s10043 kspd1072j

Siフォトダイオード
S10043
高信頼性VUV検出用フォトダイオード
S10043は、高出力ArFエキシマレーザ (193 nm)を正確に安定して検出するためのSiフォトダイオードです。新規開発した極薄PN
接合と高信頼性を実現した極薄金属膜の形成技術を組み合わせることで、1 kJ/cm2のArFエキシマレーザ照射後でも感度劣化は
ほとんどありません。
特長
用途
ArF (λ=193 nm)エキシマレーザ照射に対して
感度安定性を大幅に改善
ArFエキシマレーザ検出
各種UV光検出
受光窓なしのパッケージ*1
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
最大逆電圧
動作温度*2
保存温度*2
記号
VR max
Topr
Tstg
定格値
5
-20 ~ +60
-55 ~ +80
単位
V
°C
°C
*1: S10043は窓のないパッケージを採用しており、フォトダイオードチップを保護するものがありません。納品時はガラスをテープで
固定しています。使用の際は、テープをはずしてください。
*2: 結露なきこと
高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
暗電流
端子間容量
上昇時間
記号
条件
λ
λp
S λ=193 nm
ID VR=10 mV
Ct VR=0 V, f=10 kHz
VR=0 V, RL=1 kΩ
tr
10~90%
Min.
10
-
Typ.
190 ~ 1000
720
15
0.1
4
Max.
1
-
単位
nm
nm
mA/W
nA
nF
-
9
-
μs
浜松ホトニクス株式会社
1
Siフォトダイオード
S10043
VUV照射による感度変動
分光感度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.25
120
[Typ. Ta=25 ˚C, ArF ΀΅ΏζτȜΎ, 0.1 mJ/cm2/ΩσΑ, f=100 Hz,
λ=193 nm, ΩσΑ໙=15 ns (FWHM)]
S10043
100
௖చۜഽ (%)
0.15
0.10
80
S8552, S8553
60
40
S1227/S1337ΏςȜΒ (ྚ໑গ຦)
0.05
20
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
1 × 106
෨ಿ (nm)
5 × 106
1 × 107
ΏοΛΠତ
KSPDB0257JA
KSPDB0264JE
外形寸法図 (単位: mm)
16.5 ± 0.2
15.0 ± 0.15
Y
X
(10.5)
0.75
਋࢕࿂
2.15 ± 0.1
਋࢕໐
10 × 10
0.3
ࣱΓρηΛ·
(2 ×) ɸ0.5
Fe·Ni·Coࣣ߄
15.1 ± 0.3
ͺΦȜΡ
౤ঊζȜ·
ΞȜί
12.5 ± 0.2
13.7 ± 0.3
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.20
ΩΛΉȜΐ͈ಎ૤ͅచ̳ͥ
ΙΛί͈ಎ૤պ౾
-0.3ɅX, YɅ+0.3
KSPDA0171JA
2
Siフォトダイオード
S10043
使用上の注意
・クリーンルーム内で取り扱ってください。
・フォトダイオードチップ表面、ワイヤ部には絶対に触れないでください。
・防塵手袋・防塵マスクを着用してください。
・表面異物・付着物の除去はエアブローで吹き飛ばしてください。
・洗浄はできません。
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報 ・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KSPD1072J02 Oct. 2015 DN
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