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故障保护、−0.4 pC QINJ、
8:1/双通道4:1多路复用器
ADG5208F/ADG5209F
产品特性
功能框图
过压保护可达−55 V和+55 V
掉电保护可达−55 V和+55 V
源极引脚有过压保护
低电荷注入(QINJ)：−0.4 pC
低导通电容
ADG5208F：20 pF
ADG5209F：14 pF
所有条件下都具有防闩锁特性
无数字输入时处于已知状态
模拟信号范围VSS至VDD
±5 V至±22 V双电源供电
8 V至44 V单电源供电
额定电源电压：±15 V、±20 V、+12 V和+36 V
ADG5208F
S1
D
S8
13035-001
1-OF-8
DECODER
A0 A1 A2 EN
图1. ADG5208F功能框图
应用
ADG5209F
模拟输入/输出模块
过程控制/分布式控制系统
数据采集
仪器仪表
航空电子
自动测试设备
通信系统
继电器替代方案
S1A
DA
S4A
S1B
DB
S4B
A0
A1
EN
13035-002
1-OF-4
DECODER
图2. ADG5209F功能框图
概述
ADG5208F和ADG5209F分别为8:1和双通道4:1模拟多路复
这些开关具有低电容和电荷注入特性，因而是要求低开关
用器。ADG5208F将8路输入中的一路切换至公共输出，
毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解
ADG5209F将4路差分输入中的一路切换至公共差分输出。
决方案。
两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。当接通
时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可
扩展至电源电压范围。在整个工作电压范围内，数字输入
与3 V逻辑输入兼容。
产品特色
1. 源极引脚具有过压保护功能，可以耐受高于供电轨，达
到−55 V和+55 V的电压。
2. 在未供电情况下，源极引脚的过压保护范围是−55 V至
没有电源时，通道保持关断状态，开关输入处于高阻态。
+55 V。
正常工作条件下，如果任一Sx引脚上的模拟输入信号电平
3. 沟槽隔离可防止闩锁。
超过VDD或VSS，并且超出幅度达到阈值电压VT，则相应的
4. 针对低电荷注入和导通电容而优化。
通道关断，并且漏极引脚将被拉至所超过的电源电压。无
5. ADG5208F/ADG5209F可以采用±5 V至±22 V的双电源或
论有无供电，相对于地达到−55 V或+55 V的输入信号电平都
8 V至44 V的单电源供电。
会被阻塞。
Rev. 0
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的最新英文版数据手册。
ADG5208F/ADG5209F
目录
产品特性 .........................................................................................1
测试电路 .......................................................................................20
应用...................................................................................................1
术语 ................................................................................................23
功能框图 ..........................................................................................1
工作原理 .......................................................................................24
概述...................................................................................................1
开关架构 ..................................................................................24
产品特色 ..........................................................................................1
故障保护 ..................................................................................25
修订历史 ..........................................................................................2
应用信息 .......................................................................................26
技术规格 ..........................................................................................3
供电轨 ......................................................................................26
±15 V双电源 ..............................................................................3
电源时序保护 .........................................................................26
±20 V双电源 ..............................................................................5
信号范围 ..................................................................................26
12 V单电源.................................................................................7
电源建议 ..................................................................................26
36 V单电源.................................................................................9
高压电涌抑制 .........................................................................26
每通道连续电流，Sx、D或Dx............................................11
大电压高频信号 .....................................................................26
绝对最大额定值...........................................................................12
外形尺寸 .......................................................................................27
ESD警告....................................................................................12
订购指南 ..................................................................................27
引脚配置和功能描述 ..................................................................13
典型性能参数 ...............................................................................15
修订历史
2015年4月—修订版0：初始版
Rev. 0 | Page 2 of 27
ADG5208F/ADG5209F
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明，VDD = 15 V ± 10%，VSS = −15 V ± 10%，GND = 0 V，CDECOUPLING = 0.1 µF。
表1.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
故障
源极漏电流IS
过压条件下
电源接地或浮空
+25°C
250
270
250
270
2.5
6
2.5
6
6.5
8
1.5
3.5
0.7
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.3
±1.5
−40°C至
+85°C
VDD至VSS
335
395
335
395
12
13
12
13
9
9
4
4
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
±2
±5
±5
±10
±20
±25
±66
±78
µA(典型值)
±25
±40
µA(典型值)
±10
±50
±500
±70
电源接地
电源浮空
±700
±50
±700
±50
数字输入电容CIN
单位
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
漏极漏电流ID
过压条件下
数字输入
输入电压
高(VINH)
低(VINL)
输入电流IINL或IINH
−40°C至
+125°C
±0.7
±1.1
5.0
nA(典型值)
±90
nA(最大值)
nA(典型值)
±700
±50
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
±1.2
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测试条件/注释
VDD = +13.5 V，VSS = −13.5 V，参见图36
VS = ±10 V，IS = −1 mA
VS = ±9 V，IS = −1 mA
VS = ±10 V，IS = −1 mA
VS = ±9 V，IS = −1 mA
VS = ±10 V，IS = −1 mA
VS = ±9 V，IS = −1 mA
参见图28
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V
VS = ±10 V，VD = ∓10 V，参见图34
VS = ±10 V，VD = ∓10 V，参见图34
VS = VD = ±10 V，参见图35
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V或浮空，VSS = 0 V或浮空，GND = 0 V，
Ax = 0 V或浮空，VS = ±55 V，参见图32
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VDD = 浮空，VSS = 浮空，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VIN = VGND或VDD
ADG5208F/ADG5209F
参数
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
