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マイクロパワー
高精度リファレンス電圧
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ピン配置
特長
初期精度: ±0.1% (最大)
最大温度係数: 8 ppm/°C
動作温度範囲: −40°C～+125°C
出力電流: +10 mA ソース/−3 mA シンク
低静止電流: 100 μA (最大)
ロー・ドロップアウト電圧: 2 mA で 250 mV
出力ノイズ(0.1 Hz～10 Hz): 1.2 V で 10 μV p-p (typ)以下
6 ピン SOT-23 パッケージを採用
GND FORCE 1
6
VOUT FORCE
5
VOUT SENSE
GND SENSE 2
TOP VIEW
ENABLE 3 (Not to Scale) 4 VIN
08440-001
ADR34xx
図 1.6 ピン SOT-23
アプリケーション
高精度データ・アクイジション・システム
工業用計装機器
医用機器
バッテリ駆動の機器
概要
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR
3450 は、低価格、低消費電力、高精度の CMOS リファレンス電
圧であり、初期精度±0.1%、低動作電流、低出力ノイズで小型
SOT-23 パッケージを採用しています。高精度を実現するため、
アナログ・デバイセズの特許取得済み DigiTrim®技術を使って
出力電圧と温度係数が最終組み立て時にデジタル的に調整され
ます。
表 2.アナログ・デバイセズのリファレンス電圧選択肢
VOUT
(V)
0.5/1.0
Low Cost/
Low Power
1.2
ADR3412
ADR280
安定性とシステムの信頼性は、デバイスの低出力電圧ヒステリ
シスと低長時間出力電圧ドリフトによりさらに向上します。さ
らに、デバイスの動作電流が小さいため(最大 100 μA)低消費電
力機器での使用が可能で、低出力ノイズはクリティカルな信号
処理システムでの信号インテグリティの維持に役立ちます。
2.048
High Voltage,
High Performance
Ultralow
Power
Low
Noise
ADR130
ADR360
ADR3420
REF191
ADR430
ADR440
2.5
ADR3425
AD1582
ADR361
ADR291
REF192
ADR431
ADR441
ADR03
AD780
これらの CMOS デバイスは広範囲な出力電圧を持ち、全デバイ
スの仕様は−40°C～+125°C の工業用温度範囲で規定されていま
す。
3.0
ADR3430
AD1583
ADR363
REF193
ADR433
ADR06
ADR443
AD780
表 1.セレクション・ガイド
3.3
ADR366
ADR3433
REF196
4.096
ADR3440
AD1584
ADR364
ADR292
ADR434
REF198
ADR444
5.0
ADR3450
AD1585
ADR365
ADR293
REF195
ADR435
ADR445
Model
Output Voltage (V)
Input Voltage Range (V)
ADR3412
ADR3420
ADR3425
ADR3430
ADR3433
ADR3440
ADR3450
1.200
2.048
2.500
3.000
3.300
4.096
5.000
2.3 to 5.5
2.3 to 5.5
2.7 to 5.5
3.2 to 5.5
3.5 to 5.5
4.3 to 5.5
5.2 to 5.5
Rev. B
10.0
ADR02
AD586
ADR01
AD587
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関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
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本
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
目次
特長..................................................................................................... 1
代表的な性能特性 ........................................................................... 12
アプリケーション ............................................................................. 1
用語................................................................................................... 18
ピン配置............................................................................................. 1
動作原理........................................................................................... 19
概要..................................................................................................... 1
長時間安定性 ............................................................................... 19
改訂履歴............................................................................................. 2
消費電力 ....................................................................................... 19
仕様..................................................................................................... 3
アプリケーション情報 ................................................................... 20
ADR3412 の電気的特性 ................................................................ 3
リファレンス電圧の基本接続.................................................... 20
ADR3420 の電気的特性 ................................................................ 4
入力コンデンサと出力コンデンサ............................................ 20
ADR3430 の電気的特性 ................................................................ 6
4 線式ケルビン接続..................................................................... 20
ADR3433 の電気的特性 ................................................................ 7
VINスルーレートの考慮事項...................................................... 20
ADR3450 の電気的特性 ................................................................ 9
シャットダウン/イネーブル機能............................................... 20
絶対最大定格と最小動作条件 ....................................................... 10
アプリケーション例 ................................................................... 21
熱抵抗........................................................................................... 10
外形寸法........................................................................................... 22
ESDの注意 ................................................................................... 10
オーダー・ガイド ....................................................................... 22
ピン配置およびピン機能説明 ........................................................11
改訂履歴
Added Table 4; Renumbered Sequentially ........................................... 4
6/10—Rev. A to Rev. B
Added ADR3412, ADR3420, ADR3433 ............................. Throughout
