日本語版

低容量、4/8チャンネル、
±15V/＋12VのiCMOS®マルチプレクサ
ADG1208/ADG1209
機能ブロック図
特長
ADG1208
ADG1209
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
S4B
デコーダ
（1/8）
アプリケーション
オーディオおよびビデオ信号のルーティング
自動試験装置（ATE）
データ・アクイジション・システム
バッテリ駆動のシステム
サンプル＆ホールド・システム
通信システム
デコーダ
（1/4）
A0 A1 A2 EN
A0
A1
05713-001
電荷注入：1pC未満（全信号範囲）
オフ容量：1pF
電源電圧範囲：33V
オン抵抗：120Ω
±15V/＋12Vで全仕様を規定
3Vロジック互換入力
レールtoレール動作
ブレーク・ビフォア・メークのスイッチング動作
パッケージ： 16 ピン TSSOP 、 4mm × 4mm LFCSP × VQ 、
16ピンSOIC
消費電力：0.03µW未満
EN
図1
概要
これらのマルチプレクサは容量と電荷注入量が非常に低く抑え
られているので、低グリッチと高速セトリングが求められる
データ・アクイジションやサンプル＆ホールドのアプリケー
ションに理想的なソリューションとなっています。図 2 から、
デバイスの信号範囲の全域にわたり電荷注入量が最小になって
いることがわかります。また、 iCMOS 構造によって消費電力
が非常に低く抑えられるため、バッテリ駆動の携帯型計測器に
も最適です。
エーブルにします。ディスエーブル時には、すべてのチャンネ
ルがオフになります。オンのとき、各チャンネルの導通は双方
向に平等で 、供給電圧までの入力信号を扱うことが可能です。
組み合わせたものです。このプロセス技術により、これまでの
高電圧向けデバイスでは実現が不可能だった小型フットプリン
トで、33V動作が可能なさまざまな高性能アナログICを開発で
きるようになりました。従来のCMOSプロセスを使用するアナ
ログICとは異なり、iCMOSのICは高い電源電圧に耐えるとと
もに、性能の向上、消費電力の大幅な削減、パッケージ・サイ
ズの小型化も実現しています。
MUX（ソースからドレイン）
0.9 TA = 25°C
0.8
0.7
電荷注入（pC）
iCMOS（工業用CMOS）モジュラー製造プロセスは、高電圧
CMOS（相補型金属酸化膜半導体）技術とバイポーラ技術とを
1.0
0.6
V DD = +15V
V SS = –15V
0.5
0.4
0.3
V DD = +12V
V SS = 0V
0.2
0.1
0
–15
図2.
REV. A
アナログ・デバイセズ株式会社
V DD = +5V
V SS = –5V
–10
–5
0
V S (V)
5
10
15
05713-051
ADG1208/ADG1209はモノリシックのiCMOS®アナログ・マル
チプレクサで、それぞれ8つのシングル・チャンネルと4つの差
動チャンネルで構成されています。ADG1208は、3ビット・バ
イナリのアドレス・ライン（A0、A1、A2）に応じて8つの入
力のうち1つを共通の出力（D）に切り替えます。ADG1209は、
2ビット・バイナリのアドレス・ライン（A0とA1）に応じて4
つの差動入力のうち1つを共通の差動出力（D）に切り替えます。
いずれも EN 入力を使用して、デバイスをイネーブル／ディス
ソース電圧 対 ソースからドレインへの電荷注入
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の
利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま
せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有
に属します。
※日本語データシートはREVISIONが古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
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ADG1208/ADG1209
目次
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
機能ブロック図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
両電源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
単電源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
ピン配置と機能の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
用語の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
テスト回路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
オーダー・ガイド. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
改訂履歴
4/07―Rev. 0 to Rev. A
Added 16-lead SOIC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universal
Changes to Table 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Changes to Table 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Changes to Figure 10 and Figure 11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Updated Outline Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Changes to Ordering Guide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1/06―Revision 0: Initial Version
―2―
REV. A
ADG1208/ADG1209
仕様
両電源
特に指定のない限り、VDD＝＋15V±10％、VSS＝−15V±10％、GND＝0V。1
表1
パラメータ
＋25℃
−40∼
＋85℃
−40∼
＋125℃
単位
テスト条件／備考
アナログ・スイッチ
VSS∼VDD V
アナログ信号範囲
オン抵抗（RON）
Ω（typ）
120
200
240
270
10
12
76
83
チャンネル間のオン抵抗マッチング（ΔRON） 3.5
6
オン抵抗平坦性（RFLAT（On））
Ω（typ）
64
VS＝±10V、IS＝−1mA
Ω（max）
Ω（typ）
20
VS＝±10V、IS＝−1mA、図29を参照
Ω（max） VDD＝＋13.5V、VSS＝−13.5V
VS＝−5V/0V/＋5V、IS＝−1mA
Ω（max）
リーク電流
ソース・オフ時リーク（IS（Off））
±0.003
ドレイン・オフ時リーク（ID（Off））
±0.003
±0.1
nA（typ） VD＝±10V、VS＝−10V、図30を参照
±0.6
±1
nA（max）
nA（typ） VS＝1V/10V、VD＝10V/1V、
図30を参照
ADG1208
±0.1
±0.6
±1
nA（max）
ADG1209
±0.1
±0.6
±1
nA（max）
チャンネル・オン時リーク（ID、IS（On）） ±0.02
nA（typ） VS＝VD＝±10V、図31を参照
ADG1208
±0.2
±0.6
±1
nA（max）
ADG1209
±0.2
±0.6
±1
nA（max）
2.0
V（min）
0.8
V（max）
±0.1
µA（max）
デジタル入力
ハイレベル入力電圧（VINH）
ローレベル入力電圧（VINL）
入力電流（IINLまたはIINH）
デジタル入力容量（CIN）
±0.005
µA（max） VIN＝VINLまたはVINH
2
pF（typ）
動的特性2
遷移時間（tTRANSITION）
80
130
tON（EN）
ns（max） VS＝10V、図32を参照
105
115
ns（max） VS＝10V、図34を参照
125
140
ns（max） VS＝10V、図34を参照
ns（
. typ）
83
100
RL＝300Ω、CL＝35pF
185
75
95
tOFF（EN）
ns（typ）
165
ns（typ）
ns（typ）
RL＝300Ω、CL＝35pF
RL＝300Ω、CL＝35pF
ブレーク・ビフォア・メーク遅延時間
（tBBM）
25
電荷注入
0.4
pC（typ） VS＝0V、RS＝0Ω、CL＝1nF、
図35を参照
オフ・アイソレーション
−85
dB（typ） RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝1MHz、
図36を参照
チャンネル間クロストーク
−85
dB（typ） RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝1MHz、
図38を参照
全高調波歪み＋ノイズ
0.15
%（typ）
−3dB帯域幅
550
MHz（typ）RL＝50Ω、CL＝5pF、図37を参照
10
REV. A
―3―
RL＝300Ω、CL＝35pF
ns（min） VS1＝VS2＝10V、図33を参照
RL＝10kΩ、5Vrms、f＝20Hz∼20kHz、
図39を参照
ADG1208/ADG1209
パラメータ
CS（Off）
CD（Off）ADG1208
CD（Off）ADG1209
CD、CS（On）ADG1208
CD、CS（On）ADG1209
＋25℃
−40∼
＋85℃
−40∼
＋125℃
単位
1
pF（typ） f＝1MHz、VS＝0V
1.5
pF（max） f＝1MHz、VS＝0V
6
pF（typ） f＝1MHz、VS＝0V
7
pF（max） f＝1MHz、VS＝0V
3.5
pF（typ） f＝1MHz、VS＝0V
4.5
pF（max） f＝1MHz、VS＝0V
7
pF（typ） f＝1MHz、VS＝0V
8
pF（max） f＝1MHz、VS＝0V
5
pF（typ） f＝1MHz、VS＝0V
6
pF（max） f＝1MHz、VS＝0V
VDD＝＋16.5V、VSS＝−16.5V
電源条件
IDD
0.002
µA（typ） デジタル入力＝0VまたはVDD
1.0
IDD
220
ISS
0.002
ISS
0.002
µA（max）
µA（typ） デジタル入力＝0VまたはVDD
1.0
µA（max）
µA（typ） デジタル入力＝5V
1.0
VDD/VSS
2
µA（max）
µA（typ） デジタル入力＝5V
320
1
テスト条件／備考
µA（max）
±5/±16.5 V（min/max） |VDD|＝|VSS|
温度範囲（Yバージョン）：−40∼＋125℃。
これらの仕様については出荷テストを行っていませんが、設計により保証しています。
―4―
REV. A
ADG1208/ADG1209
単電源
特に指定のない限り、VDD＝12V±10％、VSS＝0V、GND＝0V。1
表2
パラメータ
＋25℃
−40∼
＋85℃
−40∼
＋125℃
単位
0∼VDD
V
テスト条件／備考
アナログ・スイッチ
アナログ信号範囲
オン抵抗（RON）
Ω（typ）
300
475
625
Ω（max） VDD＝10.8V、VSS＝0V
26
27
Ω（max）
チャンネル間のオン抵抗マッチング（ΔRON） 5
16
オン抵抗平坦性（RFLAT（On））
VS＝0∼10V、IS＝−1mA、図29を参照
567
Ω（typ）
Ω（typ）
60
VS＝0∼10V、IS＝−1mA
VS＝3V/6V/9V、IS＝−1mA
VDD＝13.2V
リーク電流
ソース・オフ時リーク（IS（Off））
±0.003
ドレイン・オフ時リーク（ID（Off））
±0.003
±0.1
nA（typ） VS＝1V/10V、VD＝10V/1V、
図30を参照
±0.6
±1
nA（max）
nA（typ） VS＝1V/10V、VD＝10V/1V、
図30を参照
ADG1208
±0.1
±0.6
±1
nA（max）
ADG1209
±0.1
±0.6
±1
nA（max）
チャンネル・オン時リーク（ID、IS（On）） ±0.02
nA（typ） VS＝VD＝1Vまたは10V、図31を参照
ADG1208
±0.2
±0.6
±1
nA（max）
ADG1209
±0.2
±0.6
±1
nA（max）
2.0
V（min）
0.8
V（max）
デジタル入力
ハイレベル入力電圧（VINH）
ローレベル入力電圧（VINL）
入力電流（IINLまたはIINH）
±0.001
デジタル入力容量（CIN）
3
µA（max） VIN＝VINLまたはVINH
±0.1
µA（max）
pF（typ）
2
動的特性
遷移時間（tTRANSITION）
100
170
tON（EN）
ns（max） VS＝8V、図32を参照
140
160
ns（max） VS＝8V、図34を参照
155
175
ns（
. typ）
105
130
RL＝300Ω、CL＝35pF
235
90
110
tOFF（EN）
ns（typ）
210
ns（typ）
RL＝300Ω、CL＝35pF
RL＝300Ω、CL＝35pF
ns（max） VS＝8V、図34を参照
ブレーク・ビフォア・メーク遅延時間
（tBBM）
45
ns（typ）
電荷注入
−0.2
pC（typ） VS＝6V、RS＝0Ω、CL＝1nF、
図35を参照
オフ・アイソレーション
−85
dB（typ） RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝1MHz、
図36を参照
チャンネル間クロストーク
−85
dB（typ） RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝1MHz、
図38を参照
−3dB帯域幅
450
MHz（typ）RL＝50Ω、CL＝5pF、図37を参照
20
CS（Off）
CD（Off）ADG1208
REV. A
RL＝300Ω、CL＝35pF
ns（min） VS1＝VS2＝8V、図33を参照
1.2
pF（typ） f＝1MHz、VS＝6V
1.8
pF（max） f＝1MHz、VS＝6V
7.5
pF（typ） f＝1MHz、VS＝6V
9
pF（max） f＝1MHz、VS＝6V
―5―
ADG1208/ADG1209
パラメータ
CD（Off）ADG1209
CD、CS（On）ADG1208
CD、CS（On）ADG1209
＋25℃
−40∼
＋85℃
−40∼
＋125℃
単位
4.5
pF（typ） f＝1MHz、VS＝6V
5.5
pF（max） f＝1MHz、VS＝6V
9
pF（typ） f＝1MHz、VS＝6V
10.5
pF（max） f＝1MHz、VS＝6V
6
pF（typ） f＝1MHz、VS＝6V
7.5
pF（max） f＝1MHz、VS＝6V
VDD＝13.2V
電源条件
IDD
0.002
µA（typ） デジタル入力＝0VまたはVDD
1.0
IDD
220
2
µA（max）
µA（typ） デジタル入力＝5V
VDD
1
テスト条件／備考
330
µA（max）
5/16.5
V（min/max） VSS＝0V、GND＝0V
温度範囲（Yバージョン）：−40∼＋125℃。
これらの仕様については出荷テストを行っていませんが、設計により保証しています。
―6―
REV. A
ADG1208/ADG1209
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA＝25℃。
表3
パラメータ
定格値
VDD∼VSS
35V
GNDに対するVDD
−0.3∼＋25V
GNDに対するVSS
＋0.3∼−25V
アナログ、デジタル入力1
VSS−0.3V∼VDD＋0.3V
または30mAのうち
左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
ESDに関する注意
いずれか最初に発生する方
連続電流（SまたはD）
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイス
30mA
です。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、
検知されないまま放電することがあります。本
製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路
を内蔵してはいますが、デバイスが高エネル
ギーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可
能性があります。したがって、性能劣化や機能
低下を防止するため、ESDに対する適切な予防
措置を講じることをお勧めします。
ピーク電流（SまたはD）
100mA
（最大10％デューティサイクルの
1msパルス）
動作温度範囲
1
工業用（Yバージョン）
−40∼＋125℃
保存温度
−65∼＋150℃
ジャンクション温度
150℃
TSSOP、θJA熱抵抗
112℃/W
LFCSP_VQ、θJA熱抵抗
30.4℃/W
SOIC_N、θJA熱抵抗
77℃/W
リフロー・ハンダ処理の
ピーク温度（鉛フリー）
260（＋0/−5）℃
A、EN、S、Dでの過電圧は、内部ダイオードでクランプされます。電流は規定さ
れた最大定格に制限してください。
REV. A
―7―
ADG1208/ADG1209
ADG1208
14 GND
4
上面図
13 V DD
S1 2
ADG1208
S2 3
上面図
11 S6
S4
7
10 S7
表4.
9
S8
S3 4
12 GND
11 V DD
10 S5
（実寸ではありません）
S4 5
6
05713-002
S3
D 8
図3.
12 S5
5
14 A1
1番ピン
識別マーク
（実寸ではありません）
S2
13 A2
V SS 1
9 S6
05713-004
3
S1
S8 7
V SS
S7 8
16 A1
15 A2
16 EN
1
D 6
A0
EN 2
15 A0
ピン配置と機能の説明
図4. ADG1208のピン配置（LFCSP_VQ）、
露出パッドは基板（VSS）に接続
ADG1208のピン配置（TSSOP/SOIC）
ADG1208のピン機能の説明
ピン番号
TSSOP/SOIC
LFCSP_VQ
記号
説明
1
15
A0
ロジック制御入力
2
16
EN
アクティブ・ハイ・デジタル入力。ローレベルで、デバイスはディスエーブル
になり、すべてのスイッチがオフになります。ハイレベルでは、Axロジック
入力によりオン・スイッチが決定されます。
3
1
VSS
負側電源電位 。単電源アプリケーションでは、グラウンドに接続できます。
4
2
S1
ソース端子1。入力または出力
5
3
S2
ソース端子2。入力または出力
6
4
S3
ソース端子3。入力または出力
7
5
S4
ソース端子4。入力または出力
8
6
D
ドレイン端子。入力または出力
9
7
S8
ソース端子8。入力または出力
10
8
S7
ソース端子7。入力または出力
11
9
S6
ソース端子6。入力または出力
12
10
S5
ソース端子5。入力または出力
13
11
VDD
正側電源電位
14
12
GND
グラウンド（0V）リファレンス
15
13
A2
ロジック制御入力
16
14
A1
ロジック制御入力
表5.
ADG1208の真理値表
A2
A1
A0
EN
オン・スイッチ
X
X
X
0
なし
0
0
0
1
1
0
0
1
1
2
0
1
0
1
3
0
1
1
1
4
1
0
0
1
5
1
0
1
1
6
1
1
0
1
7
1
1
1
1
8
―8―
REV. A
14 V DD
上面図
13 S1B
（実寸ではありません）
S2A
5
12 S2B
S3A
6
11
S4A
7
10 S4B
図5.
表6.