邻道
非邻道
总谐波失真加噪声(THD + N)
−3 dB带宽
ADG5208F
ADG5209F
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
ADG5208F
ADG5209F
CD (On)，CS (On)
ADG5208F
ADG5209F
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD/VSS
1
+25°C
180
230
180
235
95
125
130
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
245
260
250
260
145
145
90
90
115
745
945
−0.4
−76
130
130
965
970
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
pC(典型值)
dB(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 8 V，参见图45
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图43
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图41
−75
−88
0.005
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
190
290
10.5
4
MHz(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
13
8
pF(典型值)
pF(典型值)
20
14
pF(典型值)
pF(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图42
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF，参见图46
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图38
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图40
RL = 10 kΩ，VS = 15 V p-p，f = 20 Hz至20 kHz，
参见图37
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，参见图39
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图39
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V，GND = 0 V，
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
1.3
2
0.75
1.25
0.65
0.8
1.6
2.2
0.9
1.6
0.65
1.0
2
1.25
0.85
2.3
1.7
1.1
±5
±22
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 4 of 27
VS = ±55 V
GND = 0 V
GND = 0 V
ADG5208F/ADG5209F
±20 V双电源
除非另有说明，VDD = 20 V ± 10%，VSS = −20 V ± 10%，GND = 0 V，CDECOUPLING = 0.1 µF。
表2.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
故障
源极漏电流IS
过压条件下
+25°C
260
280
250
270
2.5
6
2.5
6
12.5
14
1.5
3.5
0.7
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.3
±1.5
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
VDD至VSS
345
405
335
395
12
13
12
13
15
15
4
4
±2
±5
±5
±10
±20
±25
单位
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±66
µA(典型值)
±25
µA(典型值)
漏极漏电流ID
过压条件下
±10
nA(典型值)
±2
±500
±2
电源接地
电源浮空
±700
±50
±700
±50
电源接地或浮空
数字输入
输入电压
高(VINH)
低(VINL)
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
±0.7
±1.1
5.0
±2
µA(最大值)
nA(典型值)
±700
±50
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
±1.2
Rev. 0 | Page 5 of 27
测试条件/注释
VDD = +18 V，VSS = −18 V，参见图36
VS = ±15 V，IS = −1 mA
VS = ±13.5 V，IS = −1 mA
VS = ±15 V，IS = −1 mA
VS = ±13.5 V，IS = −1 mA
VS = ±15 V，IS = −1 mA
VS = ±13.5 V，IS = −1 mA
参见图28
VDD = +22 V，VSS = −22 V
VS = ±15 V，VD = ∓15 V，参见图34
VS = ±15 V，VD = ∓15 V，参见图34
VS = VD = ±15 V，参见图35
VDD = +22 V，VSS = −22 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V或浮空，VSS = 0 V或浮空，GND = 0 V，
Ax = 0 V或浮空，VS = ±55 V，参见图32
VDD = +22 V，VSS = −22 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VDD = 浮空，VSS = 浮空，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VIN = VGND或VDD
ADG5208F/ADG5209F
参数
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
邻道
非邻道
总谐波失真加噪声(THD + N)
−3 dB带宽
ADG5208F
ADG5209F
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
ADG5208F
ADG5209F
CD (On)，CS (On)
ADG5208F
ADG5209F
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD/VSS
1
+25°C
190
245
185
250
95
120
140
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
270
285
270
280
145
145
90
75
105
820
1100
−0.8
−76
105
105
1250
1400
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
pC(典型值)
dB(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图45
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 10 V，参见图43
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图41
−75
−88
0.005
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
190
290
10.5
4
MHz(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
12
8
pF(典型值)
pF(典型值)
19
14
pF(典型值)
pF(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图42
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF，参见图46
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图38
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图40
RL = 10 kΩ，VS = 20 V p-p，f = 20 Hz至20 kHz，
参见图37
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，参见图39
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图39
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VDD = +22 V，VSS = −22 V，GND = 0 V，
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
1.3
2
0.75
1.25
0.65
0.8
1.6
2.2
0.9
1.6
0.65
1.0
2
1.25
0.85
2.3
1.7
1.1
±5
±22
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 6 of 27
VS = ±55 V
GND = 0 V
GND = 0 V
ADG5208F/ADG5209F
12 V单电源
除非另有说明，VDD = 12 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V，CDECOUPLING = 0.1 µF。
表3.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
故障
源极漏电流IS
过压条件下
+25°C
630
690
270
290
6
17
3
6.5
380
440
25
27
0.7
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.3
±1.5
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
0 V至VDD
710
730
355
410
19
19
11
12
460
460
28
28
±2
±5
±5
±10
±20
±25
单位
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±63
µA(典型值)
±25
µA(典型值)
漏极漏电流ID
过压条件下
±10
nA(典型值)
±50
±500
±70
电源接地
电源浮空
±700
±50
±700
±50
电源接地或浮空
数字输入
输入电压
高(VINH)
低(VINL)
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
±0.7
±1.1
5.0
±90
nA(最大值)
nA(典型值)
±700
±50
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
±1.2
Rev. 0 | Page 7 of 27
测试条件/注释
VDD = 10.8 V，VSS = 0 V，参见图36
VS = 0 V至10 V，IS = −1 mA
VS = 3.5 V至8.5 V，IS = −1 mA
VS = 0 V至10 V，IS = −1 mA
VS = 3.5 V至8.5 V，IS = −1 mA
VS = 0 V至10 V，IS = −1 mA
VS = 3.5 V至8.5 V，IS = −1 mA
参见图28
VDD = 13.2 V，VSS = 0 V
VS = 1 V/10 V，VD = 10 V/1 V，参见图34
VS = 1 V/10 V，VD = 10 V/1 V，参见图34
VS = VD = 1 V/10 V，参见图35
VDD = 13.2 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V或浮空，VSS = 0 V或浮空，GND = 0 V，
Ax = 0 V或浮空，VS = ±55 V，参见图32
VDD = 13.2 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VDD = 浮空，VSS = 浮空，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VIN = VGND或VDD
ADG5208F/ADG5209F
参数
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
邻道
非邻道
总谐波失真加噪声(THD + N)
−3 dB带宽
ADG5208F
ADG5209F
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
ADG5208F
ADG5209F
CD (On)，CS (On)
ADG5208F
ADG5209F
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD
1
+25°C
160
200
160
200
130
155
95
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
215
230
220
235
160
160
65
110
145
500
655
0.9
−74
145
145
720
765
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
pC(典型值)
dB(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 8 V，参见图45
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 8 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 8 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 8 V，参见图43
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图41
−75
−88
0.044
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
175
270
10.5
4
MHz(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
14
8
pF(典型值)
pF(典型值)
21
14
pF(典型值)
pF(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图42
VS = 6 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF，参见图46
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图38
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图40
RL = 10 kΩ，VS = 6 V p-p，
f = 20 Hz至20 kHz，参见图37
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，参见图39
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图39
VS = 6 V，f = 1 MHz
VS = 6 V，f = 1 MHz
VS = 6 V，f = 1 MHz
VDD = 13.2 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
1.3
2
0.75
1.4
0.5
0.65
1.6
2.2
0.9
1.6
0.65
1.0
2
1.4
0.7
2.3
1.7
1.1
8
44
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 8 of 27
VS = ±55 V
数字输入 = 5 V
VS = ±55 V，VD = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
ADG5208F/ADG5209F
36 V单电源
除非另有说明，VDD = 36 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V，CDECOUPLING = 0.1 µF。
表4.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
故障
源极漏电流IS
过压条件下
+25°C
310
335
250
270
3
7
3
6.5
62
70
1.5
3.5
0.7
±0.1
±1
±0.1
±1
±0.3
±1.5
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
0 V至VDD
415
480
335
395
16
18
11
12
85
100
4
4
±2
±5
±5
±10
±20
±25
单位
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±58
µA(典型值)
±25
µA(典型值)
漏极漏电流ID
过压条件下
±10
nA(典型值)
±50
±500
±70
电源接地
电源浮空
±700
±50
±700
±50
电源接地或浮空
数字输入
输入电压
高(VINH)
低(VINL)
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
±0.7
±1.1
5.0
±90
nA(最大值)
nA(典型值)
±700
±50
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
±1.2
Rev. 0 | Page 9 of 27
测试条件/注释
VDD = 32.4 V，VSS = 0 V，参见图36
VS = 0 V至30 V，IS = −1 mA
VS = 4.5 V至28 V，IS = −1 mA
VS = 0 V至30 V，IS = −1 mA
VS = 4.5 V至28 V，IS = −1 mA
VS = 0 V至30 V，IS = −1 mA
VS = 4.5 V至28 V，IS = −1 mA
参见图28
VDD = 39.6 V，VSS = 0 V
VS = 1 V/30 V，VD = 30 V/1 V，参见图34
VS = 1 V/30 V，VD = 30 V/1 V，参见图34
VS = VD = 1 V/30 V，参见图35
VDD = +39.6 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = +55 V、−40 V，参见图33
VDD = 0 V或浮空，VSS = 0 V或浮空，GND = 0 V，
Ax = 0 V或浮空，VS = ±55 V，参见图32
VDD = 39.6 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = ±55 V，参见图33
VDD = 0 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
VS = +55 V、−40 V，Ax = 0 V，参见图32
VDD = 浮空，VSS = 浮空，GND = 0 V，
VS = ±55 V，Ax = 0 V，参见图32
VIN = VGND或VDD
ADG5208F/ADG5209F
参数
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
邻道
非邻道
总谐波失真加噪声(THD + N)
−3 dB带宽
ADG5208F
ADG5209F
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
ADG5208F
ADG5209F
CD (On)，CS (On)
ADG5208F
ADG5209F
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD
1
+25°C
180
230
175
225
105
135
105
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
245
255
245
260
150
150
65
60
80
1400
1900
−0.9
−75
85
85
2100
2200
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
pC(典型值)
dB(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 18 V，参见图45
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 18 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 18 V，参见图44
RL = 1 kΩ，CL = 35 pF
VS = 18 V，参见图43
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图41
−75
−88
0.007
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
200
300
10.5
3
MHz(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
12
7
pF(典型值)
pF(典型值)
19
12
pF(典型值)
pF(典型值)
RL = 1 kΩ，CL = 5 pF，参见图42
VS = 18 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF，参见图46
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图38
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图40
RL = 10 kΩ，VS = 18 V p-p，
f = 20 Hz至20 kHz，参见图37
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，参见图39
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz，参见图39
VS = 18 V，f = 1 MHz
VS = 18 V，f = 1 MHz
VS = 18 V，f = 1 MHz
VDD = 39.6 V，VSS = 0 V，GND = 0 V，
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
1.3
2
0.75
1.4
0.5
0.65
1.6
2.2
0.9
1.6
0.65
1.0
2
1.4
0.7
2.3
1.7
1.1
8
44
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 10 of 27
VS = +55 V、−40 V
GND = 0 V
GND = 0 V
ADG5208F/ADG5209F
每通道连续电流，Sx、D或Dx
表5.
参数
ADG5208F, θJA = 112.6°C/W
25°C
27
16
85°C
16
11
125°C
8
7
单位
mA(最大值)
mA(最大值)
测试条件/注释
VS = VSS至VDD − 4.5 V
VS = VSS至VDD
ADG5209F, θJA = 112.6°C/W
20
12
13
8
8
6
mA(最大值)
mA(最大值)
VS = VSS至VDD − 4.5 V
VS = VSS至VDD
Rev. 0 | Page 11 of 27
ADG5208F/ADG5209F
绝对最大额定值
除非另有说明，TA = 25°C。
注意，等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永
表6.
