k12729-010k kird1129j

複合素子
K12729-010K
広い感度波長範囲: 0.9～2.55 μm
小型セラミックパッケージ
K12729-010Kは、広い感度波長範囲を実現した小型セラミックパッケージの複合素子です。従来製品 K11908-010Kと同様
に波長域の異なる2つのInGaAs PINフォトダイオードが同一光軸上に配置されています。低ノイズ・低暗電流を実現し、
リフローはんだ付けに対応しています。
特長
用途
広い感度波長範囲
分光測光
小型、低ノイズ、低暗電流
放射温度計
リフローはんだ付けに対応
構成
項目
窓材
パッケージ
受光面サイズ
記号
-
条件
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
仕様
硼珪酸ガラス
セラミック
2.4 × 2.4
ϕ1.0
単位
-
定格値
2
1
-20 ～ +70
-20 ～ +85
単位
mm
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
条件
InGaAs (λc=1.7 μm), Ta=25 °C
VR max
InGaAs (λc=2.55 μm), Ta=25 °C
Topr
結露なきこと
Tstg
結露なきこと
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 ℃)
項目
記号
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
受光感度
S
暗電流
ID
遮断周波数
fc
端子間容量
並列抵抗
比検出能力
Ct
Rsh
D*
条件
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp
InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=1.7 μm), -3 dB
VR=0 V, RL=50 Ω
InGaAs (λc=2.55 μm), -3 dB
VR=0 V, RL=50 Ω
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=0 V
f=1 MHz
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=0 V
f=1 MHz
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp
InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp
Min.
0.85
0.7
-
Typ.
0.9 ～ 1.7
1.7 ～ 2.55
1.55
2.1
0.95
1.0
1
0.7
Max.
10
3.5
1
2
-
2
6
-
-
1.5
2.5
-
0.5
1
1
2.8
12
1 × 10
10
2 × 10
10
14
12
5 × 10
10
7 × 10
-
単位
μm
μm
A/W
nA
μA
MHz
nF
浜松ホトニクス株式会社
MΩ
kΩ
cm･Hz1/2/W
1
K12729-010K
複合素子
分光感度特性
窓材の分光透過率
(Typ. Ta=25 °C)
1.2
(Typ. Ta=25 °C)
100
98
96
94
0.8
൫ًၚ (%)
਋࢕ۜഽ (A/W)
1.0
InGaAs (λc=2.55 μm)
0.6
0.4
InGaAs (λc=1.7 μm)
92
90
88
86
84
0.2
82
0
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
80
0.9 IJįı 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
෨ಿ (μm)
෨ಿ (μm)
KIRDB0479JB
KIRDB0606JA
感度の温度特性
暗電流－逆電圧
(Typ. VR=0 V, Ta=15∼65 °C)
2.0
1.5
100 μA
InGaAs (λc=1.7 μm)
1.0
10 μA
0.5
ճഩၠ
ۜഽ͈‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
(Typ. Ta=25 °C)
1 mA
0
-0.5
InGaAs (λc=2.55 μm)
1 μA
100 nA
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
10 nA
-1.0
1 nA
-1.5
-2.0
0.9 IJįı IJįIJ IJįij 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
100 pA
0.01
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
෨ಿ (μm)
KIRDB0495JB
KIRDB0603JA
2
K12729-010K
複合素子
端子間容量－逆電圧
並列抵抗－素子温度
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 nF
(Typ. VR=10 mV)
10 GΩ
1 GΩ
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=1.7 μm)
100 MΩ
10 MΩ
໼Ⴅ೷ࢯ
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nF
100 pF
1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
InGaAs (λc=2.55 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
1 kΩ
100 Ω
10 pF
0.001
0.01
0.1
1
10
10 Ω
-20
0
20
40
60
80
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0604JA
KIRDB0605JA
外形寸法図 (単位: mm)
6.6
2.5
± 0.2
3.3
2.5
਋࢕࿂
InGaAs (λc=1.7 μm)
਋࢕ௗ
Ž


0.9
1.6
2.4
8.0
2.4
7.0 ± 0.1
(0.07)
8.0 ± 0.15
0.8
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
推奨ランドマークパターン (単位: mm)
਋࢕࿂
InGaAs (λ=2.5 μm)
Œ
0.5
3.3
2.5
KIRDC0121JA
2.0 ± 0.2
Œ΃ΕȜΡ
(InGaAs, λc=1.7 μm)
ͺΦȜΡ
Ž
(InGaAs, λc=1.7 μm)
Ž΃ΕȜΡ
Œ
(InGaAs, λc=2.55 μm)

ͺΦȜΡ
(InGaAs, λc=2.55 μm)
2.5 ± 0.2
0.5 ± 0.1
2.0 ± 0.2

2.4 ± 0.3
0.7 ± 0.1
3.7 ± 0.2
2.0 ± 0.2
2.0 ± 0.2
1.4 ± 0.2
8.0
2.5
(0.15)
਋࢕໐ಎ૤պ౾ୈഽ
- 0.3ɅXɅ+ 0.3
- 0.3ɅYɅ+ 0.3
KIRDA0244JA
3
K12729-010K
複合素子
当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例
300
260 °C max
250
‫أ‬ഽ (°C)
200
150
100
50
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550
শ‫ۼ‬ġ(s)
KIRDC0122JA
・ 開封後、本デバイスを温度5～30
°C、湿度60％以下の環境で保管し、4週間以内にリフローはんだ付けを行ってください。
・ リフローはんだ付けの際にデバイスにかかる熱ストレスは、回路基板や使用するリフロー炉によって異なります。
・ リフロー条件を設定する場合、リフローはんだ工程によってデバイスの信頼性が損なわれないことを確認してください。
4
K12729-010K
複合素子
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子／技術資料
・ 赤外線検出素子／用語の解説
本資料の記載内容は、平成26年8月現在のものです。
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ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
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ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
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Cat. No. KIRD1129J02 Aug. 2014 DN
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