DB
ADG1209
11 S1B
S2A 3
上面図
10 S2B
S3A 4
（実寸ではありません）
9 S3B
S4A 5
9
S3B
ADG1209のピン配置（TSSOP/SOIC）
12 V DD
S1A 2
05713-003
DA 8
1番ピン
識別マーク
V SS 1
05713-005
ADG1209
4
14 A1
3
13 GND
V SS
S1A
S4B 8
15 GND
15 A0
16 A1
2
DB 7
1
DA 6
A0
EN
16 EN
ADG1208/ADG1209
図6. ADG1209のピン配置（LFCSP_VQ）、
露出パッドは基板（VSS）に接続
ADG1209のピン機能の説明
ピン番号
TSSOP/SOIC
LFCSP_VQ
記号
説明
1
15
A0
ロジック制御入力
2
16
EN
アクティブ・ハイ・デジタル入力。ローレベルで、デバイスはディスエーブル
になり、すべてのスイッチがオフになります。ハイレベルでは、Axロジック
入力によりオン・スイッチが決定されます。
3
1
VSS
負側電源電位。単電源アプリケーションでは、グラウンドに接続できます。
4
2
S1A
ソース端子1A。入力または出力
5
3
S2A
ソース端子2A。入力または出力
6
4
S3A
ソース端子3A。入力または出力
7
5
S4A
ソース端子4A。入力または出力
8
6
DA
ドレイン端子A。入力または出力
9
7
DB
ドレイン端子B。入力または出力
10
8
S4B
ソース端子4B。入力または出力
11
9
S3B
ソース端子3B。入力または出力
12
10
S2B
ソース端子2B。入力または出力
13
11
S1B
ソース端子1B。入力または出力
14
12
VDD
正側電源電位
15
13
GND
グラウンド（0V）リファレンス
16
14
A1
ロジック制御入力
表7.
ADG1209の真理値表
A1
A0
EN
オン・スイッチ
X
X
0
なし
0
0
1
1
0
1
1
2
1
0
1
3
1
1
1
4
REV. A
―9―
ADG1208/ADG1209
代表的な性能特性
200
250
TA = 25°C
180
V DD = +15V
V SS = –15V
V DD = +15V
V SS = –15V
V DD = +13.5V
V SS = –13.5V
160
200
TA = +125°C
オン抵抗（Ω）
オン抵抗（Ω）
140
120
V DD = +16.5V
V SS = –16.5V
100
80
TA = +85°C
150
TA = +25°C
100
TA = –40°C
60
40
50
図7.
–9
–6 –3
0
3
6
9
ソースまたはドレイン電圧（V）
12
15
18
0
–15
05713-030
0
–18 –15 –12
VD（VS）とオン抵抗の関係（両電源）
–10
図10.
–5
0
5
ソースまたはドレイン電圧（V）
TA = 25°C
さまざまな温度におけるVD（VS）と
オン抵抗の関係（両電源）
V DD = +4.5V
V SS = –4.5V
V DD = 12V
V SS = 0V
TA = +125°C
500
500
V DD = +5V
V SS = –5V
TA = +85°C
V DD = +5.5V
V SS = –5.5V
300
400
TA = +25°C
300
200
200
100
100
0
–6
–4
図8.
–2
0
2
ソースまたはドレイン電圧（V）
4
6
TA = –40°C
0
0
VD（VS）とオン抵抗の関係（両電源）
2
図11.
4
6
8
ソースまたはドレイン電圧（V）
10
12
05713-034
オン抵抗（Ω）
400
05713-031
さまざまな温度におけるVD（VS）と
オン抵抗の関係（単電源）
400
450
TA = 25°C
400
V DD = 10.8V
V SS = 0V
350
V DD = 12V
V SS = 0V
ID, S (ON) + +
リーク電流（pA）
200
300
250
V DD = 13.2V
V SS = 0V
200
V DD = +15V
V SS = –15V
V BIAS = +10V/–10V
300
150
ID (OFF) + –
100
IS (OFF) + –
0
ID, S (ON) – –
–100
ID (OFF) – +
–200
100
IS (OFF) – +
–300
50
0
2
図9.
4
6
8
10
ソースまたはドレイン電圧（V）
12
14
–400
05713-032
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
温度（℃）
VD（VS）とオン抵抗の関係（単電源）
図12.
05713-057
オン抵抗（Ω）
15
600
600
オン抵抗（Ω）
10
05713-033
20
ADG1208のリーク電流の温度特性
（両電源）
― 10 ―
REV. A
ADG1208/ADG1209
150
6
DEMUX（ドレインからソース）
TA = 25°C
V DD = 12V
V SS = 0V
V BIAS = 1V/10V
100
4
V DD = +5V
V SS = –5V
IS (OFF) + –
50
電荷注入（pC）
ID (OFF) + –
0
IS (OFF) – +
ID, S (ON) – –
–50
2
0
–2
ID (OFF) – +
–100
V DD = +12V
V SS = 0V
V DD = +15V
V SS = –15V
–4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
温度（℃）
図13.
–6
–15
05713-058
–150
ADG1208のリーク電流の温度特性
–10
図16.