久性损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任
参数
VDD至VSS
VDD至GND
VSS至GND
Sx引脚
Sx至VDD或VSS
VS至VD
D或Dx引脚1
数字输入2
峰值电流，Sx、D或Dx引脚
连续电流，Sx、D或Dx引脚
D或Dx引脚，过压状态，
负载电流
工作温度范围
存储温度范围
结温
热阻θJA(4层板)
回流焊峰值温度，无铅
1
2
3
额定值
48 V
−0.3 V至+48 V
−48 V至+0.3 V
−55 V至+55 V
80 V
80 V
VSS − 0.7 V至VDD + 0.7 V或
30 mA，以最先出现者为准
GND − 0.7 V至48 V或30 mA，
以最先出现者为准
72.5 mA(1 ms脉冲，
最大10%占空比)
数据3 + 15%
1 mA
何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推
断产品能否正常工作。长期在超出最大额定值条件下工作
会影响产品的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
150°C
112.6°C/W
依据JEDEC J-STD-020
D或Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定值为限。
数字输入为EN和Ax引脚。
参见表5。
Rev. 0 | Page 12 of 27
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。
尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能
量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的
ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
ADG5208F/ADG5209F
引脚配置和功能描述
A0 1
16 A1
EN 2
15 A2
S1 4
S2 5
ADG5208F
14 GND
13 VDD
TOP VIEW
(Not to Scale) 12 S5
S3 6
11 S6
S4 7
10 S7
D 8
9
S8
13035-003
VSS 3
图3. ADG5208F引脚配置
表7. ADG5208F引脚功能描述
引脚编号
1
2
引脚名称
A0
EN
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VSS
S1
S2
S3
S4
D
S8
S7
S6
S5
VDD
GND
A2
A1
描述
逻辑控制输入。
高电平有效数字输入。当此引脚处于低电平时，器件禁用，所有开关断开。
当此引脚为高电平时，Ax逻辑输入决定接通哪些开关。
最低负电源电位。
过压保护源极引脚1。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚2。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚3。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚4。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚8。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚7。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚6。该引脚可以是输入或输出。
过压保护源极引脚5。该引脚可以是输入或输出。
最高正电源电位。
地(0 V)参考。
逻辑控制输入。
逻辑控制输入。
表8. ADG5208F真值表
A2
X1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
A1
X1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X1
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X表示无关。
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导通开关
无
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
ADG5208F/ADG5209F
A0
1
EN
2
VSS
3
S1A
4
S2A
5
13 S1B
TOP VIEW
(Not to Scale) 12 S2B
S3A
6
11 S3B
S4A
7
10 S4B
DA
8
9
16 A1
15 GND
14 VDD
DB
13035-005
ADG5209F
图4. ADG5209F引脚配置
表9. ADG5209F引脚功能描述
引脚编号
1
2
引脚名称
A0
EN
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VSS
S1A
S2A
S3A
S4A
DA
DB
S4B
S3B
S2B
S1B
VDD
GND
A1
描述
逻辑控制输入。
高电平有效数字输入。当此引脚处于低电平时，器件禁用，所有开关断开。
当此引脚为高电平时，Ax逻辑输入决定接通哪些开关。
最低负电源电位。
带过压保护的源极引脚1A。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚2A。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚3A。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚4A。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚A。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚B。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚4B。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚3B。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚2B。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚1B。该引脚可以是输入或输出。
最高正电源电位。
地(0 V)参考。
逻辑控制输入。
表10. ADG5209F真值表
A1
X1
0
0
1
1
1
A0
X1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
导通对
无
S1x
S2x
S3x
S4x
X表示无关。
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ADG5208F/ADG5209F
典型性能参数
1200
800
VDD = +15V
VSS = –15V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
1200
ON RESISTANCE (Ω)
1000
600
400
200
1000
800
600
400
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
0
–15
13035-105
0
–25
600
400
200
1000
3
6
9
12
15
800
600
400
4
6
8
10
12
14
0
–20
1200
–10
–5
0
5
10
15
20
12
VS, VD (V)
图9. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(±20 V双电源)
1400
TA = 25°C
39.6V
36.0V
32.4V
VDD = 12V
VSS = 0V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
