InAsSb光起電力素子 P11120-201 5 μm帯で高速応答・高感度、 液体窒素不要の電子冷却型赤外線検出素子 当社独自の結晶成長技術により5 μm帯で高感度を実現した赤外線検出素子です。InAsSb光起電力素子はPN接合を採用している ため、高速応答・高信頼性を実現しています。CO2、SOx、CO、NOxなどのガス分析への応用に適しています。なお、当社従 来品のメタルデュワ型P11120-901と異なり、コンパクトなTO-8パッケージを採用することで液体窒素が不要となり使いやすく なっています。 特長 用途 高速応答 ガス分析 高感度 放射温度計 高信頼性 サーマルイメージング コンパクトなTO-8パッケージの電子冷却型 リモートセンシング InAsSbを採用しており環境に配慮 QCLからの赤外線の検出に適している FTIR 分光光度計 オプション (別売) 2段電子冷却型用放熱器 A3179-01 温度コントローラ C1103-04 プリアンプ付赤外検出モジュール C4159-07 構成 項目 窓材 パッケージ 冷却タイプ 受光面サイズ 定格値 サファイア TO-8 2段電子冷却 φ1.0 単位 mm 定格値 0.2 0.1 -40 ～ +60 -55 ～ +60 単位 mW V °C °C 絶対最大定格 項目 サーミスタ許容損失 逆電圧 動作温度 保存温度 記号 - VR Topr Tstg 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 浜松ホトニクス株式会社 1 P11120-201 InAsSb光起電力素子 電気的および光学的特性 (Td=-30 °C) 項目 最大感度波長 カットオフ波長 受光感度 並列抵抗 比検出能力 雑音等価電力 記号 λp λc S Rsh D* NEP tr 上昇時間 条件 λ=λp VR=10 mV (λp, 600, 1) λ=λp VR=0 V, RL=50 Ω 0～63% Min. 4.0 5.6 0.8 10 3.5 × 109 - Typ. 4.9 5.9 1.6 13 5.0 × 109 1.8 × 10-11 Max. 2.5 × 10-11 単位 μm μm A/W Ω cm·Hz1/2/W W/Hz1/2 - 0.4 - μs 分光感度特性 (D*) 分光感度特性 C-Hࠏ CO2, SOX CO NOX ĩŕźűįġŕťľĮĴıġ°ńĪ 11 10 (Typ. Td=-30 °C) 1.8 1.6 1010 ۜഽ (A/W) D* (cm · Hz1/2/W) 1.4 109 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 8 10 1 2 3 4 5 6 ෨ಿġĩμmĪ 0 1 2 3 4 5 6 ෨ಿ (μm) KIRDB0452JA KIRDB0453JA 2 P11120-201 InAsSb光起電力素子 並列抵抗－素子温度 暗電流－逆電圧 ĩŕźűįĪ IJġł ĩŕźűįĪ IJııı IJııġŮł IJıġŮł Ⴅࢯ (Ω) ճഩၠ Td=25 °C Td=-10 °C IJıı IJı IJġmł Td=-30 °C IJııġμł ıįıIJ ıįIJ ݙഩգġĩŗĪ 1 -80 -60 -40 -20 0 20 40 ளঊأഽġĩ°ńĪ KIRDB0454JA KIRDB0455JA 直線性 (Typ. λ=1.55 μm) 10000 ႁ (μA) 1000 100 10 1 0.01 0.1 1.0 10 100 වৣၾ (mW) KIRDB0456JA 3 P11120-201 InAsSb光起電力素子 2段電子冷却素子の仕様 (Ta=25 °C) 項目 許容電流 許容電圧 サーミスタ抵抗 サーミスタ許容損失 Min. 8.1 - 記号 Ic Vc Rth Pth Typ. 9.0 - 電子冷却素子の電流－電圧特性 単位 A V KΩ mW 電子冷却素子の冷却特性 (Typ. Ta=25 °C, ༶͈ܕࢯ=3 °C/W) 1.2 Max. 1.0 0.95 9.9 0.2 (Typ. Ta=25 °C, ༶͈ܕࢯ=3 °C/W) 30 20 1.0 10 ளঊأഽ (°C) ഩၠ (A) 0.8 0.6 0.4 0 -10 -20 -30 0.2 -40 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -50 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 ഩၠ (A) ഩգ (V) KIRDB0459JA KIRDB0464JA サーミスタの温度特性 (Typ.) 6 10 5 ࢯ (Ω) 10 104 103 -40 -20 0 20 ளঊأഽ (°C) KIRDB0116JA 4 InAsSb光起電力素子 P11120-201 測定回路例 ΙοΛΩ 600 Hz ளঊ ΨϋΡΩΑ έͻσΗ r.m.s. ιȜΗ fo=600 Hz Δf=60 Hz වৣΥσΆȜ 245 μW/cm2 ࣱఘႷ 800 K KIRDC0094JA 外形寸法図 (単位: mm) 15.3 ± 0.2 14 ± 0.2 6.9 ± 0.2 10 ± 0.2 වৣௗ 10 ± 0.2 12 min. ࿂ 0.45 ςȜΡ 5.1 ± 0.2 5.1 ± 0.2 10.2 ± 0.2 5.1 ± 0.2 ளঊ (ͺΦȜΡ) ளঊ (ΕȜΡ) ഩঊ႖ݕளঊ (-) ഩঊ႖ݕளঊ (+) ȜηΑΗ KIRDA0212JA 5 InAsSb光起電力素子 P11120-201 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 製品に関する注意事項とお願い ・ 化合物光半導体 受光素子／使用上の注意 技術情報 ・ 赤外線検出素子／技術資料 ・ 赤外線検出素子／用語の解説 本資料の記載内容は、平成27年5月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KIRD1113J04 May 2015 DN 6