Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im SMR®-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in SMR® Package SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Features • Hohe Pulsleistung und hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe • SMR® (Surface Mount Radial)-Gehäuse • Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) • Sehr hohe Langzeitstabilität • Hohe Zuverlässigkeit • • • • • Anwendungen • Bauteil mit hoher Strahlstärke zur Oberflächenmontage (SMT) • Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) • Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung • Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) • Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen • Alarm- und Sicherungssysteme • IR Freiraumübertragung Applications 2000-01-01 High pulse power and high radiant flux Φe SMR® (Surface Mount Radial) package Very short switching times (10 ns) Very high long-time stability High reliability • Device with high radiant intensity suitable for surface mounting (SMT) • High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) • Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission • Low power consumption (battery) equipment • Suitable for professional and high-reliability applications • Alarm and safety equipment • IR free air transmission 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4500, SFH 4505 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4500 Q62702-P5163 SFH 4505 Q62702-P5164 5-mm-SMR®-Gehäuse (T1 ¾), schwarzes EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 4500 gebogen, SFH 4505 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennung: siehe Maßzeichnung. 5 mm SMR® package (T1 ¾), black epoxy resin, solder tabs (SFH 4500 bent, SFH 4505 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see package outline. Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 … + 85 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaßstrom Forward current IF (DC) 100 mA Stoßstrom Surge current tp = 10 µs, D = 0 IFSM 1 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 180 mW Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm RthJA 375 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4500, SFH 4505 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms ∆λ 40 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 10 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10% Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10% IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω tr, tf 10 ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 35 pF VF VF 1.5 (≤ 1.8) 3.2 (≤ 3.6) V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V IR 0.01 (≤ 10) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 32 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe Temperature coefficient of Ie or Φe IF = 100 mA TCI – 0.44 %/K Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4500, SFH 4505 Kennwerte (TA = 25 °C) (cont’d) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ IF = 100 mA TCλ + 0.2 nm/K Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie typ 40 80 mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ 500 mW/sr Strahlstärke Ιe in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr Radiant Intensity Ιe in Axial Direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Lötpadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Temperatur des Kolbens Maximale zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Temperature of the soldering bath Max. perm. Distance soldering time between solder joint and case Temperature of the soldering iron Max. permissible soldering time Distance between solder joint and case 260 °C 10 s 300 °C 3s ≥ 1.5 mm 2000-01-01 Abstand Lötstelle – Gehäuse ≥ 1.5 mm 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4500, SFH 4505 Relative Spectral Emission Ierel = f (λ) Radiant Intensity Ιe/Ιe (100 mA) = f (IF) Single pulse, tp = 20 µs OHF00777 100 Ι erel Max. Permissible Forward Current IF = f (TA) OHF00809 10 2 ΙF Ιe Ι e (100 mA) 80 OHF00387 120 mA 100 80 60 10 0 40 10 -1 60 40 10 -2 20 0 800 850 900 950 1000 10 -3 10 0 nm 1100 λ Forward Current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 1 10 2 0 10 3 mA 10 4 ΙF 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Radiation Characteristic Ierel = f (ϕ) OHF00784 10 4 mA 20 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ OHF01019 1.0 10 3 50˚ 10 2 0.6 10 1 60˚ 0.4 10 0 70˚ 10 -1 0.2 80˚ 10 -2 10 -3 0.8 0 90˚ 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 V 4.5 VF 2000-01-01 100˚ 1.0 0.8 0.6 5 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4500, SFH 4505 Maßzeichnungen Package Outlines SFH 4500 2.7 2.3 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.05 R 1.95 14.7 13.1 (3.2) -0.1...0.1 3.7 3.3 6.0 5.4 2.54 mm spacing Cathode 4.5 3.9 7.7 7.1 GEO06960 Chip position 4.5 3.9 8.0 2.05 R 1.95 (3.2) (R 2.8) -0.15...0..15 4.8 4.4 7.4 2.7 2.4 SFH 4505 15.5 14.7 6.0 5.4 2.54 mm spacing Cathode (3.2) 4.5 3.9 7.7 7.1 GEO06961 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS