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非常に低ノイズで低入力バイアス電流の
広帯域高精度JFETオペアンプ
AD8510/AD8512/AD8513
ピン配置
–IN 2
AD8510
8
NC
NULL 1
7
V+
–IN 2
TOP VIEW
6 OUT
(Not to Scale)
V– 4
5 NULL
02729-003
NC = NO CONNECT
–IN A 2
AD8512
8
V+
7
OUT B
TOP VIEW
6 –IN B
(Not to Scale)
V– 4
5 +IN B
+IN A 3
図 2.8 ピン SOIC_N
(R サフィックス)
OUT A 1
–IN A 2
02729-001
OUT A 1
計装機器
多極フィルタ
高精度電流計測
フォトダイオード・アンプ
センサー
オーディオ
図 3.8 ピン MSOP
(RM サフィックス)
+IN A 3
V– 4
13 –IN D
–IN A 2
+IN A 3
12 +IN D
+IN A 3
–IN C
8
OUT C
図 5.14 ピン SOIC_N
(R サフィックス)
02729-005
9
OUT B
14 OUT D
13 –IN D
AD8513
12 +IN D
11 V–
TOP VIEW
+IN B 5 (Not to Scale) 10 +IN C
11 V–
TOP VIEW
+IN B 5 (Not to Scale) 10 +IN C
–IN B 6
V+
7
V+ 4
V+ 4
OUT B 7
8
TOP VIEW
6 –IN B
(Not to Scale)
5 +IN B
OUT A 1
–IN A 2
AD8513
AD8512
図 4.8 ピン SOIC_N
(R サフィックス)
14 OUT D
OUT A 1
7
+IN 3
図 1.8 ピン MSOP
(RM サフィックス)
アプリケーション
NC
V+
TOP VIEW
6 OUT
(Not to Scale)
5 NULL
V– 4
+IN 3
NC = NO CONNECT
8
AD8510
02729-004
NULL 1
02729-002
高速なセトリング・タイム: 0.1%へ 500 ns
低オフセット電圧: 400 µV 最大
低い TCVOS: ±1 µV/°C (typ)
低入力バイアス電流: VS = ±15 V で 25 pA (typ)
両電源動作: ±5 V～±15 V
低ノイズ: 1 kHz で 8 nV/√Hz (typ)
低歪み: 0.0005%
位相反転なし
ユニティ・ゲイン安定
–IN B 6
9
–IN C
OUT B 7
8
OUT C
02729-006
特長
図 6.14 ピン TSSOP
(RU サフィックス)
概要
AD8510/AD8512/AD8513 は、小さいオフセット電圧、入力バイ
アス電流、入力電圧ノイズ、入力電流ノイズを持つシングル、
デュアル、クワッドの高精度 JFET アンプです。
低オフセット、低ノイズ、非常に低い入力バイアス電流の組み
合わせにより、これらのアンプは特にハイ・インピーダンス・
センサーの増幅および高精度シャント電流計測に最適です。高
精度 DC、低ノイズ、高速セトリング・タイムの組み合わせに
より、医用計装機器、電子計測機器、自動テスト装置で高精度
が 得 ら れ ま す 。 多 く の 競 合 ア ン プ と 異 な り 、 AD8510/
AD8512/AD8513 は非常に大きな容量負荷でも高速なセトリング
性能 を維持します 。多くの旧 型 JFET アンプとは異 なり、
AD8510/AD8512/AD8513 では入力電圧が最大同相モード電圧範
囲を超えても出力位相の反転は発生しません。
Rev. I
容量負荷での高速スルーレートと優れた安定性により、
AD8510/AD8512/AD8513 は高性能フィルタ用に最適です。低入
力バイアス電流、低オフセット、低ノイズにより、フォトダイ
オード・アンプ回路で広いダイナミックレンジが得られます。
AD8510/AD8512/AD8513 は低ノイズおよび低歪み、高出力電流、
優れた動作速度を持つため、オーディオ・アプリケーション向
けにも最適です。
AD8510/AD8512 は、8 ピン・ナローSOIC_N パッケージまたは 8
ピン MSOP パッケージを採用しています。MSOP パッケージ部
品は、テープまたはリールでのみ出荷しています。AD8513 は、
14 ピンの SOIC_N パッケージまたは TSSOP パッケージを採用
しています。
AD8510/AD8512/AD8513 の仕様は、–40°C～+125°C の拡張工業
温度範囲で規定されています。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様
は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有者の財産です。
※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
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電話 06（6350）6868
AD8510/AD8512/AD8513
目次
特長 ....................................................................................................1
出力位相の反転 .......................................................................... 13
アプリケーション .............................................................................1
全高調波歪み(THD) +ノイズ..................................................... 13
ピン配置 ............................................................................................1
ソース抵抗を含む総合ノイズ ................................................... 13
概要 ....................................................................................................1
セトリング・タイム .................................................................. 14
改訂履歴 ............................................................................................2
過負荷回復時間 .......................................................................... 14
仕様 ....................................................................................................3
容量負荷の駆動 .......................................................................... 14
電気的特性.....................................................................................4
オープン・ループ・ゲインと位相応答 ................................... 15
絶対最大定格.....................................................................................6
高精度整流回路 .......................................................................... 16
ESD の注意 ....................................................................................6
I/V 変換アプリケーション......................................................... 17
代表的な性能特性 .............................................................................7
外形寸法.......................................................................................... 19
一般的なアプリケーション情報 ....................................................13
オーダー・ガイド ...................................................................... 20
入力過電圧保護機能 ...................................................................13
改訂履歴
2/09—Rev. H to Rev. I
Changes to Figure 25 .........................................................................10
Changes to Ordering Guide ...............................................................20
10/07—Rev. G to Rev. H
Changes to Crosstalk Section.............................................................18
Added Figure 58 ................................................................................18
6/07—Rev. F to Rev. G
Changes to Figure 1 and Figure 2 ........................................................1
Changes to Table 1 and Table 2 ...........................................................3
Updated Outline Dimensions .............................................................19
Changes to Ordering Guide ...............................................................20
6/06—Rev. E to Rev. F
Changes to Figure 23 ...........................................................................9
Updated Outline Dimensions .............................................................19
Changes to Ordering Guide ...............................................................20
6/04—Rev. D to Rev. E
Changes to Format................................................................. Universal
Changes to Specifications ....................................................................3
Updated Outline Dimensions .............................................................19
10/03—Rev. C to Rev. D
Added AD8513 Model .......................................................... Universal
Changes to Specifications ....................................................................3
Added Figure 36 through Figure 40 ...................................................10
Added Figure 55 and Figure 57 .........................................................17
Changes to Ordering Guide ...............................................................20
Rev. I
9/03—Rev. B to Rev. C
Changes to Ordering Guide ................................................................ 4
Updated Figure 2 .............................................................................. 10
Changes to Input Overvoltage Protection Section ............................ 10
Changes to Figure 10 and Figure 11.................................................. 12
Changes to Photodiode Circuits Section ........................................... 13
Changes to Figure 13 and Figure 14.................................................. 13
Deleted Precision Current Monitoring Section .................................. 14
Updated Outline Dimensions ............................................................ 15
3/03—Rev. A to Rev. B
Updated Figure 5 ...............................................................................11
Updated Outline Dimensions ............................................................ 15
8/02—Rev. 0 to Rev. A
Added AD8510 Model ........................................................... Universal
Added Pin Configurations................................................................... 1
Changes to Specifications ................................................................... 2
Changes to Ordering Guide ................................................................ 4