–5
0
V S (V)
5
05713-041
リーク電流（pA）
ID, S (ON) + +
15
10
ソース電圧 対 ドレインからソースへの
電荷注入
（単電源）
350
200
チャンネル当たりのIDD
TA = 25°C
180
300
160
V DD = +15V
V SS = –15V
120
IDD ( µA )
V DD = +5V
V SS = –5V
250
時間（ns）
140
100
80
60
200
V DD = +12V
V SS = 0V
150
V DD = +15V
V SS = –15V
100
40
2
4
6
8
10
12
14
16
ロジック INX（V）
図14.
0
–40
ロジック・レベル 対 IDD
0.8
–20
オフ・アイソレーション（dB）
–10
0.7
電荷注入（pC）
20
40
60
温度（℃）
80
100
120
tON/tOFF時間の温度特性
0
MUX（ソースからドレイン）
0.9 TA = 25°C
0.6
V DD = +15V
V SS = –15V
0.5
0.4
0.3
V DD = +12V
V SS = 0V
0.2
V DD = +15V
V SS = –15V
TA = 25°C
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
0.1
V DD = +5V
V SS = –5V
–5
0
V S (V)
–100
5
10
15
–110
10k
05713-040
–10
図15.
REV. A
0
図17.
1.0
0
–15
–20
100k
1M
10M
100M
周波数（Hz）
図18.
ソース電圧 対 ソースからドレインへの
電荷注入
― 11 ―
オフ・アイソレーションの周波数特性
1G
05713-049
0
05713-035
0
05713-052
50
V DD = +12V
V SS = 0V
20
ADG1208/ADG1209
20
10
負荷= 10kΩ
TA = 25°C
–20
1
THD + N ( %)
クロストーク（dB）
V DD = +15V
V SS = –15V
0 TA = 25°C
–40
隣接チャンネル
–60
V DD = +15V, V SS = –15V, V S = +5Vrms
0.1
非隣接チャンネル
–80
V DD = +5V, V SS = –5V, V S = +3.5Vrms
図19.
100k
1M
10M
周波数（Hz）
100M
1G
0.01
10
05713-042
–120
10k
ADG1208のクロストークの周波数特性
1k
周波数（Hz）
図22.
10k
100k
THD＋Nの周波数特性
12
0
–20
10
–40
8
容量（pF）
クロストーク（dB）
100
05713-036
–100
隣接チャンネル
–60
–80
V DD = +15V
V SS = –15V
TA = 25°C
ソース／ドレイン・オン
6
ドレイン・オフ
4
–100
2
ソース・オフ
100k
1M
10M
100M
1G
周波数（Hz）
図20.
0
–15
05713-053
–120
10k
ADG1209のクロストークの周波数特性
–10
図23.
–6.0
–5
5
10
15
ソース電圧 対 ADG1208の容量
（±15V両電源）
12
V DD = 12V
V SS = 0V
TA = 25°C
–6.5
10
ソース／ドレイン・オン
–7.0
8
–7.5
容量（pF）
オン応答（dB）
0
V BIAS (V)
05713-043
非隣接チャンネル
–8.0
ドレイン・オフ
6
–8.5
4
–9.0
ソース・オフ
2
100k
1M
10M
100M
周波数（Hz）
図21.
1G
0
05713-054
–10.0
10k
0
2
図24.
オン応答の周波数特性
― 12 ―
4
6
V BIAS (V)
8
10
12
05713-045
–9.5
ソース電圧 対 ADG1208の容量
（12V単電源）
REV. A
ADG1208/ADG1209
12
8
V DD = 12V
V SS = 0V
TA = 25°C
7
10
ソース／ドレイン・オン
6
6
ドレイン・オフ
容量（pF）
容量（pF）
8
V DD = +5V
V SS = –5V
TA = 25°C
ソース／ドレイン・オン
5
ドレイン・オフ
4
3
4
2
ソース・オフ
2
1
ソース・オフ
–3
図25.
–2
–1
0
1
VBIAS (V)
2
3
4
5
0
ソース電圧 対 ADG1208の容量
（±5V両電源）
4
図27.
6
V BIAS (V)
V DD = +15V
V SS = –15V
TA = 25°C
7
ソース電圧 対 ADG1209の容量
（12V単電源）
7
ソース／ドレイン・オン
ソース／ドレイン・オン
容量（pF）
5
4
ドレイン・オフ
5
ドレイン・オフ
4
3
3
V DD = +5V
V SS = –5V
TA = 25°C
2
ソース・オフ
ソース・オフ
1
–10
–5
0
5
10
V BIAS (V)
図26.
15
05713-046
1
ソース電圧 対 ADG1209の容量
（±15V両電源）
0
–5
–4
–3
図28.