Changes to Table 1 and Table 2 ............................................................1
Added ADR3440 Electrical Characteristics Section and
Table 5.................................................................................................. 5
Changes to Table 6 ............................................................................... 6
Added ADR3412 Electrical Characteristics Section
and Table 3 ...........................................................................................3
Added ADR3420 Electrical Characteristics Section
and Table 4 ...........................................................................................4
Added ADR3433 Electrical Characteristics Section and
Table 7, Renumbered Subsequent Tables..............................................7
Replaced Figure 5 Through Figure 7 ..................................................12
Replaced Figure 11 Through Figure 13 ..............................................13
Changes to Figure 2.............................................................................. 8
Changes to Figure 4 and Figure 5......................................................... 9
Changes to Figure 11.......................................................................... 10
Changes to Figure 36 and Figure 37 Caption ..................................... 14
Changes to Figure 39 and Theory of Operation Section..................... 16
Changes to Figure 40 and Figure 41................................................... 17
Changes to Negative Reference Section, Boosted Output Current
Reference Section, Figure 43, and Figure 44...................................... 18
Changes to Ordering Guide ................................................................ 19
4/10—Rev. 0 to Rev. A
Added ADR3430 and ADR3440............................................. Universal
Changes to Table 1, Table 2, and Figure 1 ............................................1
Changes to Table 3 ...............................................................................3
3/10—Revision 0: Initial Version
Added ADR3430 Electrical Characteristics Section .............................4
Rev. B
－ 2/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
仕様
ADR3412 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 2.3 V～5.5 V、TA = 25°C、ILOAD = 0 mA。
表 3.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
1.1988
1.2000
1.2012
V
±0.1
±1.2
%
mV
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
8
ppm/°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
VIN = 2.3 V to 5.5 V
VIN = 2.3 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
7
50
160
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 2.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 2.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
14
30
ppm/mA
7
50
ppm/mA
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
VIN = 2.8 V to 5.5 V
VIN = 2.8 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE > VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE < 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
1
1
1.1
1.15
V
V
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.85
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
8
28
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
0.6
μV/√Hz
IL = 0 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
100
μs
1
2
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 3/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3420 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 2.3 V～5.5 V、TA = 25°C、ILOAD = 0 mA。
表 4.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.0459
2.0480
2.0500
V
±0.1
±2.048
%
mV
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
8
ppm/°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
VIN = 2.3 V to 5.5 V
VIN = 2.3 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
7
50
160
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 2.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 2.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
12
30
ppm/mA
7
50
ppm/mA
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
VIN = 2.8 V to 5.5 V
VIN = 2.8 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE > VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE < 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
100
150
250
300
mV
mV
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.85
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
15
38
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
0.9
μV/√Hz
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
400
μs
1
2