Changes to TPC 2 and TPC 3.............................................................. 5
Added TPC 10 and TPC 12................................................................. 6
Replaced TPC 20 ................................................................................ 8
Replaced TPC 27 ................................................................................ 9
Changes to General Application Information Section ........................ 10
Changes to Figure 5 ...........................................................................11
Changes to I-V Conversion Applications Section .............................. 13
Changes to Figure 13 and Figure 14.................................................. 13
Changes to Figure 17 ........................................................................ 14
－ 2/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
仕様
特に指定がない限り、VS = ±5 V、VCM = 0 V、TA = 25°C。
表 1.
Parameter
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage (B Grade)1
Symbol
Conditions
Min
VOS
Typ
Max
Unit
0.08
0.4
0.8
0.9
1.8
75
0.7
7.5
50
0.3
0.5
mV
mV
mV
mV
pA
nA
nA
pA
nA
nA
−40°C < TA < +125°C
Offset Voltage (A Grade)
VOS
0.1
−40°C < TA < +125°C
Input Bias Current
IB
21
−40°C < TA < +85°C
−40°C < TA < +125°C
Input Offset Current
IOS
5
−40°C < TA < +85°C
−40°C < TA < +125°C
Input Capacitance
Differential
Common Mode
Input Voltage Range
Common-Mode Rejection Ratio
Large-Signal Voltage Gain
Offset Voltage Drift (B Grade)1
Offset Voltage Drift (A Grade)
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Output Voltage High
Output Voltage Low
Output Voltage High
Output Voltage Low
Output Current
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
Supply Current/Amplifier
AD8510/AD8512/AD8513
AD8510/AD8512
AD8513
12.5
11.5
CMRR
AVO
ΔVOS/ΔT
ΔVOS/ΔT
VCM = −2.0 V to +2.5 V
RL = 2 kΩ, VO = −3 V to +3 V
VOH
VOL
VOH
VOL
VOH
VOL
IOUT
RL = 10 kΩ
RL = 10 kΩ, −40°C < TA < +125°C
RL = 2 kΩ
RL = 2 kΩ, −40°C < TA < +125°C
RL = 600 Ω
RL = 600 Ω, −40°C < TA < +125°C
PSRR
ISY
VS = ±4.5 V to ±18 V
130
3.7
−4.5
−4.2
V
V
V
V
V
V
mA
dB
V/µs
MHz
µs
%
Degrees
34
12
8.0
7.6
2.4
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
µV p-p
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
en
f = 10 Hz
f = 100 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
0.1 Hz to 10 Hz bandwidth
To 0.1%, 0 V to 4 V step, G = +1
1 kHz, G = +1, RL = 2 kΩ
AD8510/AD8512 の場合。
Rev. I
86
3.9
−4.7
20
8
0.4
0.0005
44.5
RL = 2 kΩ
1
±40
4.3
−4.9
4.2
−4.9
4.1
−4.8
±54
5
12
2.0
SR
GBP
tS
THD + N
φM
en p-p
4.1
+2.5
100
107
0.9
1.7
VO = 0 V
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
Gain Bandwidth Product
Settling Time
Total Harmonic Distortion (THD) + Noise
Phase Margin
Peak-to-Peak Voltage Noise
−2.0
86
65
pF
pF
V
dB
V/mV
µV/°C
µV/°C
－ 3/20 －
2.3
2.5
2.75
10
5.2
mA
mA
mA
AD8510/AD8512/AD8513
電気的特性
特に指定がない限り、VS = ±15 V、VCM = 0 V、TA = 25°C。
表 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
0.08
0.4
mV
0.8
mV
1.0
mV
1.8
mV
80
pA
−40°C < TA < +85°C
0.7
nA
−40°C < TA < +125°C
10
nA
75
pA
−40°C < TA < +85°C
0.3
nA
−40°C < TA < +125°C
0.5
nA
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage (B Grade)1
VOS
−40°C < TA < +125°C
Offset Voltage (A Grade)
VOS
0.1
−40°C < TA < +125°C
Input Bias Current
Input Offset Current
IB
25
IOS
6
Input Capacitance
Differential
12.5
pF
Common Mode
11.5
pF
−13.5
Input Voltage Range
+13.0
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = −12.5 V to +12.5 V
86
108
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VCM = 0 V,
VO = −13.5 V to +13.5 V
115
196
V/mV
Offset Voltage Drift (B Grade)1
ΔVOS/ΔT
1.0
5
µV/°C
Offset Voltage Drift (A Grade)
ΔVOS/ΔT
1.7
12
µV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 kΩ
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 kΩ, −40°C < TA < +125°C
Output Voltage High
VOH
RL = 2 kΩ
Output Voltage Low
VOL
RL = 2 kΩ, −40°C < TA < +125°C
Output Voltage High
VOH
RL = 600 Ω
+13.5
RL = 600 Ω, −40°C < TA < +125°C
+11.4
Output Voltage Low
VOL
+14.0
+14.2
−14.9
+13.8
+14.1
–14.8
RL = 600 Ω
V
V
V
−14.3
IOUT
V
V
−14.5
+13.9
RL = 600 Ω, −40°C < TA < +125°C
Output Current
V
−14.6
−13.8
V
−12.1
V
±70
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
Supply Current/Amplifier
ISY
VS = ±4.5 V to ±18 V
AD8510/AD8512/AD8513
VO = 0 V
AD8510/AD8512
AD8513
86
dB
2.2
2.5
mA
−40°C < TA < +125°C
2.6
mA
−40°C < TA < +125°C
3.0
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
Gain Bandwidth Product
GBP
Settling Time
tS
Rev. I
RL = 2 kΩ
20
V/µs
8
MHz
To 0.1%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.5
µs
To 0.01%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.9
µs
－ 4/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
Parameter
Symbol
Conditions
Total Harmonic Distortion (THD) + Noise
THD + N
1 kHz, G = +1, RL = 2 kΩ
Phase Margin
φM
Min
Typ
Max
Unit
0.0005
%
52
Degrees
f = 10 Hz
34
nV/√Hz
f = 100 Hz
12
nV/√Hz
f = 1 kHz
8.0
f = 10 kHz
7.6
0.1 Hz to 10 Hz bandwidth
2.4
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
Peak-to-Peak Voltage Noise
1
en
en p-p
AD8510/AD8512 の場合。
Rev. I
－ 5/20 －
10
nV/√Hz
nV/√Hz
5.2
µV p-p
AD8510/AD8512/AD8513
絶対最大定格
表 4.熱抵抗
表 3.
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Output Short-Circuit Duration to GND
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Junction Temperature Range
Lead Temperature (Soldering, 10 sec)
Electrostatic Discharge
(Human Body Model)
Rating
±18 V
±VS
Observe derating curves
−65°C to +150°C
−40°C to +125°C
−65°C to +150°C
300°C
2000 V
Package Type
8-Lead MSOP (RM)
8-Lead SOIC_N (R)
14-Lead SOIC_N (R)
14-Lead TSSOP (RU)
1
210
158
120
180
θJC
45
43
36
35
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージの場合、デ
バイスを回路ボードにハンダ付けした状態で θJA を規定。
ESD の注意
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
Rev. I
θJA1
－ 6/20 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
AD8510/AD8512/AD8513
代表的な性能特性
120
100k
VSY = ±5V, ±15V
VSY = ±15V
TA = 25°C
INPUT BIAS CURRENT (pA)
80
60
40
10k
1k
100
10
02729-007
20
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
1
–40
0.5
02729-010
NUMBER OF AMPLIFIERS
100
–25 –10
5
INPUT OFFSET VOLTAGE (mV)
20
35
50
65
TEMPERATURE (°C)
80
95
110 125
図 10.入力バイアス電流の温度特性
図 7.入力オフセット電圧の分布
1000
30
VSY = ±15V
B GRADE
INPUT OFFSET CURRENT (pA)
NUMBER OF AMPLIFIERS
25
20
15
10
100
±15V
10
±5V
1
0
0
1
2
3
TCVOS (µV/°C)
4
5
0.1
–40
6
02729-011
02729-008
5
–25 –10
5
65
20
35
50
TEMPERATURE (°C)
80
95
110 125
図 11.入力オフセット電流の温度特性
図 8.AD8510/AD8512 TCVOS の分布
40
30
TA = 25°C
VSY = ±15V
A GRADE
35
INPUT BIAS CURRENT (pA)
20
15
10
5
25
20
15
10
02729-009
5
0
0
1
2
3
TCVOS (µV/°C)
4
5
0
6
8
13
18
23
SUPPLY VOLTAGE (V+ – V– )
28
図 12.電源電圧対入力バイアス電流
図 9.AD8510/AD8512 TCVOS の分布
Rev. I
30
02729-012
NUMBER OF AMPLIFIERS
25
－ 7/20 －
30
AD8510/AD8512/AD8513
2.8
TA = 25°C
TA = 25°C
1.9
2.6
1.8
SUPPLY CURRENT (mA)
2.4
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
2.2
2.0
1.8
1.6
8
13
18
23
SUPPLY VOLTAGE (V+ – V–)
28
1.0
30
8
13
18
23
SUPPLY VOLTAGE (V+ – V–)
70
16
VOL
VSY = ±15V
315
VSY = ±15V
RL = 2.5kΩ
CSCOPE = 20pF
ΦM = 52°
60
14
50
12
10
GAIN (dB)
8
270
225
40
180
30
135
20
90
10
45
6
VOL
VSY = ±5V
VOH
02729-014
2
0
0
20
10
30
40
50
LOAD CURRENT (mA)
60
70
–10
–45
–20
–90
–30
10k
80
1M
FREQUENCY (Hz)
100k
–135
50M
10M
図 17.オープン・ループ・ゲインおよび位相の周波数特性
図 14.AD8510/AD8512 負荷電流対出力電圧
2.50
2.50
±15V
2.25
2.00
SUPPLY CURRENT (mA)
2.25
±15V
1.75
±5V
1.50
2.00
±5V
1.75
1.50
1.25
02729-015
1.25
1.00
–40 –25
0
0
4
–10
5
35 50
20
65
TEMPERATURE (°C)
80
95
110
1.00
–40 –25
125
02729-018
OUTPUT VOLTAGE (V)
VOH
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)
33
図 16.AD8510 の電源電圧対電源電流
図 13.AD8512 の電源電圧対アンプあたりの電源電流
–10
5
35 50
20
65
TEMPERATURE (°C)
80
95
図 18.AD8510 電源電流の温度特性
図 15.AD8512 のアンプあたりの電源電流の温度特性
Rev. I
28
PHASE (Degrees)
1.0
1.2
02729-017
1.1
02729-016
1.4
1.2
02729-013
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)
2.0
－ 8/20 －
110
125
AD8510/AD8512/AD8513
300
70
VSY = ±15V, ±5V
60
240
OUTPUT IMPEDANCE (Ω)
40
AV = 100
30
20
AV = 10
10
0
AV = 1
210
180
150
AV = 1
120
AV = 100
90
60
02729-019
–10
–20
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
AV = 10
02729-022
CLOSED-LOOP GAIN (dB)
50
–30
1k
VSY = ±15V
VIN = 50mV
270
30
0
100
50M
図 19.クローズド・ループ・ゲインの周波数特性
1k
10k
1M
100k
FREQUENCY (Hz)
1k
VSY = ±5V TO ±15V
100
80
60
40
02729-020
20
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
100
10
02729-023
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/ Hz)
VSY = ±15V
CMRR (dB)
100M
図 22.出力インピーダンスの周波数特性
120
0
100
10M
1
100M
1
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
図 20.CMRR の周波数特性
図 23.電圧ノイズ密度の周波数特性
120
VSY = ±5V, ±15V
VSY = ±15V
100
VOLTAGE (1µV/DIV)
80
PSRR (dB)
–PSRR
60
40
+PSRR
–20
100
02729-021
0
02729-024
20
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
100M
TIME (1s/DIV)
図 21.PSRR の周波数特性
Rev. I
図 24.0.1 Hz～10 Hz での入力電圧ノイズ
－ 9/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
280
90
VSY = ±5V TO ±15V
SMALL-SIGNAL OVERSHOOT (%)
175
140
105
70
70
60
50
35
0
20
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
10
1
FREQUENCY (Hz)
図 25.電圧ノイズ密度の周波数特性
10k
100
1k
LOAD CAPACITANCE (pF)
図 28.負荷容量対小信号オーバーシュート
315
70
VSY = ±15V
RL = 2kΩ
CL = 100pF
AV = 1
VSY = ±5V
RL = 2.5kΩ
CSCOPE = 20pF
ΦM = 44.5°
60
VOLTAGE (5V/DIV)
OPEN-LOOP GAIN (dB)
50
40
30
135
20
90
10
45
0
0
02729-026
–45
–90
–20
–30
10k
1M
100k
10M
–135
50M
FREQUENCY (Hz)
図 26.大信号過渡応答
図 29.オープン・ループ・ゲインおよび位相の周波数特性
120
VSY = ±15V
RL = 2kΩ
CL = 100pF
AV = 1
VSY = ±5V
VOLTAGE (50mV/DIV)
100
CMRR (dB)
80
60
02729-027
40
0
100
02729-030
20
TIME (100ns/DIV)
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
図 27.小信号過渡応答
図 30.CMRR の周波数特性
Rev. I
225
180
–10
TIME (1µs/DIV)
270
PHASE (Degrees)
1
–OS
30
02729-029
0
+OS
40
02729-028
210
02729-025
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV Hz)
VSY = ±15V
RL = 2kΩ
80
245
－ 10/20 －
10M
100M
AD8510/AD8512/AD8513
300
VSY = ±5V
VIN = 50mV
270
VSY = ±5V
RL = 2kΩ
CL = 100pF
AV = 1
210
VOLTAGE (50mV/DIV)
OUTPUT IMPEDANCE (Ω)
240
AV = 1
180
150
120
AV = 100
90
60
0
100
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
02729-034
02729-031
AV = 10
30
100M
TIME (100ns/DIV)
図 34.小信号過渡応答
図 31.出力インピーダンスの周波数特性
100
VSY = ±5V
VSY = ±5V
RL = 2kΩ
80
70
60
+OS
50
–OS
40
30
20
02729-035
02729-032
VOLTAGE (1µV/DIV)
SMALL-SIGNAL OVERSHOOT (%)
90
10
0
TIME (1s/DIV)
10
1
10k
100
1k
LOAD CAPACITANCE (pF)
図 35.負荷容量対小信号オーバーシュート
図 32.0.1 Hz～10 Hz での入力電圧ノイズ
100
VS = ±15V
VSY = ±5V
RL = 2kΩ
CL = 100pF
AV = 1
90
VOLTAGE (2V/DIV)
NUMBER OF AMPLIFIERS
80
70
60
50
40
30
02729-033
10
0
0
TIME (1µs/DIV)
1
2
3
4
TCVOS (µV/°C)
図 33.大信号過渡応答
Rev. I
02729-036
20
図 36.AD8513 TCVOS の分布
－ 11/20 －
5
6
AD8510/AD8512/AD8513
120
16
VOL
VS = ±5V
VSY = ±15V
14
VOH
OUTPUT VOLTAGE (V)
NUMBER OF AMPLIFIERS
100
80
60
40
12
10
8
6
VSY = ±5V
VOL
4
VOH
20
0
0
1
2
3
4
5
02729-039
02729-037
2
0
0
6
20
10
30
70
80
3.0
2.4
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)
TA = 25°C
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
02729-038
1.7
1.6
1.5
8
13
18
23
28
2.5
±15V
2.0
±5V
1.5
1.0
0.5
0
–40
33
SUPPLY VOLTAGE (V+ – V–)
02729-040
2.5
SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER (mA)
60
図 39.AD8513 負荷電流対出力電圧
図 37.AD8513 TCVOS の分布
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
図 38.AD8513 の電源電圧対アンプあたりの電源電流
Rev. I
50
40
LOAD CURRENT (mA)
TCVOS (µV/°C)
図 40.AD8513 のアンプあたりの電源電流の温度特性
－ 12/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
一般的なアプリケーション情報
0.01
入力過電圧保護機能
VSY = ±5V
RL = 100kΩ
BW = 22kHz
RS
 5 mA