― 13 ―
–2
–1
0
1
VBIAS (V)
2
3
4
ソース電圧 対 ADG1209の容量
（±5V両電源）
5
05713-056
2
REV. A
12
10
6
6
0
–15
8
8
8
容量（pF）
2
0
05713-047
–4
05713-055
0
–5
ADG1208/ADG1209
用語の説明
RON
tTRANSITION
スイッチ「オン」時のD端子とS端子の間の抵抗 。
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるとき、デ
ジタル入力の50%ポイントからスイッチ・オン時出力の90%ポ
イントに到達するまでの遅延時間。
ΔRON
任意の2チャンネルのRON間の差。
TBBM
IS（Off）
スイッチ「オフ」時のソース・リーク電流。
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるとき、両
スイッチの80%ポイント間で測定した「オフ」時間。
ID（Off）
VINL
スイッチ「オフ」時のドレイン・リーク電流。
ロジック0の最大入力電圧。
ID、IS（On）
VINH
スイッチ「オン」時のチャンネル・リーク電流。
ロジック1の最小入力電圧。
VD（VS）
IINL（IINH）
D端子とS端子のアナログ電圧。
デジタル入力の入力電流。
CS（Off）
IDD
「オフ」状態のチャンネル入力容量。
正側電源電流。
CD（Off）
ISS
「オフ」状態のチャンネル出力容量。
負側電源電流。
CD、CS（On）
オフ・アイソレーション
オン・スイッチ容量。
「オフ」状態のチャンネルを通過してカップリングする不要信
号の大きさ。
CIN
デジタル入力容量。
電荷注入
tON（EN）
スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達される
グリッチ・インパルスの大きさ。
デジタル入力の50％ポイントからスイッチ・オン時出力の90％
ポイントに到達するまでの遅延時間。
tOFF（EN）
デジタル入力の50％ポイントからスイッチ・オフ時出力の90％
ポイントに到達するまでの遅延時間。
帯域幅
出力が3dB減衰するときの周波数。
オン応答
スイッチ「オン」時の周波数応答。
THD＋N
高調波振幅と信号ノイズの和の基本波に対する比。
― 14 ―
REV. A
ADG1208/ADG1209
テスト回路
V
IS (OFF)
D
S
NC
A
D
A
VS
IDS
VD
05713-037
VS
図29.
図30.
オン抵抗
3V
図31.
tr < 20ns
tf < 20ns
アドレス駆動
（VIN）
50%
50%
VD
NC＝無接続
オフ時リーク
V DD
V SS
V DD
V SS
05713-039
D
05713-038
S
ID (ON)
ID (OFF)
S
A
オン時リーク
A0
S1
0V
V IN
V S1
A1
50Ω
S2∼S7
A2
tTRANSITION
tTRANSITION
V S8
S8
ADG1208 1
90%
2.4V
出力
出力
D
EN
300Ω
GND
35pF
05713-022
90%
1ADG1209の接続も同様。
図32.
アドレスから出力へのスイッチング時間（tTRANSITION）
3V
アドレス駆動
（VIN）
V DD
V SS
V DD
V SS
A0
S1
V IN
0V
VS
A1
50Ω
S2∼S7
A2
S8
80%
ADG1208 1
80%
出力
2.4V
出力
D
EN
300Ω
GND
35pF
05713-023
tBBM
1ADG1209の接続も同様。
図33.
ブレーク・ビフォア・メーク遅延（tBBM）
3V
アドレス駆動
（VIN）
50%
V DD
V SS
V DD
V SS
A0
50%
S1
VS
A1
S2∼S8
0V
A2
ADG1208 1
tOFF (EN)
出力
0.9V O
0.9V O
出力
D
EN
V IN
50Ω
GND
1 ADG1209の接続も同様。
図34.
REV. A
イネーブル遅延（tON (EN)、tOFF (EN)）
― 15 ―
300Ω
35pF
05713-024
tON (EN)
ADG1208/ADG1209
3V
V DD
V SS
V DD
V SS
A0
A1
V IN
A2
ADG1208 1
V OUT
RS
ΔV OUT
S
D
V OUT
EN
QINJ = CL × ΔV OUT
VS
CL
1nF
GND
05713-025
V IN
1ADG1209の接続も同様。
図35.
V SS
0.1µF
0.1µF
V DD
ネットワーク・
アナライザ
ネットワーク・
アナライザ
V SS
V OUT
S
V OUT
V DD
R
50Ω
VS
V OUT
VS
05713-026
GND
オフ・アイソレーション＝20log
図36.
