಿ (nm) KMPDB0303JA * ΄םρΑ͈൫ًၚͤۜ͢ͅഽ͉೩̳̱͘ئȃ KMPDB0414JB デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図) P2H P1H SS OS3 SS OS2 OD2 OD3 D1 D2 D3 D4 D4 D3 D2 D1 TG ABD RG12 D5 D6 D13 D14 S1 S2 S511 S512 S512 S511 S2 S1 D14 D12 D6 D5 S512 S512 S511 S1 D14 D13 D5 STG RG34 έΠΘͼȜΡ D5 D6 ABG D14 S1 S2 D1 D2 D3 D4 D4 D3 D2 D1 OD1 OD4 OS1 SS OS4 SS P2H P1H RD OG : ৭ႀ֖ KMPDC0504JB 3 S12379 CCDリニアイメージセンサ タイミングチャート 1ρͼϋႁ( ۼܢಇୟশ)ۼ Tovr3 Tovr1 Tovr2 Tpwt Tpft Tprt TG P1H P2H RG12, RG34 OS ڐఱ TG P1H P2H RG12, RG34 1 Tpwh 2 3 4 5...522 523 524 525 Tprh Tprr Tpwr OS D1 D2 D3 526 Tpfh Tpfr D4 S509 S510 S511 S512 D5...D14, S1...S508 KMPDC0505JB TG P1H, P2H *12 RG12, RG34 TG-P1H 項目 パルス幅 上昇／下降時間 パルス幅 上昇／下降時間 デューティ比 パルス幅 上昇／下降時間 オーバーラップ時間 記号 Tpwt Tprt, Tpft Tpwh Tprh, Tpfh Tpwr Tprr, Tpfr Tovr1 Tovr2 Tovr3 Min. 400 10 12.5 6 40 5 2 100 100 100 Typ. 600 25 50 6 200 200 200 Max. 60 - 単位 ns ns ns ns % ns ns ns ns ns *12: 最大パルス振幅の50％のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。 4 S12379 CCDリニアイメージセンサ 外形寸法図 (単位: mm) 1.2 ± 0.2*1 ໐ 16.384 × 0.008 1.85 ± 0.2*2 A 2 ± 0.15 12 0.46 ± 0.05 27.94 ± 0.3 0.6 ± 0.05*3 3.45 ± 0.35 A’ 2.54 ± 0.13 ࿂ 3.035 ± 0.3 18 ± 0.3 1.27 ± 0.25 1 4 ± 0.5 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· 12.7 ± 0.25 13 6.225 ± 0.2 12.45 ± 0.25 24 0.25 -0.03 36 ± 0.36 +0.05 [A-A’౯࿂Ş ςȜΡऺৗ: FeNiࣣ߄ ςȜΡੜၑ: Ni/AuιΛ΅ ঐা̧̈́ओ: ±0.1 *1: ΩΛΉȜΐષ࿂̥ͣ࿂༹͈́͘ *2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ࿂༹͈́͘ *3: ΄ρΑ͈࢚̯ ಕ) ུୋ͉ྟܨ໑গ̯̞̞̹ͦ̀̈́͛Ȃ൫̦̜̳ͤ͘ȃأ̈́ࠣݢഽ་́ޏ۪̜͈ͥا༗ۯȆঀဥ̳ͥ͂Ȃ ΩΛΉȜΐඤ໐ࠫͅႺ̦อ̳ͥાࣣ̦̜̹ͥ͛Ȃ̫̩̺̯̞̀ȃ KMPDA0319JA ピン接続 ピンNo. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 記号 SS OS1 OD1 RD ABG P2H P1H RG12 OG OD4 OS4 SS SS OS3 OD3 STG RG34 P1H P2H TG ABD OD2 OS2 SS 機能 基板 出力トランジスタソース1 出力トランジスタドレイン1 リセットドレイン アンチブルーミングゲート 水平シフトレジスタクロック2 水平シフトレジスタクロック1 リセットゲート1,2 アウトプットゲート 出力トランジスタドレイン4 出力トランジスタソース4 基板 基板 出力トランジスタソース3 出力トランジスタドレイン3 ストレージゲート リセットゲート3,4 水平シフトレジスタクロック1 水平シフトレジスタクロック2 トランスファーゲート アンチブルーミングドレイン 出力トランジスタドレイン2 出力トランジスタソース2 基板 備考 (標準動作) 0V RL=2.2 kΩ (OS1-SS) +15 V +13 V 0V +6/0 V +6/0 V +8/0 V +7 V +15 V RL=2.2 kΩ (OS4-SS) 0V 0V RL=2.2 kΩ (OS3-SS) +15 V 0V +8/0 V +6/0 V +6/0 V +10/0 V +13 V +15 V RL=2.2 kΩ (OS2-SS) 0V 5 CCDリニアイメージセンサ S12379 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 製品に関する注意事項とお願い ・ イメージセンサ／使用上の注意 技術情報 ・ イメージセンサ／用語の説明 本資料の記載内容は、平成27年2月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııijIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊಎ؇ĴĮijĮIJġဩίρΎIJIJٴ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KMPD1149J01 Feb. 2015 DN 6