IL = 0 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 4/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3425 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 2.7 V～5.5 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 5.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.4975
2.500
2.5025
V
±0.1
±2.5
%
mV
2.5
8
ppm/°C
VIN = 2.7 V to 5.5 V
VIN = 2.7 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
5
50
120
ppm/V
ppm/V
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 3.0 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 3.0 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
10
30
ppm/mA
10
50
ppm/mA
VIN = 3.0 V to 5.5 V
VIN = 3.0 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE ≥ VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE ≤ 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
50
75
200
250
mV
mV
ENABLE = VIN, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
1
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
18
42
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
1
µV/√Hz
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
600
μs
1
2
IL = 0 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 5/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3430 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 3.2 V～5.5 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 6.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.9970
3.0000
3.0030
V
±0.1
±3.0
%
mV
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
2.5
8
ppm/°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
VIN = 3.2 V to 5.5 V
VIN = 3.2 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
5
50
120
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 3.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 3.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
9
30
ppm/mA
10
50
ppm/mA
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
VIN = 3.5 V to 5.5 V
VIN = 3.5 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE ≥ VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE ≤ 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
50
75
200
250
mV
mV
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
ENABLE = VIN, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.85
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
22
45
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE DENSITY
en
f = 1 kHz
1.1
µV/√Hz
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
700
μs
1
2
IL = 0 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 6/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3433 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 3.5 V～5.5 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 7.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
3.2967
3.30
3.3033
V
±0.1
±3.3
%
mV
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
8
ppm/°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
VIN = 3.5 V to 5.5 V
VIN = 3.5 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
5
50
120
ppm/V
ppm/V
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 3.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 3.8 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
9
30
ppm/mA
10
50
ppm/mA
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
VIN = 3.8 V to 5.5 V
VIN = 3.8 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE > VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE < 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
50
75
200
250
mV
mV
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.85
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
25
46
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
1.2
μV/√Hz
IL = 0 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
-60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
750
μs
1
2
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 7/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3440 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 4.3 V～5.5 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 8.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
4.0919
4.0960
4.1000
V
±0.1
±4.096
%
mV
2.5
8
ppm/°C
VIN = 4.3 V to 5.5 V
VIN = 4.3 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
3
50
120
ppm/V
ppm/V
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 4.6 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 4.6 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
6
30
ppm/mA
15
50
ppm/mA
VIN = 4.6 V to 5.5 V
VIN = 4.6 V to 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE ≥ VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE ≤ 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
200
250
mV
mV
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
29
53