1200
ON RESISTANCE (Ω)
1000
–15
13035-109
2
13035-106
0
图6. RON 与VS 、VD 的关系(12 V单电源)
800
600
400
200
1000
800
600
400
200
0
5
10
15
20
25
30
VS, VD (V)
35
40
13035-107
ON RESISTANCE (Ω)
0
200
VS, VD (V)
0
–3
VDD = +20V
VSS = –20V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
1200
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
1400
800
0
–6
图8. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(±15 V双电源)
TA = 25°C
13.2V
12.0V
10.8V
1000
–9
VS, VD (V)
图5. RON 与VS 、VD 的关系(双电源)
1200
–12
13035-108
200
13035-110
ON RESISTANCE (Ω)
1400
TA = 25°C
±22V
±20V
±18V
±16.5V
±15.0V
±13.5V
图7. RON 与VS 、VD 的关系(36 V单电源)
0
0
2
4
6
8
10
VS, VD (V)
图10. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(12 V单电源)
Rev. 0 | Page 15 of 27
ADG5208F/ADG5209F
1000
800
600
400
0.5
0
–0.5
200
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
VS, VD (V)
–1.0
13035-111
0
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V, 10V
1.0
LEAKAGE CURRENT (nA)
1200
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
20
3
100
120
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V, 30V
2
0.5
0
–0.5
–1.0
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
–2.0
0
20
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
40
60
1
0
–1
–2
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–4
0
6
LEAKAGE CURRENT (nA)
0
–1
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
20
80
100
120
VDD = +15V
VSS = –15V
40
60
4
3
2
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
1
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
13035-113
–3
60
5
1
–2
40
图15. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = ±15V
2
20
TEMPERATURE (°C)
图12. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
3
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
–3
13035-115
LEAKAGE CURRENT (nA)
1.0
13035-112
LEAKAGE CURRENT (nA)
80
1.5
–1.5
LEAKAGE CURRENT (nA)
60
图14. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = ±10V
2.0
40
TEMPERATURE (°C)
图11. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(36 V单电源)
2.5
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
0
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
图16. 过压漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
图13. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
Rev. 0 | Page 16 of 27
120
13035-116
ON RESISTANCE (Ω)
1.5
VDD = 36V
VSS = 0V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
13035-114
1400
ADG5208F/ADG5209F
0
VDD = +20V
VSS = –20V
OFF ISOLATION (dB)
4
3
2
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
0
20
–60
–80
–100
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–140
1k
10k
0
VDD = 12V
VSS = 0V
CROSSTALK (dB)
3
2
1G
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–60
–80
–100
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–140
10k
1G
4
CHARGE INJECTION (pC)
4
3
2
VS = –30V
VS = +40V
VS = –40V
VS = +55V
2
0
–2
–4
–6
TA = 25°C
–8
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
13035-119
20
100M
6
5
0
10M
图21. 串扰与频率的关系(±15 V双电源)
VDD = 36V
VSS = 0V
1
1M
FREQUENCY (Hz)
图18. 过压漏电流与温度的关系(12 V单电源)
6
100k
13035-121
0
–120
13035-118
LEAKAGE CURRENT (nA)
–40
1
LEAKAGE CURRENT (nA)
100M
ADJACENT CHANNELS
NONADJACENT CHANNELS, COMMON DRAIN
NONADJACENT CHANNELS, SEPARATE DRAIN
–20
4
0
10M
图20. 关断隔离与频率的关系(±15 V双电源)
5
0
1M
FREQUENCY (Hz)
图17. 过压漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
6
100k
–10
VDD = 36V, VSS = 0V
VDD = 12V, VSS = 0V
0
5
10
15
20
25
30
35
VS (V)
图22. 电荷注入与源电压(VS )的关系(单电源)
图19. 过压漏电流与温度的关系(36 V单电源)
Rev. 0 | Page 17 of 27
40
13035-122
0
–40
–120
13035-117
LEAKAGE CURRENT (nA)
5
1
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
13035-120
6
8
–9
6
