InAsSb光起電力素子 P13243シリーズ 5 μmまでの波長帯で高速応答・高感度、 非冷却型赤外線検出素子 P13243シリーズは、当社独自の結晶成長技術とプロセス技術により、5 μmまでの波長域において非冷却で高感度を実現した光 起電力型の赤外検出素子です。非冷却のため、小型化を実現し、取り扱いが容易です。 特長 用途 高感度 ガス検知 (CH4, CO2, COなど) 高速応答 放射温度計 高並列抵抗 非冷却、小型パッケージ 構成 P13243-011CA 項目 P13243-011MA 反射防止コーティングSi 窓材 パッケージ 冷却タイプ 受光面サイズ 視野角 (FOV) TO-46 セラミック 非冷却 0.7 × 0.7 55 82 単位 mm 度 絶対最大定格 項目 逆電圧 動作温度 保存温度 はんだ付け条件 記号 VR Topr Tstg 条件 結露なきこと 結露なきこと P13243-011CA P13243-011MA 1 -40 ～ +85 -40 ～ +85 ピーク温度 240 °C max. 260 °C以下, 10秒以内 単位 V °C °C - 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 浜松ホトニクス株式会社 1 P13243シリーズ InAsSb光起電力素子 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C) 項目 最大感度波長 カットオフ波長 受光感度 並列抵抗 比検出能力 雑音等価電力 上昇時間 記号 λp λc S Rsh D* NEP tr Min. 5.0 4.0 120 8.0 × 108 - 条件 λ=λp* VR=10 mV (λp, 600, 1) λ=λp* 10～90% Typ. 3.5 5.3 4.5 300 1.0 × 109 7.0 × 10-11 - Max. 8.8 × 10-11 1 単位 μm μm mA/W kΩ cm·Hz1/2/W W/Hz1/2 μs *受光部の全面を均一に照射 注) 使用時は、受光部全面への均一照射をする必要があります。 分光感度特性 (D*) 並列抵抗－素子温度 (Typ. Ta=25 °C) 109 108 107 2 3 4 5 (Typ.) 10000 Ⴅࢯ (kΩ) D* (cm · Hz1/2/W) 1010 1000 100 10 -60 6 -40 -20 0 20 40 60 80 ளঊأഽ (°C) ෨ಿ (μm) KIRDB0610JA KIRDB0611JA 窓材の分光透過特性 直線性 (Typ. Ta=25 °C) 100 (Typ. Ta=25 °C, λ=1.55 μm) 10 μA 1 μA 80 ഩၠ ൫ًၚ (%) 100 nA 60 40 10 nA 1 nA 20 0 100 pA 2 3 4 5 6 ෨ಿ (μm) 10 pA 10-1 100 101 102 103 104 105 වৣၾ (μW) KIRDB0614JA KIRDB0615JA 2 InAsSb光起電力素子 P13243シリーズ 測定回路例 ΙοΛΩ 600 Hz ளঊ r.m.s. ιȜΗ ΨϋΡΩΑ έͻσΗ fo=600 Hz Δf=60 Hz වৣΥσΆȜ 245 μW/cm2 ࣱఘႷ 800 K KIRDC0094JA 外形寸法図 (単位: mm) P13243-011CA P13243-011MA 5.4 ± 0.2 2.6 ± 0.2 1.2 ± 0.1 4.6 ± 0.2 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· 2. 5 (4×) R 0.2 45 ° 2.6 ± 0.2 1.6 ± 0.2 0.45 ± 0.1 0.25 ϕ0.45 ςȜΡ ϕ2.5 ± 0.2 0.25 ࿂ 2.1 (1.1) ࿂ 12.0 ± 0.5 2.8 ± 0.2 1.35 ± 0.2 5 2. 1.2 ± 0.1 ໐ (4×) R 0.2 ໐ 0.15 0.65 1.0 0.65 0.15 KIRDA0248JB ΉȜΑ KIRDA0249JB 3 InAsSb光起電力素子 P13243シリーズ リフローはんだ付けの推奨温度プロファイル (P13243シリーズ) 240 °C max. 220 °C 190 °C أഽ 170 °C ထح 70 ȡġ90 s ུح 40 s max. শۼ KIRDB0616JA 使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります。 リフローはんだ条件の設定時には、あらかじめ実験を行って製品に問題が発生しないことを確認してください。 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 製品に関する注意事項とお願い ・ 化合物光半導体 受光素子／使用上の注意 技術情報 ・ 赤外線検出素子／技術資料 ・ 赤外線検出素子／用語の解説 本資料の記載内容は、平成27年12月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KIRD1130J02 Dec. 2015 DN 4