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
1.4
µV/√Hz
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−60
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
800
μs
1
2
IL = 0 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
50
75
0
VIN × 0.85
ENABLE = VIN, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 8/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ADR3450 の電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 5.2 V～5.5 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 9.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
VOUT
INITIAL ACCURACY
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
4.9950
5.0000
5.0050
V
±0.1
±5.0
%
mV
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCVOUT
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
2.5
8
ppm/°C
LINE REGULATION
ΔVO/ΔVIN
VIN = 5.2 V to 5.5 V
VIN = 5.2 V to 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
3
50
120
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION
Sourcing
ΔVO/ΔIL
IL = 0 mA to 10 mA,
VIN = 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 0 mA to −3 mA,
VIN = 5.5 V, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
3
30
ppm/mA
19
50
ppm/mA
Sinking
OUTPUT CURRENT CAPACITY
Sourcing
Sinking
IL
QUIESCENT CURRENT
Normal Operation
IQ
VIN = 5.5 V
VIN = 5.5 V
10
−3
mA
mA
ENABLE ≥ VIN × 0.85
ENABLE = VIN, −40°C ≤ TA ≤ +125°C
ENABLE ≤ 0.7 V
Shutdown
85
100
5
μA
μA
μA
50
75
200
250
mV
mV
0.7
VIN
3
V
V
μA
DROPOUT VOLTAGE1
VDO
ENABLE PIN
Shutdown Voltage
ENABLE Voltage
ENABLE Pin Leakage Current
VL
VH
IEN
ENABLE = VIN, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
1
OUTPUT VOLTAGE NOISE
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 10 Hz to 10 kHz
35
60
μV p-p
μV rms
OUTPUT VOLTAGE NOISE
DENSITY
en
f = 1 kHz
1.5
µV/√Hz
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS2
ΔVOUT_HYS
TA = +25°C to −40°C to +125°C to +25°C
70
ppm
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
fIN = 60 Hz
−58
dB
LONG-TERM STABILITY
ΔVOUT_LTD
1000 hours at 50°C
30
ppm
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CIN = 0.1 μF, CL = 0.1 μF, RLoad = 1 kΩ
900
µs
1
2
IL = 0 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
IL = 2 mA, TA = −40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
VIN × 0.85
VOUT で最小精度 0.1%を維持するための VIN と VOUT との間の最小電位差を意味します。 用語のセクションを参照してください。
用語のセクションを参照してください。 記載する温度順でデバイスに温度サイクルを実施します。
Rev. B
－ 9/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
絶対最大定格と最小動作条件
特に指定のない限り、TA = 25 °C。
熱抵抗
表 10.
Parameter
Rating
Supply Voltage
ENABLE to GND SENSE Voltage
VIN Minimum Slew Rate
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Junction Temperature Range
6V
VIN
0.1 V/ms
−40°C to +125°C
−65°C to +125°C
−65°C to +150°C
θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージ
の場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。
表 11.熱抵抗
Package Type
θJA
θJC
Unit
6-Lead SOT-23 (RJ-6)
230
92
°C/W
ESDの注意
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
Rev. B
－ 10/22 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
GND FORCE 1
6
VOUT FORCE
5
VOUT SENSE
ADR34xx
GND SENSE 2
TOP VIEW
ENABLE 3 (Not to Scale) 4 VIN
08440-002
ピン配置およびピン機能説明
図 2.ピン配置
表 12.ピン機能の説明
ピン番号
記号
説明
1
GND FORCE
グラウンド・フォース接続 1。
2
GND SENSE
グラウンド電圧センス接続。アプリケーション内で最も電位の低い点に直接接続してください 1。
3
ENABLE
イネーブル接続。デバイスをイネーブルまたはディスエーブルします。
4
VIN
入力電圧接続。
5
VOUT SENSE
リファレンス電圧出力センス接続。負荷デバイスの電圧入力へ直接接続してください 1。
6
VOUT FORCE
リファレンス電圧出力 1。
1
フォース/センスの接続については、アプリケーション情報のセクションを参照してください。
Rev. B
－ 11/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
代表的な性能特性
特に指定のない限り、TA = 25 °C。
5.0025
VIN = 5.5V
5.0015
2.5004
5.0010
OUTPUT VOLTAGE (V)
2.5006
2.5002
2.5000
2.4998
2.4996
5.0005
5.0000
4.9995
4.9990
2.4994
4.9985
2.4992
4.9980
2.4990
–40
–25
–10
VIN = 5.5V
5.0020
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (ºC)
4.9975
–40
08440-003
40
45
35
40
NUMBER OF DEVICES
NUMBER OF DEVICES
20
35
50
65
80
95
110
125
35
25
20
15
10
30
25
20
15
10
5
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
TEMPERATURE COEFFICIENT (ppm/°C)
10
11
0
08440-005
0
0
1
16
IL = 0mA TO +10mA
SOURCING
30
14
12
10
8
6
08440-053
4
2
0
–40
5
6
7
8
9
10 MORE
–25
–10
5
20
35
50
65
TEMPERATURE (°C)
80
95
110
25
図 5.負荷レギュレーションの温度特性(ソーシング)
IL = 0mA TO –3mA
SINKING
20
15
10
5
–40
125
ADR3412
ADR3420
ADR3425
ADR3430
ADR3433
ADR3440
ADR3450
08440-054
18
4
35
ADR3412
ADR3420
ADR3425
ADR3430
ADR3433
ADR3440
ADR3450
LOAD REGULATION (ppm/mA)
20
3
図 7.ADR3450 温度係数分布
24
22
2
TEMPERATURE COEFFICIENT (ppm/°C)
図 4.ADR3425 温度係数分布
LOAD REGULATION (ppm/mA)
5
図 6.ADR3450 出力電圧の温度特性
30
Rev. B
–10
TEMPERATURE (ºC)
図 3.ADR3425 出力電圧の温度特性
0
–25
08440-006
OUTPUT VOLTAGE (V)
2.5008
–25