125°C まで 0.5 nA 未満の非常に小さいオフセット電流では、大
きな抵抗値を入力に直列に接続することができます。5 kΩ の抵
抗を使うと、電源電圧より最大 25 V まで入力を保護しますが、
オフセットは 10 μV しか増加しません。
0.0001
20
出力位相の反転
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
20k
図 42.THD + N の周波数特性
位相反転とは、アンプ伝達関数の極性の変化のことを意味しま
す。アンプ入力に加えられる電圧が最大同相モード電圧を超え
たときに発生します。
位相反転が発生すると、デバイスに永久的な損傷を与えて、シ
ステムが動作しなくなってしまうことがあります。
AD8510/AD8512/AD8513 では、入力電圧が電源を超えても位相
反転は発生しません。
ソース抵抗を含む総合ノイズ
AD8510/AD8512/AD8513 の入力電流ノイズと入力バイアス電流
は小さいため、大きな入力ソース抵抗を持つ回路に対するアン
プとして最適です。入力オフセット電圧は、室温で、ソース抵
抗 500 Ω 当たり 15 nV 未満の割合で増加します。回路の総合ノ
イズ密度は次式で与えられます。
enTOTAL  en 2  i n R S 2  4kTR S
VSY = ±5V
AV = 1
RL = 10kΩ
ここで、
en はデバイスの入力電圧ノイズ密度。
in はデバイスの入力電流ノイズ密度。
RS は非反転ピンのソース抵抗。
k はボルツマン定数(1.38 × 10–23 J/K)。
T は、絶対温度で表した周囲温度(T = 273 + °C)。
VOUT
VIN
RS < 3.9 kΩ の場合、en が支配的で enTOTAL ≈ en になります。
AD8510/AD8512/AD8513 の電流ノイズは非常に小さいため、RS
が 165 MΩ を超えない限り(大部分のアプリケーションでこの値
を超えることはありません)、総合ノイズ密度の項が支配的にな
ることはありません。
02729-057
VOLTAGE (2V/DIV)
0.001
02729-056
V IN  VS
DISTORTION (%)
AD8510/AD8512/AD8513 には、電源電圧より最大 0.7 V 高い電
圧がピンに入力されても損傷を与えないようにする保護回路が
内蔵されています。高い入力電圧に対しては、入力電流を制限
する直列抵抗が必要です。この抵抗値は次式で決定することが
できます。
特定帯域幅での等価総合 rms ノイズは次のように表されます。
TIME (20µs/DIV)
enTOTAL  enTOTAL BW
図 41.位相反転なし
全高調波歪み(THD) +ノイズ
ここで、BW は Hz で表した帯域幅です。
AD8510/AD8512/AD8513 の THD は小さく、かつ優れたゲイン直
線性を持っています。このため、このアンプは高いクローズ
ド・ループ・ゲインを持つ高精度回路やオーディオ・アプリケ
ーション回路に最適です。図 42 に、ゲイン= 1 で 100 kΩ の負荷
を 駆 動 す る と き 、 AD8510/AD8512/AD8513 の 総 合 歪 み は 約
0.0005% (ワーストケース)であることを示します。
上の解析は 150 Hz を超える周波数に対して有効で、10 kHz 以上
ではノイズが平坦であると仮定しています。低い周波数に対し
ては、フリッカ・ノイズ(1/f)を考慮する必要があります。
Rev. I
－ 13/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
VSY = ±15V
AV = –100
RL = 10kΩ
セトリング・タイム
+15V
OUTPUT
セトリング・タイムとは、パルスをアンプ入力に加えた後に、
アンプ出力が最終値に到達し、かつその最終値の所定パーセン
ト値以内に留まるまでに要する時間を意味します。
AD8510/AD8512/AD8513 は、0 V から 10 V へ変化するステップ
入力に対して、ゲイン= 1 の場合、900 ns 以内に 0.01%以内に整
定します。このため、セトリング・タイムが 1μs (typ)以下の
DAC 出力に対するバッファとして最適です。
INPUT
VOLTAGE
0V
02729-054
セトリング・タイムとスルーレートが高速であることに加えて、
オフセット電圧ドリフトと入力オフセット電流も小さいため、
全動作範囲で 12 ビット・コンバータの精度を維持することがで
きます。
0V
–200mV
TIME (2µs/DIV)
過負荷回復時間
図 44.負側過負荷回復
過負荷回復はオーバードライブ回復とも呼ばれることがあり、
アンプ出力が飽和状態から線形領域に回復するために要する時
間を意味します。この回復時間は、大きな過渡電圧が存在する
中で小さい信号を増幅する必要があるアンプを持つアプリケー
ションで特に重要になります。
OUTPUT
図 43 に、AD8510/AD8512/AD8513 の正側の過負荷回復を示しま
す。出力は、飽和状態から約 200 ns で回復します。
0V
VSY = ±15V
VIN = 200mV
AV = –100
RL = 10kΩ
AD8510/AD8512/AD8513 は、すべてのゲインで、反転または非
反転構成によらず、無条件に安定です。ワーストケース設定の
単位ゲイン= 1 で、発振なしに、最大 1000 pF の容量負荷を駆動
することができます。
ただし、多くのアンプと同様に、ゲイン= 1 の設定で大きな容量
負荷を駆動すると、大きなオーバーシュート、リンギング、さ
らに発振も生ずることがあります。簡単なスナバ回路により、
オーバーシュートとリンギングを大幅に削減することができま
す。この構成の利点は、RS が帰還ループの外側にあるため、ア
ンプの出力振幅が小さくならないことです。
VOLTAGE
–15V
容量負荷の駆動
200mV
2
0V
7
02729-053
AD8510
VOUT
6
4
200mV
3
RS
CS
TIME (2µs/DIV)
V–
図 43.正側過負荷回復
図 45.スナバ回路の構成
負側オーバードライブ回復時間は 200 ns 未満です(図 44 参照)。
AD8510/AD8512/ AD8513 は高速な回復時間に加えて、正側と負
側の回復時間の優れた対称性も持っています。この対称性によ
って、与えられた周期で出力信号が歪みを受けることなく、等
しく維持されるため、過渡信号の反射に対しては重要な機能で
す。
Rev. I
－ 14/20 －
CL
02729-055
INPUT
V+
AD8510/AD8512/AD8513
図 46 に、400 mV パルスに応答する AD8510/AD8512/AD8513 の出
力オシロスコープ・プロットを示します。この回路は、ゲイン=
1 (ワーストケース)、負荷容量= 500 pF に設定してあります。
VSY = ±15V
CL = 500pF
RL =10kΩ
オープン・ループ・ゲインと位相応答
低ノイズ、低オフセット電圧、低オフセット電流に加えて、大
きな抵抗負荷と大きな容量負荷を駆動する場合でも
AD8510/AD8512/AD8513 は優れたループ・ゲインと位相応答を
持っています。
VOLTAGE (200mV/DIV)
競合品 A と比較すると(図 49 参照)、同じ条件で、2.5 kΩ 出力負
荷で AD8510/AD8512/AD8513 は 8 MHz 以上広い帯域幅と 52°以上
大きい位相マージンを持っています。
70
スナバ回路を使用すると、同じ負荷容量に対してオーバーシュ
ートが 55%から 3%以下に削減されます。図 47 に示すようにリ
ンギングも実質的に削減されます。
GAIN (dB)
図 46.スナバ回路なしでの容量負荷駆動
50
225
40
180
30
135
20
90
10
45
0
0
VSY = ±15V
RL = 10kΩ
CL = 500pF
RS = 100Ω
CS = 1nF
–10
–45
–20
–90
–30
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
表 5.容量負荷に対する最適値
CS
1 nF
100 pF
300 pF
50
225
40
180
30
135
20
90
10
45
0
0
–10
–45
–20
–90
–30
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
図 49.競合品 A の周波数応答
－ 15/20 －
PHASE (Degrees)
GAIN (dB)