–10
ADG5209F
ADG5208F
–11
4
–12
BANDWIDTH (dB)
2
0
–2
–4
–13
–14
–15
–16
–17
TA = 25°C
–8
–18
VDD = +20V, VSS = –20V
–10
–20
–19
VDD = +15V, VSS = –15V
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS (V)
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
10k
100k
图23. 电荷注入与源电压(VS )的关系(双电源)
0
10M
100M
1G
图26. 带宽与频率的关系
220
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
1M
FREQUENCY (Hz)
13035-126
–6
13035-123
CHARGE INJECTION (pC)
ADG5208F/ADG5209F
210
VDD
VDD
VDD
VDD
= +12V,
= +36V,
= +15V,
= +20V,
VSS
VSS
VSS
VSS
= 0V
= 0V
= –15V
= –20V
200
tTRANSITION (ns)
ACPSRR (dB)
–40
–60
–80
190
180
170
160
–100
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
140
–40
13035-124
–120
10k
–20
80
100
120
100
120
0.8
THRESHOLD VOLTAGE, VT (V)
0.04
0.03
= +12V,
= +36V,
= +15V,
= +20V,
VSS
VSS
VSS
VSS
= 0V, VS = +6V p-p
= 0V, VS = +18V p-p
= –15V, VS = +15V p-p
= –20V, VS = +20V p-p
0.01
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0
0
5
10
15
FREQUENCY (kHz)
20
图25. THD + N与频率的关系
0
–40
–20
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
图28. 阈值电压(VT )与温度的关系
Rev. 0 | Page 18 of 27
13035-128
0.1
13035-125
THD + N (%)
60
0.9
0.05
VDD
VDD
VDD
VDD
40
图27. tTRANSITION 与温度的关系
LOAD = 10kΩ
TA = 25°C
0.02
20
TEMPERATURE (°C)
图24. ACPSRR与频率的关系(±15 V双电源)
0.06
0
13035-127
150
ADG5208F/ADG5209F
T
TA = 25°C
VDD = +10V
VSS = –10V
20
SIGNAL VOLTAGE (V p-p)
VS
VDD
DRAIN
2
VSS
16
12
8
DISTORTIONLESS
OPERATING REGION
CH2 10V
CH4 10V
1µs
T
2.5GS/s A CH1
–10.0ns 100k POINTS
15.2V
0
图31. 大电压信号跟踪与频率的关系
T
VDD
DRAIN
VSS
CH2 10V
CH4 10V
1µs
T
2.5GS/s A CH1
–10.0ns 100k POINTS
–15.6V
13035-130
VS
CH1 10V
CH3 10V
10
FREQUENCY (MHz)
图29. 漏极输出对正过压的响应
2
1
图30. 漏极输出对负过压的响应
Rev. 0 | Page 19 of 27
100
13035-131
CH1 10V
CH3 10V
13035-129
4
ADG5208F/ADG5209F
测试电路
VDD
D/Dx
A
VDD
13035-040
RL
10kΩ
VS
Sx
D/Dx
D/Dx
ID
RL
50Ω
GND
OFF ISOLATION = 20 log
图33. 开关过压泄漏
IS (OFF)
A
ADG5208F*
S1
D
VDD
0.1µF
A
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
13035-035
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
S1
D
VS
D/Dx
VIN
RL
50Ω
GND
图34. 关断泄漏
ADG5208F*
50Ω
Ax
VD
NC
ID (ON)
INSERTION LOSS = 20 log
A
S2
VOUT
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
图39. 带宽
VDD
S8
A
VS
VSS
0.1µF
ID (OFF)
S8
A
VOUT
图38. 关断隔离
VDD
VS
VOUT
A
RL
10kΩ
|VS| > |VDD| OR |VSS|
VS
VIN
13035-039
Sx
A
50Ω
50Ω
Ax
图32. 开关未供电泄漏
IS
NETWORK
ANALYZER
VSS
13035-037
Sx
A
0.1µF
ID
13035-041
IS
VSS
0.1µF
VDD = VSS = GND = 0V
VSS
0.1µF
0.1µF
VD
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
VDD
RL
50Ω
V
IDS
RON = V/IDS
0.1µF
VDD
AUDIO
PRECISION
VSS
RS
Sx
VS
V p-p
Ax
D/Dx
GND
RL
10kΩ
VOUT
13035-042
VIN
VS
图40. 通道间串扰
VSS
VDD
0.1µF
图37. THD + N
Rev. 0 | Page 20 of 27
VOUT
S2/S2x
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
图36. 导通电阻
RL
50Ω
D/Dx
GND
D/Dx
13035-034
VS
NETWORK
ANALYZER
S1/S1x
图35. 导通泄漏
Sx
VSS
VOUT
VS
13035-038
NC = NO CONNECT
13035-036
VS
ADG5208F/ADG5209F
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VSS
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
Sx
VD
D/Dx
0V
tRESPONSE
ADG5208F/
ADG5209F
VDD
OTHER SOURCE/
DRAIN PINS
GND
OUTPUT × 0.5
OUTPUT
(VD)
RL
1kΩ
CL
5pF
VS
0V
13035-043
NOTES
1. THE OUTPUT PULLS TO VDD WITHOUT A 1kΩ RESISTOR (INTERNAL 40kΩ
PULL-UP RESISTOR TO THE SUPPLY RAIL DURING A FAULT).
图41. 过压响应时间tRESPONSE
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
Sx
VD
D/Dx
CL
5pF
VS
0V
ADG5208F/
ADG5209F
tRECOVERY
OUTPUT
(VD)
RL
1kΩ
OTHER SOURCE/
DRAIN PINS
OUTPUT × 0.5
GND
0V
13035-044
NOTES
1. THE OUTPUT STARTS FROM THE VDD CLAMP LEVEL WITHOUT A 1kΩ RESISTOR
(INTERNAL 40kΩ PULL-UP RESISTOR TO THE SUPPLY RAIL DURING A FAULT).
图42. 过载恢复时间tRECOVERY
VSS
VDD
0.1µF
3V
0.1µF