–10
5
20
35
50
65
TEMPERATURE (°C)
80
95
110
125
図 8.負荷レギュレーションの温度特性(シンキング)
－ 12/22 －
08440-004
2.5010
1.20
400
1.15
350
DIFFERENTIAL VOLTAGE (mV)
1.10
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +125°C
1.00
0.95
0.90
–2
–1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
200
150
100
0
–3
10
–2
–1
0
1
図 9.ADR3412 負荷電流対ドロップアウト電圧
4
5
6
7
8
10
125
350
400
–40°C
+25°C
+125°C
300
300
DIFFERENTIAL VOLTAGE (mV)
350
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +125°C
250
200
150
100
50
250
200
150
100
08440-057
50
0
–2
–1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
–3
10
–2
–1
0
1
図 10.ADR3420 負荷電流対ドロップアウト電圧
LINE REGULATION (ppm/V)
VIN = 2V/DIV
CIN = COUT = 0.1µF
RL = 1kΩ
2
VOUT = 500mV/DIV
08440-055
1
M100µs
4
5
6
7
8
9
140
120
CH2 2.00V
3
図 13. ADR3450 負荷電流対ドロップアウト電圧
FREQUENCY GEN = 1Hz
CH1 500mV
2
LOAD CURRENT (mA)
LOAD CURRENT (mA)
A CH2
100
ADR3412
ADR3420
ADR3425
ADR3430
ADR3433
ADR3440
ADR3450
80
60
40
20
2.36V
0
–40 –25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
TEMPERATURE (°C)
図 11.ADR3412 スタートアップ(ターンオン・セトリング)時間
Rev. B
10
9
図 12.ADR3425 負荷電流対ドロップアウト電圧
450
DIFFERENTIAL VOLTAGE (mV)
3
LOAD CURRENT (mA)
LOAD CURRENT (mA)
–50
–3
2
08440-015
0.80
–3
250
50
08440-056
0.85
300
08440-016
1.05
–40°C
+25°C
+125°C
08440-052
DIFFERENTIAL VOLTAGE (V)
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
図 14.ライン・レギュレーションの温度特性
－ 13/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
1
08440-028
10µV/DIV
TIME = 1s/DIV
CH1 pk-pk = 18µV
CL = 1.1µF
CIN = 0.1µF
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
CH1 RMS = 3.14µV
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
図 15.ADR3425 出力電圧ノイズ(0.1 Hz～10 Hz)
08440-025
RIPPLE REJECTION RATIO (dB VOUT/VIN)
0
図 18.ADR3425 リップル除去比の周波数特性
CIN = CL = 0.1µF
RL = ∞
1
VIN = 2V/DIV
1
100µV/DIV
TIME = 200µs/DIV
08440-030
08440-029
TIME = 1s/DIV
CH1 pk-pk = 300µV
2
VOUT = 1V/DIV
CH1 RMS = 42.0µV
図 16.ADR3425 出力電圧ノイズ(10 Hz～10 kHz)
図 19.ADR3425 スタートアップ応答
12
ENABLE
8
6
1
4
VOUT = 1V/DIV
2
TIME = 200µs/DIV
0
0.1
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
08440-023
2
図 17.ADR3425 出力ノイズ・スペクトル密度
Rev. B
VENABLE = 1V/DIV
VIN = 3.0v
CIN = CL = 0.1µF
RL = ∞
08440-031
NOISE DENSITY (µVp-p /√Hz)
10
図 20.ADR3425 のシャットダウンからのリスタート応答
－ 14/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
1
08440-032
10µV/DIV
CH1 pk-pk = 33.4µV
CL = 1.1µF
CIN = 0.1µF
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
CH1 RMS = 5.68µV
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
図 21.ADR3450 出力電圧ノイズ(0.1 Hz～10 Hz)
08440-026
RIPPLE REJECTION RATIO (dB VOUT/VIN)
0
図 24.ADR3450 リップル除去比の周波数特性
CIN = 0µF
CL = 0.1µF
RL = ∞
VIN
2V/DIV
1
1
VOUT
2V/DIV
100µV/DIV
08440-034
08440-033
CH1 pk-pk = 446µV
TIME = 200µs/DIV
2
CH1 RMS = 60.3µV
図 22.ADR3450 出力電圧ノイズ(10 Hz～10 kHz)
図 25.ADR3450 スタートアップ応答
12
ENABLE
8
1
6
VOUT = 2V/DIV
4
2
TIME = 200µs/DIV
0
0.1
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
08440-024
2
図 26.ADR3450 のシャットダウンからのリスタート応答
図 23.ADR3450 出力ノイズ・スペクトル密度
Rev. B
VENABLE = 2V/DIV
VIN = 5.5V
CIN = CL = 0.1µF
RL = ∞
08440-035
NOISE DENSITY (µVp-p/√Hz)
10
－ 15/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
ENABLE
2V/DIV
ENABLE
1V/DIV
CIN = CL = 0.1µF
VIN = 5V
RL = 1kΩ
CIN = CL = 0.1µF
VIN = 3V
RL = 1kΩ
VOUT = 1V/DIV
2
08440-036
2
TIME = 200µs/DIV
VOUT = 2V/DIV
TIME = 200µs/DIV
図 30.ADR3450 シャットダウン応答
図 27.ADR3425 シャットダウン応答
VIN = 100mV/DIV
3.2V
5.5V
CIN = CL = 0.1µF
2.7V
500mV/DIV
08440-039
1
1
1
CIN = CL = 0.1µF
5.2V
2
VOUT = 10mV/DIV
2
TIME = 1ms/DIV
1
TIME = 1ms/DIV
図 31.ADR3450 ライン過渡応答
図 28.ADR3425 ライン過渡応答
IL
SOURCING
IL
08440-040
08440-037
VOUT = 5mV/DIV
+10mA
SOURCING
SINKING
SINKING
+10mA
–3mA
SINKING
SINKING
–3mA
CIN = 0.1µF
CL = 0.1µF
RL = 500Ω
CIN = 0.1µF
CL = 0.1µF
RL = 250Ω
5.0V
2.5V
08440-038
TIME = 1ms/DIV
TIME = 1ms/DIV
図 32.ADR3450 負荷過渡応答
図 29.ADR3425 負荷過渡応答
Rev. B
－ 16/22 －
08440-041
VOUT = 20mV/DIV
VOUT = 20mV/DIV
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
7
100
90
VIN = 5.5 V
6
NUMBER OF DEVICES
SUPPLY CURRENT (µA)
80
70
60
50
40
30
5
4
3
2
20
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
0
125
TEMPERATURE (°C)
08440-043
–25
–0.050
–0.045
–0.040
–0.035
–0.030
–0.025
–0.020
–0.015
–0.010
–0.005
0
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
0.045
0.050
0.055
0
–40
1
08440-042
10
RELATIVE SHIFT IN VOUT (%)
図 33.電源電流の温度特性
図 36.リフロー後の出力電圧ドリフト分布(SHR ドリフト)
2.0
8
1.6
7
6
1.2
1.0
0.8
0.6
5
4
3
0.4
2
0.2
1
20
30
40
10
–10
0
0
–20
100
–40
–30
90
–50
80
–60
70
–70
60
–80
50
–90
40
–110
30
ENABLE VOLTAGE (% of VIN)
–100
20
–120
10
–150
0
08440-008
0
08440-044
NUMBER OF DEVICES
1.4
–140
–130
SUPPLY CURRENT (mA)
TA = +25°C → +150°C → –50°C → +25°C
