k11908-010k kird1116j

複合素子
K11908-010K
波長域の異なる2つのInGaAs PINフォトダイオードを
上下に配置し、広い感度波長範囲を実現
K11908-010Kは、カットオフ波長 1.7 μm・2.55 μmの2つのInGaAs PINフォトダイオードを同一光軸上に配置した複合素
子です。広い感度波長範囲 (0.9~2.55 μm)とともに低ノイズを実現しています。
特長
用途
カットオフ波長 1.7 μm・2.55 μmの2つのInGaAs PINフォト
ダイオードを同一光軸上に配置
放射温度計
広い感度波長範囲: 0.9~2.55 μm
低ノイズ、低暗電流
光計測機器
分光測光
構成
項目
窓材
パッケージ
受光面サイズ
記号
-
条件
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
仕様
硼珪酸ガラス
4ピン TO-5
2.4 × 2.4
φ1.0
単位
-
定格値
2
1
-40 ~ +70
-55 ~ +85
単位
mm
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
条件
InGaAs (λc=1.7 μm), Ta=25 °C
VR max
InGaAs (λc=2.55 μm), Ta=25 °C
Topr
Tstg
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 ℃)
項目
記号
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
受光感度
S
暗電流
ID
遮断周波数
fc
端子間容量
並列抵抗
比検出能力
Ct
Rsh
D*
条件
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
InGaAs (λc=1.7 μm)
InGaAs (λc=2.55 μm)
InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp
InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=1 V
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=0.5 V
InGaAs (λc=1.7 μm), -3 dB
VR=0 V, RL=50 Ω
InGaAs (λc=2.55 μm), -3 dB
VR=0 V, RL=50 Ω
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=0 V
f=1 MHz
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=0 V
f=1 MHz
InGaAs (λc=1.7 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=2.55 μm), VR=10 mV
InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp
InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp
Min.
0.85
0.7
-
Typ.
0.9 ~ 1.7
1.7 ~ 2.55
1.55
2.1
0.95
1.0
5
3
Max.
40
30
1
2
-
2
6
-
-
1.5
2.5
-
0.5
1
1
2.8
1 × 1012
2 × 1010
10
14
5 × 1012
7 × 1010
-
単位
μm
μm
A/W
nA
μA
MHz
nF
浜松ホトニクス株式会社
MΩ
kΩ
cmăHz1/2/W
1
K11908-010K
複合素子
感度の温度特性
分光感度特性
(Typ. Ta=25 °C)
1.2
1.5
1.0
InGaAs (λc=1.7 µm)
ۜഽ͈‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
਋࢕ۜഽ (A/W)
(Typ. VR=0 V, Ta=15∼65 °C)
2.0
0.8
InGaAs (λc=2.55 µm)
0.6
InGaAs (λc=1.7 µm)
0.4
0.2
1.0
0.5
0
-0.5
InGaAs (λc=2.55 µm)
-1.0
-1.5
0
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
-2.0
0.9 IJįı IJįIJ IJįij 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
෨ಿ (µm)
෨ಿ (µm)
KIRDB0495JB
KIRDB0479JB
直線性
暗電流-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C, λ=1.3 µm, RL=2 Ω, VR=0 V)
102
InGaAs (λc=1.7 µm)
100 µA
10 µA
98
ճഩၠ
௖చۜഽ (%)
100
96
(Typ. Ta=25 °C)
1 mA
InGaAs (λc=2.55 µm)
1 µA
100 nA
InGaAs (λc=1.7 µm)
94
10 nA
92
90
1 nA
InGaAs (λc=2.55 µm)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
වৣ࢕ၾ (mW)
100 pA
0.01
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0496JA
KIRDB0480JA
2
K11908-010K
複合素子
端子間容量-逆電圧
並列抵抗-素子温度
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 nF
(Typ. VR=10 mV)
10 GΩ
1 GΩ
InGaAs (λc=1.7 µm)
InGaAs (λc=1.7 µm)
100 MΩ
10 MΩ
໼Ⴅ೷ࢯ
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nF
100 pF
1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
InGaAs (λc=2.55 µm)
1 kΩ
InGaAs (λc=2.55 µm)
100 Ω
10 pF
0.001
0.01
0.1
1
10
10 Ω
-40
-20
0
20
40
60
80
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0481JA
KIRDB0482JA
外形寸法図 (単位: mm)
වৣௗ
ȁ6.3 ± 0.1
8.3 ± 0.2
ȁ0.43
ςȜΡ
30 min.
3.1 ± 0.3
InGaAs (λc=2.55 µm)
4.3 ± 0.3
6.5 ± 0.3
InGaAs (λc=1.7 µm)
0.3 max.
9.1 ± 0.3
5.1 ± 0.2
InGaAs
InGaAs
InGaAs
InGaAs
(λc=1.7 µm) ΃ΕȜΡ
(λc=1.7 µm) ͺΦȜΡ
(λc=2.55 µm) ΃ΕȜΡ
(λc=2.55 µm) ͺΦȜΡ
KIRDA0218JA
3
K11908-010K
複合素子
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
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・ 赤外線検出素子/技術資料
・ 赤外線検出素子/用語の解説
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ུ঩ၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ໺২͈‫ݺ‬ౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭ͥ͂ͬ޺̲̳͘ȃ
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୵ర‫ުא‬ਫ਼
ಆ෨‫ުא‬ਫ਼
൐‫ުאނ‬ਫ਼
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ఱि‫ުא‬ਫ਼
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໛‫ؖ‬ঌฎఉߊฎఉ‫פ‬൐IJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶ‫ٴ‬Ī
ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ
ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ
ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
ࡥఘ‫ުא‬ଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌ൐ߊঌ࿤಴IJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ
Cat. No. KIRD1116J02 May 2012 DN
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