V SS
S2
D
GND
V DD
0.1µF
D
VS
RL
50Ω
V SS
S1
RL
50Ω
50Ω
50Ω
V DD
0.1µF
チャンネル間クロストーク＝20log
図38.
オフ・アイソレーション
V OUT
VS
5713-028
V DD
電荷注入
チャンネル間クロストーク
V SS
0.1µF
0.1µF
V DD
V DD
0.1µF
V SS
VDD
V SS
0.1µF
ネットワーク・
アナライザ
V SS
S
オーディオ精度
RS
50Ω
S
VS
IN
VS
V p-p
D
RL
50Ω
GND
V OUT
D
V IN
RL
10kΩ
図37.
スイッチがない場合のV OUT
05713-027
挿入損失＝20log
05713-029
GND
スイッチがある場合のV OUT
図39.
帯域幅
― 16 ―
V OUT
THD＋ノイズ
REV. A
ADG1208/ADG1209
外形寸法
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
1番ピン
1.20
MAX
0.15
0.05
0.20
0.09
0.30
0.19
0.65
BSC
0.75
0.60
0.45
8°
0°
実装面
平坦性
0.10
JEDEC規格MO-153-ABに準拠
図40.
16ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ［TSSOP］
（RU-16）
寸法単位：mm
4.00
BSC SQ
0.60 MAX
0.60 MAX
1番ピン
識別マーク
0.65 BSC
3.75
BSC SQ
上面図
1番ピン
識別マーク
16
1
2.25
2.10 SQ
1.95
露出
パッド
0.75
0.60
0.50
9
8
5
4
0.25 MIN
1.95 BSC
0.80 MAX
0.65 TYP
12° MAX
0.05 MAX
0.02 NOM
実装面
0.35
0.30
0.25
0.20 REF
平坦性
0.08
021207-A
1.00
0.85
0.80
（底面図）
13
12
JEDEC規格MO-220-VGGCに準拠
図41.
16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ［LFCSP_VQ］
4mm×4mmボディ、極薄クワッド（CP-16-4）
寸法単位：mm
10.00 (0.3937)
9.80 (0.3858)
4.00 (0.1575)
3.80 (0.1496)
9
16
1
8
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2283)
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0039)
平坦性
0.10
0.50 (0.0197)
0.25 (0.0098)
1.75 (0.0689)
1.35 (0.0531)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
実装面
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
図42.
REV. A
16ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ［SOIC_N］
ナローボディ（R-16）
寸法単位：mm（インチ）
― 17 ―
060606-A
JEDEC 規格 MS-012-AC に準拠
管理寸法はミリメートルの単位で表記しています。カッコ内に示すインチ単位の寸法は、
ミリメートル値に基づく概数で、参考のためにのみ記載しています。
設計ではこの値を使用しないでください。
ADG1208/ADG1209
オーダー・ガイド
温度範囲
パッケージ
パッケージ・オプション
−40∼＋125℃
16ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ［TSSOP］
RU-16
ADG1208YRUZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ［TSSOP］
RU-16
ADG1208YCPZ-REEL1
−40∼＋125℃
16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・
パッケージ［LFCSP_VQ］
CP-16-4
ADG1208YCPZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・
パッケージ［LFCSP_VQ］
CP-16-4
ADG1208YRZ1
−40∼＋125℃
16ピン・ナローボディ・スモール・アウトライン・
パッケージ［SOIC_N］
R-16
ADG1208YRZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン・ナローボディ・スモール・アウトライン・
パッケージ［SOIC_N］
R-16
ADG1209YRUZ1
−40∼＋125℃
16ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ［TSSOP］
RU-16
ADG1209YRUZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ［TSSOP］
RU-16
ADG1209YCPZ-REEL1
−40∼＋125℃
16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・
パッケージ［LFCSP_VQ］
CP-16-4
ADG1209YCPZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・
パッケージ［LFCSP_VQ］
CP-16-4
ADG1209YRZ1
−40∼＋125℃
16ピン・ナローボディ・スモール・アウトライン・
パッケージ［SOIC_N］
R-16
ADG1209YRZ-REEL71
−40∼＋125℃
16ピン・ナローボディ・スモール・アウトライン・
パッケージ［SOIC_N］
R-16
ADG1208YRUZ
1
1
D05713-0-4/07(A)-J
モデル
Z＝RoHS準拠製品
― 18 ―
REV. A