–40°C
+25°C
+125°C
1.8
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS (ppm)
図 34.ENABLE ピン電圧対電源電流
図 37.ADR3450 の出力電圧熱ヒステリシスの分布
10
OUTPUT IMPEDANCE (Ω)
1
0.1
0.1
1
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
20
0
–20
–40
–60
0
200
400
600
800
ELAPSED TIME (Hours)
図 38.ADR3450 長時間出力電圧ドリフト
(4 個のデバイス、1000 時間)
図 35.ADR3450 出力インピーダンスの周波数特性
Rev. B
40
–80
08440-027
0.01
0.01
60
08440-045
LONG-TERM OUTPUT VOLTAGE DRIFT (ppm)
80
CL = 0.1µF
CL = 1.1µF
－ 17/22 －
1000
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
用語
V OUT _ HYS  V OUT (25C)  V OUT _ TC [V]
ドロップアウト電圧(VDO)
ドロップアウト電圧は電源電圧ヘッドルームまたは電源出力電
圧差と呼ばれることもあり、出力電圧が 0.1%精度以内に維持さ
れるために必要とされる、入力と出力との間の最小電圧差とし
て定義され、次式で表されます。
V OUT _ HYS 
ドロップアウト電圧はデバイスを流れる電流に依存するため、
常に、与えられた負荷電流に対して規定されます。シリーズ・
モード・デバイスでは、ドロップアウト電圧は負荷電流に比例
して増加します(図 8 と図 14 参照)。
V OUT (T 2 )  (T 3  T1 )
V OUT _ LTD  V OUT (t 1 )  V OUT (t 0 ) [V]

V OUT _ LTD 
10 6 [ ppm / C]
(1)
ここで、
VOUT(T)は温度 T での出力電圧。
T1 = −40°C。
T2 = +25°C。
T3 = +125°C。
この 3 点法を使うと、デバイス出力電圧を測定した 3 点間の最
大温度差を TCVOUT により正確に表すことができます。
ADR3412/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ ADR3440/ADR3450 の
TCVOUT は、統計的な方法で保証されます。これは、温度に対し
て多数のユニットの出力電圧データを記録し、式 1 を使って各
デバイスの TCVOUT を計算し、標準偏差 6 (6σ)で拡張したすべて
のデバイスに対する平均 TCVOUT として最大 TCVOUT 値を決定す
ることにより実施されます。
出力電圧熱ヒステリシス(∆VOUT_HYS)
出力電圧熱ヒステリシスとは、デバイスに規定の温度サイクル
を実施した後の出力電圧変化を意味します。これは、電圧シフ
トまたは公称出力からの ppm 差で表されます。
Rev. B
 10 6 [ppm]
長時間安定性(∆VOUT_LTD)
長時間安定性は、1000 時間 50°C 環境で動作させた後の 50°C で
の出力電圧のシフトを表します。周囲温度を 50°C に維持して、
恒温槽で加熱と冷却がランダムに切り替えられないようにします。
切り替わると 1000 時間の測定で不安定性が生じます。これも、
電圧シフトまたは公称出力からの ppm 差で表されます。
温度係数(TCVOUT)
25°C での出力電圧で正規化したデバイス周囲温度変化に対する
出力電圧の変化。このパラメータは ppm/°C で表され、次式で
定義することができます。
TCV OUT 
V OUT (25C)
ここで、
VOUT(25°C)は 25°C での出力電圧。
VOUT_TC は温度サイクル後の出力電圧。
VDO = (VIN − VOUT)min | IL =一定
max{V OUT (T1 , T 2 , T 3 )} min{V OUT (T1 , T 2 , T 3 )}
V OUT (25C)  V OUT _ TC
V OUT (t 1 )  V OUT (t 0 )
V OUT (t 0 )
 10 6 [ppm]
ここで、
VOUT(t0)は 50°C、時間 0 での VOUT。
VOUT(t1)は 50°C で 1000 時間動作後の 50°C での VOUT。
ライン・レギュレーション
ライン・レギュレーションは、入力電圧の与えられた変化に対
応する出力電圧の変化を表し、入力電圧変化あたりの%値、
ppm 値、または μV 値で表されます。このパラメータは自己発
熱の影響も含みます。
負荷レギュレーション
負荷レギュレーションは、負荷電流の与えられた変化に対応す
る出力電圧の変化を表し、mA あたりの μV 値、mA あたりの
ppm 値、または DC 出力抵抗の Ω 値で表されます。このパラメ
ータは自己発熱の影響も含みます。
ハンダ熱抵抗(SHR)ドリフト
SHR ドリフトは、リフロー・ハンダ処理により発生する出力電
圧の永久的なシフトを意味し、ppm 値で表します。これは、高
温になったパッケージ材料によりチップに発生するストレス変
化から生じます。鉛フリーのハンダ処理ではリフロー温度が高
くなるためこの影響は大きくなります。
－ 18/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
動作原理
VIN
ENABLE
BAND GAP
VOLTAGE
REFERENCE
長時間安定性
ADR34xx リファレンスの重要なパラメータの 1 つは長時間安定
性です。出力電圧に無関係に、開発時の内部テストでは 50°C 環
境での無負荷動作で、連続 1000 時間後の代表値ドリフトは約
30 ppm を示していました。
VBG
VOUT FORCE
VOUT SENSE
RFB1
GND FORCE
GND SENSE
08440-046
RFB2
図 39.ブロック図
ADR3412/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ ADR3450 では
特許取得済みのリファレンス電圧アーキテクチャを採用して、
CMOS 製造プロセスで高精度、低温度係数(TC)、低ノイズを実
現しています。すべてのバンド・ギャップ・リファレンスと同
様に、このリファレンスでは逆向きの TC を持つ 2 つの電圧を
組み合わせて、周囲温度にほぼ依存しない出力電圧を発生して
います。ただし、従来型バンド・ギャップ・リファレンス電圧
とは異なり、バイポーラ・トランジスタのベース―エミッタ間
電圧 VBE を 0 K に外挿するのではなく室温での VBE を使用して、
温度に依存しないリファレンス電圧を発生しています(0 K での
バイポーラ・トランジスタの VBE はほぼ VG0 に等しく、この
VG0 はシリコンのバンド・ギャップ電圧です)。これに、対応す
る正の TC 電圧を VBE 電圧に加算して、負の TC を補償していま
す。
この技術の重要な利点は、初期精度と TC の調整は、互いに独
立に行うことができるため、温度に対する全体精度が向上する
ことです。曲率補正技術を使うとさらに温度変動を小さくする
ことができます。
次に、バンド・ギャップ電圧(VBG)をバッファ/増幅して、安定
な出力電圧 2.5 V と 5.0 V を発生します。出力バッファは、最大
10 mA のソース負荷電流と最大−3 mA のシンク負荷電流を流す
ことができます。
ADR34xx ファミリーでは、アナログ・デバイセズの特許取得済
み DigiTrim 技術を利用して高い初期精度と低い TC を実現し、
さらに高精度レイアウト技術により非常に低い長時間ドリフト
と熱ヒステリシスを可能にしています。
Rev. B
長時間安定性はデザインによって補償されるのではなく、かつ
デバイス出力は何時でも(特に最初の 200 時間動作では)30 ppm
のtyp仕様を超えてシフトすることを理解することは重要です。
長時間にわたり安定な出力電圧を必要とするシステムの場合、
デバイスの使用前にバーンインを行なって時間に対するリファ
レンス出力ドリフトを小さくすることを検討してください。長
時間ドリフトの影響と小さくする方法については、
http://www.analog.com/jpから提供しているAN-713 アプリケーショ
ン・ノート「㟁ᅽࣜࣇ࢓ࣞࣥࢫࡢ㛗ᮇࢻࣜࣇࢺ࡟ࡘ࠸࡚」を参照
してください。
消費電力
ADR34xx リファレンス電圧は、定格入力電圧範囲と室温で最大
10 mA の負荷電流を供給することができますが、周囲温度の高
いアプリケーションで使用する場合は、入力電圧と負荷電流を
注意深くモニタして、デバイスの最大消費電力定格を超えない
ようにする必要があります。デバイスの最大消費電力は次式で
計算することができます。
PD 
TJ  TA
 JA
[W ]
ここで、
PD はデバイスの消費電力。
TJ はデバイスのジャンクション温度。
TA は周囲温度。
θJA はパッケージ熱抵抗(ジャンクション―周囲間)。
この関係があるため、高温での許容負荷電流はデバイスの最大
電流ソーシング能力より小さくなります。如何なる場合でもデ
バイスを最大電力定格の外側で動作させることはできません。
動作させると、デバイスに永久的な故障または損傷を与えます。
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ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
アプリケーション情報
これらの電圧は内部アンプへ帰還され、電流が流れる出力ライ
ンとグラウンド・ラインの電圧降下を自動的に補正するのに使
用され、負荷の両端で正確な出力電圧が得られます。最適性能
を得るためには、センス接続を出力電圧の最も正確な負荷点に
直接接続する必要があります。アプリケーション例については
図 41 を参照してください。
リファレンス電圧の基本接続
VIN
VOUT FORCE 6
3
ENABLE
VOUT SENSE 5
0.1µF
ADR34xx
GND SENSE 2
GND FORCE 1
VOUT
2.5V
0.1µF
OUTPUT CAPACITOR(S) SHOULD
BE MOUNTED AS CLOSE
TO VOUT FORCE PIN AS POSSIBLE.