VDD
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VSS
A0
A1
VIN
0V
A2
S1
VS
S2 TO S7
S8
80%
ADG5208F*
80%
OUTPUT
2.0V
D
EN
GND
OUTPUT
1kΩ
35pF
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
图43. 先开后合时间延迟tD
Rev. 0 | Page 21 of 27
13035-045
tD
ADG5208F/ADG5209F
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
3V
VSS
VDD
ENABLE
DRIVE (VIN)
50%
A0
50%
S1
A1
0V
A2
tON (EN)
ADG5208F*
tOFF (EN)
0.9VOUT
OUTPUT
D
EN
OUTPUT
VS
S2 TO S8
VIN
35pF
1kΩ
GND
13035-046
0.1VOUT
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
图44. 使能延迟tON (EN)、tOFF (EN)
VSS
VDD
0.1µF
3V
ADDRESS
DRIVE (VIN)
50%
50%
0.1µF
tr < 20ns
tf < 20ns
VDD
VSS
A0
0V
S1
A1
VIN
A2
tTRANSITION
VS1
S2 TO S7
tTRANSITION
VS8
S8
90%
ADG5208F*
2.0V
OUTPUT
D
EN
OUTPUT
GND
1kΩ
35pF
13035-047
90%
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
图45. 地址到输出切换时间tTRANSITION
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD
3V
VSS
A0
A1
VIN
A2
ADG5208F*
QINJ = CL × ΔV OUT
RS
ΔVOUT
S1
D
EN
GND
VS
VIN
VOUT
CL
1nF
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
图46. 电荷注入QINJ
Rev. 0 | Page 22 of 27
13035-048
VOUT
ADG5208F/ADG5209F
术语
IDD
tOFF (EN)
IDD表示正电源电流。
tOFF (EN)表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间
ISS
(见图44)。
ISS表示负电源电流。
tTRANSITION
VD和VS
tTRANSITION表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时，
数字输入的50%点与通电的90%点之间的延迟时间。
VD和VS分别表示D/Dx引脚和Sx引脚上的模拟电压。
tD
RON
tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时，在两个
RON表示D/Dx引脚与Sx引脚之间的电阻(欧姆)。
开关的90%点之间测得的关断时间。
∆RON
tRESPONSE
ΔRON表示任意两个通道的RON之差。
tRESPONSE表示源极电压超过电源电压0.5 V与漏极电压降至峰
RFLAT(ON)
RFLAT (ON)表示平坦度，定义为在额定模拟信号范围内测得的
导通电阻最大值与最小值之差。
值电压的50%之间的延迟时间。
tRECOVERY
tRECOVERY表示Sx引脚上的过压降至电源电压加0.5 V以下与漏
IS (Off)
极电压从0 V升至峰值电压的50%之间的延迟时间。
IS (off)表示开关断开时的源极漏电流。
关断隔离
ID (Off)
关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号。
ID (off)表示开关断开时的漏极漏电流。
电荷注入
ID (On)和IS (On)
电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺
ID (on)和IS (on)表示开关接通时的通道漏电流。
脉冲。
VINL
通道间串扰
VINL表示逻辑0的最大输入电压。
串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的
VINH
无用信号。
VINH表示逻辑1的最小输入电压。
插入损耗
IINL和IINH
插入损耗指开关导通电阻引起的损耗。
IINL和IINH表示数字输入的最低和最高输入电流。
−3 dB带宽
CD (Off)
CD (off)表示开关断开时的漏极电容，以地为参考进行测量。
CS (Off)
CS (off)表示开关断开时的源极电容，以地为参考进行测量。
带宽指输出衰减3 dB的频率。
交流电源抑制比(ACPSRR)
ACPSRR表示输出信号的幅度与调制幅度的比值，用于衡
量器件避免将电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开
关输出端的能力。该器件的直流电压由一个0.62 V p-p的正
CD (On)，CS (On)
CD (on)和CS (on)表示开关接通时的电容，以地为参考进行
弦波调制。
测量。
导通响应
CIN
导通响应指开关接通时的频率响应。
CIN表示数字输入电容。
VT
tON (EN)
VT表示过压保护电路启动的电压阈值(参见图28)。
tON (EN)表示施加数字控制输入与输出开启之间的延迟时间
总谐波失真加噪声(THD + N)
(见图44)。
THD + N表示信号的谐波幅度加噪声与基波的比值。
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ADG5208F/ADG5209F
工作原理
开关架构
过压期间，流入流出源极引脚的漏电流以数十微安为限。
ADG5208F/AD G5209F的 每 个 通 道 由 一 对 NDMOS和
如果取消选择源极引脚，则漏极引脚上仅有数纳安的漏电
PDMOS晶体管并联而成。这种结构可在信号范围内提供
流。然而，如果选择源极，该引脚将被拉至供电轨。将漏
出 色 的 性 能 。 当 输 入 信 号 电 压 介 于 V SS 和 V DD 之 间 时 ，
极引脚拉至供电轨的器件具有约40 kΩ的阻抗，因此，在负
ADG5208F/ADG5209F各通道用作标准开关。例如，导通
载短路情况下，D或Dx引脚电流限制在约1 mA。此内部阻
电阻典型值为250 Ω，开关的断开或闭合通过相应的地址引
抗还决定确保在故障期间将漏极引脚拉至期望电平所需的
脚控制。
最小外部负载电阻。发生过压事件时，不受过压输入干扰
利用其它内部电路，开关可以将源极引脚上的电压与VDD和
的通道继续正常工作，不会产生额外的串扰。
VSS进行比较，从而检测过压输入。如果信号电压比电源电
ESD性能
压高出电压阈值VT，则认为该信号过压。阈值电压典型值
漏极引脚具有ESD保护二极管，提供针对供电轨的保护；
为0.7 V，但可能在0.8 V(在−40°C下工作时)至0.6 V(在+125°C
这些引脚的电压不可超过电源电压。源极引脚具有专项
下工作时)范围内变动。VT变化与工作温度的关系参见图28。
ESD保护功能，允许信号电压达到±55 V而无论电源电压水
任何源极输入上能够施加的电压范围为+55 V至−55 V。当器
平如何。开关通道功能概览参见图47。
件由25 V或更大的单电源供电时，最小信号电平从−55 V提
沟槽隔离
高至−40 V(VDD = +40 V时)，以便保持最大额定值80 V。当
开关断开时，通道的工艺结构可以承受80 V电压。无论电
源存在与否，这些过压限值均适用。
有情况下的闩锁现象。
ESD
Sx
NDMOS
PDMOS
P-WELL
N-WELL
D/Dx
SWITCH
DRIVER
ESD
VSS
LOGIC
BLOCK
13035-049
FAULT
DETECTOR
Ax
晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟道)。因此，它与结隔