RS と CS の最適値は負荷容量と入力寄生容量に依存し、経験的に
決定されます。表 5 に、開始点として使用できる幾つかの値を
示します。
270
–135
50M
02729-044
02729-042
図 47.スナバ回路使用時の容量負荷
RS (Ω)
100
70
60
315
VSY = ±15V
RL = 2.5kΩ
CL = 0pF
60
TIME (1µs/DIV)
Rev. I
–135
50M
図 48. AD8510/AD8512/AD8513 の周波数応答
70
CLOAD
500 pF
2 nF
5 nF
270
PHASE (Degrees)
TIME (1µs/DIV)
VOLTAGE (200mV/DIV)
315
VSY = ±15V
RL = 2.5kΩ
CL = 0pF
60
02729-043
02729-041
これに対して、同じテスト条件で、競合品 A の帯域幅は 4.5
MHz で、位相マージンは 28゜です。出力の 2 kΩ 負荷に 1 nF の
容量負荷を並列接続した場合でも、AD8510/AD8512/AD8513 の
方が競合品 A より優れた応答を示します。競合品 A の位相マー
ジンは 0゜以下に減少し、発振が生ずることを示しています。
AD8510/AD8512/AD8513
高精度整流回路
この方法でアンプを使う場合には、幾つかの問題があります。
入力電圧(VIN)が負のとき、出力はゼロとなり、VIN 振幅がオペ
アンプ入力で 2 倍になります。この電圧が電源電圧を超えると、
アンプが損傷されることがあります。さらに、オペアンプは VIN
が負のとき飽和から抜け出す必要があります。アンプが線形領
域に戻るために時間を要するので、出力信号が遅延されます。
VOLTAGE (1V/DIV)
整流回路は多くのアプリケーションで使用されています。最も
広く使われているのは、入力正弦波をユニポーラ出力電圧に変
換するために整流回路を使っている電源レギュレーションのデ
ザインにおいてです。
02729-046
AD8510/AD8512/AD8513 は非常に高速な過駆動回復時間を持ち、
これが過渡信号の整流に最適になっている理由ですが、正と負
の回復時間の対称性も出力信号の歪をなくすために重要です。
TIME (1ms/DIV)
図 50 に、整流器のテスト回路を示します。回路の初段は半波整
流回路です。入力に加えられる正弦波が正のとき、出力は入力
に追従します。入力が負側サイクルにあるとき、出力は入力に
追従して負側に振れようとしますが、電源によりゼロに固定さ
れます。同様に、2 段目も正弦波の正側サイクルでは非反転回
路として動作し、負側サイクルでは反転回路として動作します。
R3
10kΩ
VOLTAGE (1V/DIV)
R2
10kΩ
10V
VIN
3V p-p
6
3
R1
1kΩ
1/2
4
2/2
AD8512
8
AD8512
2
図 51.半波整流子信号(図 50 の OUT A)
1
8
5
7
OUT B
(FULL WAVE)
4
02729-045
OUT A
(HALF WAVE)
02729-047
10V
TIME (1ms/DIV)
図 50.半波整流と全波整流
Rev. I
図 52.全波整流子信号(図 50 の OUT B)
－ 16/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
Rd の typ 値は 1000 MΩ です。Rd >> R2 であるため、回路の動作
は接合抵抗の影響を受けません。最大信号帯域幅は次式で与え
られます。
I/V 変換アプリケーション
フォトダイオード回路
I/V 変換の一般的なアプリケーションとしては、フォトダイオー
ド回路があります。この回路では、アンプの正側入力ピンに接
続されたダイオードから出力される電流をアンプを使って出力
電圧へ変換しています。
AD8510/AD8512/AD8513 は低入力バイアス電流、広帯域幅、低
ノイズであるため、FAX、光ケーブル制御、モーション・セン
サー、バー・コード・リーダーなどの様々なフォトダイオー
ド・アプリケーションに最適です。
図 53 に示す回路では、シリコン・ダイオードをゼロ・バイアス
電圧で使っています。この構成は光電モードと呼ばれ、全体の
ノイズを制限するので、計装アプリケーションに適しています。
R2
7
Ct
2R2 ft
ここで、ftはオペアンプのユニティ・ゲイン周波数で、位相マー
ジンφM ≈ 45°が得られます。
図 53.プリアンプ・フォトダイオードの等価回路
出力ノイズの増加を許容すると信号帯域幅を広げることができ
ます。合計入力容量(Ct)は、ダイオード容量(3 pF～4 pF(typ))の
和と外部寄生容量を含むアンプの入力容量(12 pF)から構成され
ます。Ct は周波数応答でシステムが不安定になる極を構成しま
す。安定性と信号帯域幅の最適性を保証するため、回路の帰還
ループにコンデンサを接続しています(図 53)。これによりゼロ
点がつくられるため、コーナー周波数 1/(2π(R2Cf))の帯域幅が得
られます。
R2 の値は次式で求めることができます。
AD8510/AD8512/AD8513 を使うと、優れた電圧コンパレータが
実現できます。AD8510/AD8512/AD8513 は高いスルーレートの
他に、非常に高速な飽和回復時間を持っています。帰還がない
場合は、アンプはオープン・ループ・モードにあります(ゲイン
が非常に大きい)。この動作モードでは、大部分の時間が飽和状
態にあります。
図 54 に示す回路では、異なる周波数の 2 つの信号(100 Hz の正
弦波と 1 kHz の三角波)が比較されます。図 55 に、出力波形のオ
シロスコープ・プロットを示します。出力電圧が正側レールま
で届く必要がある場合には、5 kΩ (typ)のプルアップ抵抗を出力
と VCC の間に接続することができます。この場合のトレードオ
フは、消費電力が大きくなってしまうことです。
+15V
V/ID
ここで、
V はオペアンプの出力電圧。
ID はダイオード電流。
3
例えば、ID が 100 μA で、所望出力電圧が 10 V の場合、R2 = 100
kΩ になります。Rd (図 53 参照)はジャンクション抵抗であり、
温度が 10 °C 上昇するごとに 2 だけ減少します。
2
V1
7
6
VOUT
4
–15V
V2
図 54.パルス幅変調器
Rev. I
－ 17/20 －
02729-049
VCC
Cf 
一般的な信号伝送方式の 1 つとしてパルス幅変調が使用されて
います。高いデータレートでは、オペアンプではなく高速なコ
ンパレータが必要になりますが、リニアなアンプを使って、シ
ャープで歪みのない信号の方が望ましいものです。
6
02729-048
3
Cf は次式で計算することができます。
信号伝送アプリケーション
4
AD8510
Ct
ここで、ft はアンプがゲイン= 1 となる周波数(単位ゲイン周波
数)です。
前のパラメータを使い Cf ≈ 1 pF のとき、信号帯域幅は約 2.6
MHz になります。
VEE
Rd
ft
2R2Ct
Cf の値を大きくすると、位相マージンを大きくすることができ
ます。Cf の値を前の値の 2 倍にすると、φM = 65°が得られ、さ
らに最も平坦な周波数応答が得られますが、最大信号帯域幅が
50%狭くなります。
Cf
2
f MAX 
AD8510/AD8512/AD8513
02729-050
VOLTAGE (5V/DIV)
シングルの AD8510 には、デュアルの AD8512 またはクワッド
の AD8513 にはない 2 本のアクティブ・ピンがあります。これ
らのピンは「null」と表示され、入力オフセット電圧の微調整に
使用されます。室温での保証最大オフセット電圧は 400 µV で、
−40°C～+125°C の範囲では最大 800 mV ですが、ポテンショメ
ータを null ピンに接続してこのオフセット電圧を小さくするこ
とができます(図 58 参照)。図に示す 20 kΩ のポテンショメータ
では、調整範囲は約±3.5 mV になります。ポテンショメータは
JFET 差動入力対のドレイン回路の小さい抵抗値と並列接続にな
るため、ドレイン電流の不平衡により、オフセット電圧の変更
が可能になります。オフセット調整が不要な場合は、これらの
ピンを未接続のままにしてください。
TIME (2ms/DIV)
図 55.パルス幅変調
クロストーク
チャンネル・セパレーションとも呼ばれるクロストークは、1
つのチャンネルから同じ IC 内の別のチャンネルへ混入する信号
の大きさを表します。AD8512/AD8513 は、10 kHz までの周波数