0.1µF
VIN
図 40.リファレンス電圧の基本接続
図 40 の回路に、ADR34xx リファレンス電圧の基本接続を示し
ます。バイパス・コンデンサは、次のガイドラインに従って接
続する必要があります。
1µF
0.1µF
4 V
IN
VOUT FORCE 6
3 ENABLE
VOUT SENSE 5
ADR34xx
LOAD
SENSE CONNECTIONS
SHOULD CONNECT AS
CLOSE TO LOAD
DEVICE AS POSSIBLE.
GND SENSE 2
入力コンデンサと出力コンデンサ
GND FORCE 1
電源電圧が変動するアプリケーションで過渡応答を向上させる
ために、1 μF～10 μF の電解またはセラミック・コンデンサを入
力に接続することができます。高周波電源ノイズを減らすため
に、0.1 μF のセラミック・コンデンサを並列に追加接続する必
要があります。
最小 0.1 μF のセラミック・コンデンサを出力に接続すると、安
定性を向上させ、高周波ノイズを除去することに役立ちます。
負荷電流の突然の変化に対する過渡性能を改善するために、1
μF～10 μF の電解またはセラミック・コンデンサを並列に追加
接続することができますが、デバイスのターンオン時間が大き
くなることに注意する必要があります。
最適な性能と安定性は、低 ESR (例えば 1 Ω 以下)で低インダク
タンスのセラミック・チップ・タイプ出力コンデンサ(X5R、
X7R または同等)により実現することができます。出力に電解コ
ンデンサを使用する場合、0.1 µF のセラミック・コンデンサを
並列接続して出力での全体 ESR を小さくする必要があります。
08440-048
1µF
4
08440-047
VIN
2.7V TO
5.5V
図 41.ケルビン接続を使用したアプリケーション
可能な場合にはケルビン接続を使うことに利点がありますが、
IR 電圧降下が無視できるか、または負荷までのパターンを追加
できないアプリケーションでは、VOUT と GND のフォース・ピ
ンとセンス・ピンを一緒に接続して、デバイスを通常の 3 端子
リファレンスと同じように使用することができます(図 40 参照)。
VINスルーレートの考慮事項
立上がりの遅い入力電圧信号を使用するアプリケーションでは、
リファレンス出力でオーバーシュートまたはその他の過渡異常
が生ずることがあります。また、これらの現象は内部回路の電
源がなくなるためシャットダウン時に発生することもあります。
このような状態を回避するためには、入力電圧波形の立上がり
と立下がりのスルーレートを 0.1 V/ms 以上にする必要がありま
す。
4 線式ケルビン接続
PCB パターンを流れる電流により IR 電圧降下が生じ、長いパ
ターンでは、この電圧降下が数 mV 以上になり、リファレンス
出力電圧で大きな誤差が発生することがあります。1 インチ長
の 1 オンス銅 5mm 幅パターンの抵抗は、室温で約 100 mΩ にな
ります。10 mA の負荷電流で、これは mV の誤差を発生させま
す。理想的なボード・レイアウトでは、リファレンスはできる
だけ負荷の近くに配置して、出力パターンを短くし、電圧降下
による誤差を小さくする必要があります。ただし、これが不可
能または不便なアプリケーションに対しては、IR 電圧降下を小
さくして精度を向上させるために、フォース接続とセンス接続
(ケルビン・センス接続と呼ばれることがあります)が用意され
ています。
ケルビン接続は、出力ノードとグラウンド・ノードへ高インピ
ーダンスの電圧センス・ラインのセットを接続することにより
機能します。これらの接続に流れる電流は非常に小さいため、
これらのパターンで生ずる電圧降下は無視できるので、出力電
圧とグラウンド電圧を正確に検出することができます。
Rev. B
シャットダウン/イネーブル機能
ADR34xx リファレンスは、0.7 V 以下の電圧を ENABLE ピンに
入力して低消費電力シャットダウン・モードに切り替えること
ができます。同様に、ENABLE 電圧を 0.85 × VIN 以上にすると
リファレンスは動作状態になります。シャットダウン時には電
源電流が 5 μA を下回るので、消費電力に厳しいアプリケーショ
ンで役立ちます。
シャットダウン機能を使う場合は、ENABLE ピン電圧が 0.7 V
～0.85 × VIN の範囲内に入らないようにする必要があります。こ
の範囲に入ると、デバイスの電源電流が大きくなるためにリフ
ァレンスが起動できなくなってしまいます(図 34 参照)。シャッ
トダウン機能を使わない場合は、ENABLE ピンを VIN ピンへ接
続して、リファレンスを連続動作させたままにします。
－ 20/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
VIN
アプリケーション例
4 V
IN
+5V
VOUT FORCE 6
R1
10kΩ
3 ENABLE V
5
OUT SENSE
負のリファレンス電圧
1µF
0.1µF
ADR3450
図 42 に、負 の リ フ ァ レ ン ス 電 圧 を 得 る た め に ADR3450 と
AD8663 のような標準CMOSオペアンプを接続する方法を示しま
す。この構成には 2 つの利点があります。1 つ目は 2 個のデバ
イスのみが必要で、余分なボード・スペースが不要なことです。
2 つ目はさらに重要で、外付け抵抗が不要なことです。これは、
精度を保証するために低温度係数を持つ高価な部品の選択にこ
の回路の性能が依存しないことを意味します。
0.1µF
R2
10kΩ
GND SENSE 2
GND FORCE 1
+15V
3
VIN
ENABLE VOUT SENSE 5
ADR3450
GND SENSE 2
–15V
AD8663
VOUT FORCE 6
–5V
図 43.ADR3450 によるバイポーラ出力リファレンス電圧
0.1µF
–VDD
GND FORCE 1
0.1µF