离式开关不同，晶体管之间不存在寄生结，从而消除了所
VDD
ESD
PROTECTION
在ADG5208F和ADG5209F中，各开关的NDMOS与PDMOS
图47. 开关通道和控制功能
过压反应
源极引脚上检测到过压条件时，无论处于何种数字逻辑状
态，开关都会自动断开。源极引脚变为高阻抗，如果选择
源极电压超过V DD ，漏极输出将被拉至V DD ；V SS 同样如
此。在图29中可以看到，漏极引脚上的电压跟随源极引脚
上的电压，直到开关完全关断。然后，因为有1 kΩ负载电
阻，漏极引脚被拉至GND，否则它将被拉至VDD电源。漏
极上的最大电压由内部ESD二极管限制，并且输出电压的
放电速率取决于引脚上的负载。
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TRENCH
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
图48. 沟槽隔离
13035-050
该源极引脚，漏极引脚将被拉至所超过的电源。例如，若
ADG5208F/ADG5209F
故障保护
这些计算全都在器件规格范围内：源极输入故障最大值为
当源极输入电压比VDD或VSS高出VT时，开关关断，或者，
55 V，关断开关通道上的最大电压为80 V。
如果器件未供电，开关将保持关断状态。开关输入将保持
+22V
0V
–22V
VDD
GND
VSS
高阻态，与数字输入状态无关；如果选择的话，漏极将被
拉至VDD或VSS。无论是否供电，只要源极和电源引脚之间
达到80 V限值，就会阻塞最高+55 V和−55 V的信号电平。
+22V
−55V
上电保护
+55V
ADG5208F
S1
S2
S3
D
开关处于接通状态必须满足以下三个条件：
S8
• VDD至VSS ≥ 8 V
1-OF-8
DECODER
A0
• 数字逻辑控制输入有效
A1
A2
EN
0V
+5V
当开关接通时，最高达到供电轨的信号电平可以通过。
13035-051
• 输入信号介于VSS − VT和VDD + VT之间
图49. 过压条件下的ADG5208F
当模拟输入比VDD或VSS高出阈值电压VT时，开关关断。绝
掉电保护
对输入电压限值是−55 V和+55 V，同时源极引脚和供电轨之
没有电源时，开关保持关断状态，开关输入处于高阻态。
间需要保持80 V限值。开关将一直处于关断状态，直到源极
这种状态可确保没有电流流动，防止开关或下游电路受
引脚上的电压回到VDD与VSS之间。
损。开关输出为虚拟开路。
采用±15 V双电源供电时，故障响应时间(tRESPONSE)典型值为
无论VDD和VSS电源是0 V还是浮空，开关均保持关断状态。
90 ns，故障恢复时间(tRECOVERY)为745 ns。这些时间会因电源
为确保正常工作，GND基准必须始终存在。在未供电条件
电压和输出负载条件不同而改变。
下，高达±55 V的信号电平会被阻塞。
任一源极输入电压超过±55 V时，可能会损坏器件上的ESD
数字输入保护
保护电路。
无电源时，ADG5208F和ADG5209F可以容忍器件上存在数
开关通道上的最大电压为80 V，因此，在故障条件下用户必
字输入信号。未向器件供电时，开关保证处于关断状态，
须密切关注此限值。
无论数字逻辑信号处于何种状态。
例如，考虑器件用在图49所示的设置中。
数字输入受到最高44 V的正过压故障保护。数字输入未提
• VDD/VSS = ±22 V，S1 = +22 V，选择S1
• S2发生−55 V故障，S3发生+55 V故障
供负过压保护。数字输入上存在ESD保护二极管(连接到
GND)。
• S2与D之间的电压 = +22 V − (−55 V) = +77 V
• S3与D之间的电压 = 55 V− 22 V = 33 V。
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ADG5208F/ADG5209F
应用信息
某些仪器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环
电源建议
境中可能存在过压信号，过压发生期间及之后，系统均必
ADI公司提供广泛的电源管理产品，可满足大多数高性能
须保持工作状态，过压保护系列开关和多路复用器为这些
信号链的需求。
应用提供了稳定可靠的解决方案。
图50所示为一个双极性电源解决方案示例。ADP7118和
供电轨
ADP7182可用来从ADP5070(双通道开关稳压器)输出产生
为保证器件正常工作，需要0.1 µF去耦电容。
干净的正负供电轨。这些供电轨可用来为典型信号链中的
ADG5208F/ADG5209F放大器和/或精密转换器供电。
供电。VDD和VSS上的电源不必对称，但VDD至VSS范围不得
+16V
超过44 V。ADG5208F和ADG5209F也可以采用8 V到44 V的
单电源供电，此时VSS连接到GND。
ADP7118
+15V
ADP7182
–15V
LDO
12V
INPUT
ADP5070
–16V
LDO
这些器件的额定电源电压范围为±15 V、±20 V、+12 V和
+36 V。
13035-052
ADG5208F和ADG5209F可以采用±5 V到±22 V的双极性电源
图50. 双极性电源解决方案
表11. 推荐电源管理器件
电源时序保护
器件未供电时，开关通道保持断开，可以施加−55 V至+55 V
的信号而不会损坏器件。仅当连接电源，将一个适当的数
字控制信号置于地址引脚且信号处于正常工作范围内时，
开关通道才会闭合。某些系统在电源电压可用之前就会将
产品
ADP5070
ADP7118
ADP7142
ADP7182
描述
1 A/0.6 A，带独立正负输出的DC-DC
开关稳压器
20 V、200 mA、低噪声CMOS LDO
40 V、200 mA、低噪声CMOS LDO
−28 V、−200 mA、低噪声、线性稳压器
信号提供给源极引脚，对此，把ADG5208F/ADG5209F放
高压电涌抑制
在外部连接器与敏感器件之间可提供保护。
ADG5208F/ADG5209F并非针对极高电压应用而设计。晶
信号范围
体管的最大工作电压为80 V。在输入过压可能超过击穿电压
ADG5208F/ADG5209F开关的输入端具有过压检测电路，可
的应用中，应使用瞬变电压抑制器(TVS)或类似器件。
将源极引脚上的电压与VDD和VSS进行比较。为保护下游电
大电压高频信号
路不受过压损害，应向ADG5208F/ADG5209F提供与目标信
号范围匹配的电压。额外的保护结构使得最高达到供电轨
的信号可以通过，只有比供电轨高出阈值电压的信号才会
被阻塞。该信号模块可以保护开关器件及所有下游电路。
图31显示了ADG5208F/ADG5209F能够可靠传送的电压范
围和频率。对于覆盖从VSS到VDD的全部信号范围的信号，
频率应低于1 MHz。如果要求的频率大于1 MHz，则应当相
应地缩小信号范围，以确保信号完整性。
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ADG5208F/ADG5209F
外形尺寸
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.30
0.19
0.65
BSC
COPLANARITY
0.10
0.20
0.09
SEATING
PLANE
8°
0°
0.75
0.60
0.45
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
图51. 16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
(RU-16)
图示尺寸单位：mm
订购指南
型号1
ADG5208FBRUZ
ADG5208FBRUZ-RL7
ADG5209FBRUZ
ADG5209FBRUZ-RL7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
Z = 符合RoHS标准的器件。
©2015 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D13035sc-0-4/15(0)
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封装选项
RU-16
RU-16
RU-16
RU-16