に対して-90 dB を超えるチャンネル・セパレーションを、10
MHz までの周波数に対しては-50 dB を超えるチャンネル・セパ
レーションを、それぞれ持っています。図 57 に、アンプ A (駆
動アンプ)と後段の各アンプ(アンプ B、アンプ C、アンプ D)と
の間の代表的なチャンネル・セパレーション動作を示します。
この機能を持つオペアンプに調整ポテンショメータを接続する場
合には、幾つかの理由で注意が必要です。1 つ目は、これらのノ
ードから出力までにゲインがあるため、ノイズの多いパターン
からこれらのノードへの容量結合によりノイズが信号パスへ混
入してしまうことです。2 つ目は、ポテンショメータの温度係
数と内部抵抗の温度係数が一致しないため、温度変化によるオフ
セット電圧ドリフトが大きな影響を与えることです。3 つ目は、
この機能はオペアンプのオフセット電圧を調整するためのもの
で、システム全体のオフセットを調整するためのものではない
ことです。範囲を広くするためにポテンショメータ値を小さく
しようとすると、DC パラメータと AC パラメータに悪影響を与
えてしまいます。代わりに、ポテンショメータを 50 kΩ に大き
くして、必要に応じて範囲を狭くしてください。
20kΩ
+
1
V–
4
–VS
02729-052
VOUT
10VIN
5kΩ
–40
CH B
CH C
–100
–120
02729-051
CHANNEL SEPARATION (dB)
–20
CH D
–140
–160
100
1k
100k
10k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
図 57.チャンネル・セパレーション
Rev. I
6
OUTPUT
VOS TRIM RANGE IS
TYPICALLY ±3.5mV
図 58.オプションのオフセット除去回路
0
–80
4
7
図 56.クロストーク・テスト回路
–60
3
5
5kΩ
CROSSTALK = 20 log
7
6
8
3
VIN
5
AD8510
INPUT
+VS
2
2
02729-058
–
2.2kΩ
20kΩ
18V p-p
V+
1
VOUT
－ 18/20 －
AD8510/AD8512/AD8513
外形寸法
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
5
1
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
14
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
8
4.50
4.40
4.30
45°
6.40
BSC
1
8°
0°
7
PIN 1
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-A A
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
0.65
BSC
1.05
1.00
0.80
1.20
MAX
0.15
0.05
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
5.10
5.00
4.90
0.30
0.19
0.20
0.09
SEATING
COPLANARITY
PLANE
0.10
0.75
0.60
0.45
8°
0°
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1
図 59.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ
[SOIC_N]
ナロー・ボディ(R-8)
寸法: mm (インチ)
図 61.14 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ
[TSSOP]
(RU-14)
寸法: mm
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
1
5
5.15
4.90
4.65
8.75 (0.3445)
8.55 (0.3366)
4
4.00 (0.1575)
3.80 (0.1496)
8
14
1
7
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2283)
PIN 1
0.65 BSC
1.27 (0.0500)
BSC
0.15
0.00
1.10 MAX
0.38
0.22
COPLANARITY
0.10
0.23
0.08
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0039)
8°
0°
0.80
0.60
0.40
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
0.50 (0.0197)
0.25 (0.0098)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
SEATING
PLANE
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AB
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
図 60.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ
[MSOP]
(RM-8)
寸法: mm
Rev. I
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
1.75 (0.0689)
1.35 (0.0531)
図 62.14 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ
[SOIC_N]
ナロー・ボディ(R-14)
寸法: mm (インチ)
－ 19/20 －
060606-A
0.95
0.85
0.75
AD8510/AD8512/AD8513
オーダー・ガイド
Model
AD8510ARMZ-REEL1
AD8510ARMZ1
AD8510AR
AD8510ARZ1
AD8510ARZ-REEL1
AD8510ARZ-REEL71
AD8510BR
AD8510BR-REEL
AD8510BRZ1
AD8510BRZ-REEL1
AD8510BRZ-REEL71
Temperature Range
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
Package Description
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
Package Option
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
Branding
B7A#
B7A#
AD8512ARMZ-REEL1
AD8512ARMZ1
AD8512AR
AD8512AR-REEL
AD8512AR-REEL7
AD8512ARZ1
AD8512ARZ-REEL1
AD8512ARZ-REEL71
AD8512BR
AD8512BR-REEL
AD8512BR-REEL7
AD8512BRZ1
AD8512BRZ-REEL1
AD8512BRZ-REEL71
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
B8A#
B8A#
AD8513AR
AD8513AR-REEL
AD8513AR-REEL7
AD8513ARZ1
AD8513ARZ-REEL1
AD8513ARZ-REEL71
AD8513ARU
AD8513ARU-REEL
AD8513ARUZ1
AD8513ARUZ-REEL1
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
14-Lead SOIC_N
14-Lead SOIC_N
14-Lead SOIC_N
14-Lead SOIC_N
14-Lead SOIC_N
14-Lead SOIC_N
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
R-14
R-14
R-14
R-14
R-14
R-14
RU-14
RU-14
RU-14
RU-14
1
Z = RoHS 準拠品。#は RoHS 準拠品を表し、上部または下部に表示。
Rev. I
－ 20/20 －