ブースト付き出力電流リファレンス電圧
図 42.ADR3450 による負リファレンス電圧
この構成では、リファレンスの VOUT ピンは仮想グラウン電位に
あるため、負リファレンス電圧と負荷電流はオペアンプ出力か
ら直接取り出されます。負電源電圧がリファレンス出力電圧に
近いアプリケーションでは、両電源を使用する低オフセットの
レール to レール出力アンプを使って正確な出力電圧を保証する
必要があることに注意してください。また、オペアンプはアプ
リケーションに対して適切な大きさの電流をソースまたはシン
クできる必要があります。
図 44 に、精度を犠牲にすることなく ADR34xx リファレンスの
電流駆動能力を高くする構成を示します。オペアンプは、VOUT
がリファレンス出力電圧に一致するまで MOSFET を流れる電流
をレギュレーションします。次に、電流はリファレンス自体か
らではなく VIN から直接得られるため、電流駆動能力が大きく
なります。
VIN
4
3
バイポーラ出力リファレンス電圧
Rev. B
VOUT FORCE 6
VIN
ENABLE
VOUT SENSE 5
1µF 0.1µF
ADR34xx
図 43 にバイポーラ・リファレンス構成を示します。ADR3450 出
力をオペアンプの反転端子に接続すると、正と負のリファレン
ス電圧を得ることができます。負出力と正出力の間の差を小さ
くするためには、R1 と R2 はできるだけ一致している必要があ
ります。また、温度が大きく変わる環境でこの回路を使用する
場合には、低温度係数を持つ抵抗を使用する必要があります。そ
の他の場合は、周囲温度の変化に応じて 2 つの出力間に電位差
が生じます。
+16V
U6
R1
100Ω
2N7002
AD8663
VOUT
0.1µF
RL
200Ω
CL
0.1µF
GND SENSE 2
GND FORCE 1
08440-051
4
08440-049
0.1µF
08440-050
R3
5kΩ
+VDD
1µF
–5V
ADA4000-1
図 44.ブースト付き出力電流リファレンス電圧
この回路の電流ソーシング能力は MOSFET の ID 定格のみに依
存するため、適切な MOSFET を選択するだけでアプリケーショ
ンに合わせて出力駆動能力を調整することができます。すべて
の場合、VOUT SENSE ピンを負荷デバイスに直接接続して、出
力電圧の最大精度を維持する必要があります。
－ 21/22 －
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450
外形寸法
3.00
2.90
2.80
1.70
1.60
1.50
6
5
4
1
2
3
PIN 1
INDICATOR
3.00
2.80
2.60
0.95 BSC
1.90
BSC
0.15 MAX
0.05 MIN
1.45 MAX
0.95 MIN
0.50 MAX
0.30 MIN
0.20 MAX
0.08 MIN
SEATING
PLANE
10°
4°
0°
0.55
0.45
0.35
0.60
BSC
121608-A
1.30
1.15
0.90
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-AB
図 45.6 ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ(SOT-23)
(RJ-6)
寸法: mm
オーダー・ガイド
Model1
ADR3412ARJZ-R2
ADR3412ARJZ-R7
Output Voltage (V)
1.200
1.200
Temperature Range
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
Package Description
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
Package Option
RJ-6
RJ-6
ADR3420ARJZ-R2
ADR3420ARJZ-R7
2.048
2.048
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
ADR3425ARJZ-R2
ADR3425ARJZ-R7
2.500
2.500
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
ADR3430ARJZ-R2
ADR3430ARJZ-R7
3.000
3.000
ADR3433ARJZ-R2
ADR3433ARJZ-R7
Ordering
Quantity
250
3,000
Branding
R2R
R2R
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R2V
R2V
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R2X
R2X
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R2Z
R2Z
3.300
3.300
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R31
R31
ADR3440ARJZ-R2
ADR3440ARJZ-R7
4.096
4.096
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R33
R33
ADR3450ARJZ-R2
ADR3450ARJZ-R7
5.000
5.000
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
6-Lead SOT-23
6-Lead SOT-23
RJ-6
RJ-6
250
3,000
R34
R34
1
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. B
－ 22/22 －