g5645 etc kgpd1004j

GaAsPフォトダイオード
G5645
G5842
G6262
短波長域に感度をもつ拡散型フォトダイオード
(2次光の影響を受けにくい)
特長
用途
低暗電流
分析機器
狭い感度波長範囲
紫外線検出
一般定格/絶対最大定格
型名
G5645
G5842
G6262
外形
寸法図/
窓材
/K *
パッケージ
TO-18
プラスチック
プラスチック
(mm2)
逆電圧
VR Max.
(V)
絶対最大定格
動作温度
Topr
(°C)
保存温度
Tstg
(°C)
0.58
5
-30 ~ +80
-40 ~ +85
受光面
サイズ
有効
受光面積
(mm)
0.8 × 0.8
* 硼珪酸ガラス
電気的および光学的特性 (指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
型名
G5645
G5842
G6262
感度
波長
範囲
λ
最大
感度
波長
λp
(nm)
(nm)
300~580 470
260~400 370
280~580 470
受光感度
S
(A/W)
λp
GaP
LED
560 nm
0.28
0.06
0.2
0.05
0.05
短絡電流
Isc
1000 lx
Min.
(nA)
60
45
Typ.
(nA)
90
2
65
端子間
暗電流
暗電流 上昇時間
容量
並列抵抗
の
ID
tf
Ct
Rsh
NEP
VR=5 V 温度係数 VR=0 V
VR=0 V VR=10 mV
TCID
Max.
RL=1 kΩ
f=10 kHz
Min. Typ.
(pA)
(倍/°C)
(µs)
(pF) (GΩ) (GΩ) (W/Hz1/2)
2.3 × 10-15
50
1.07
3
80
10
80 7.6 × 10-15
2.3 × 10-15
浜松ホトニクス株式会社
1
GaAsPフォトダイオード
G5645, G5842, G6262
分光感度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.5
(Typ. Ta=25 °C)
0.1
0.08
0.4
਋࢕ۜഽ (A/W)
਋࢕ۜഽ (A/W)
G5842
G5645
0.3
G6262
0.2
0.04
0.02
0.1
0
200
0.06
300
400
500
600
700
0
200
800
300
෨ ಿ (nm)
400
500
෨ ಿ (nm)
KGPDB0029JC
KGPDB0001JC
感度の温度特性
上昇時間-負荷抵抗
(Typ.)
+3.0
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V)
10 ms
+2.5
1 ms
ષઌশ‫ۼ‬
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
+2.0
+1.5
+1.0
100 µs
10 µs
+0.5
1 µs
0
-0.5
200
300
400
500
600
700
800
෨ ಿ (nm)
100 ns
102
103
104
105
106
໅‫ك‬೷ࢯ (Ω)
KGPDB0030JA
KGPDB0031JA
2
GaAsPフォトダイオード
G5645, G5842, G6262
暗電流-逆電圧
並列抵抗-周囲温度
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V)
100 pA
(Typ. VR=10 mV)
10 TΩ
1 TΩ
10 pA
ճഩၠ
໼Ⴅ೷ࢯ
100 GΩ
1 pA
10 GΩ
1 GΩ
100 MΩ
100 fA
0.001
0.01
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
10 MΩ
-20
0
20
40
60
80
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
KGPDB0032JA
KGPDB0033JA
短絡電流の直線性 (G5645, G6262)
0.8
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V, RL=2 Ω, ΑεΛΠ࢕΍ͼΒ= 500 µm, λ=408 nm)
0.7
ౣ၁ഩၠ (mA)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.3
0.1
0
0
1
2
3
4
5
࢕ၾ (mW)
KGPDB0008JB
3
GaAsPフォトダイオード
G5645, G5842, G6262
外形寸法図 (単位: mm)
1.25 ± 0.25
4.0
4.0
2.54
3.55 ± 0.2
ȁ4.7 ± 0.1
਋࢕࿂
(3 ×) 0.5
(3.4)
3.2
(έͻσΗ)
ȁ5.4 ± 0.2
2.4
වৣௗ
ȁ3.0 ± 0.2
G5842, G6262
4.0
G5645
1.25 ± 0.25
6.5 ± 0.2
14
ȁ0.45
ςȜΡ஌
4.0
N/C
΃ΕȜΡ
ͺΦȜΡ
0.2
1.5
0.85
0.65
0.1
਋࢕࿂
2.54 ± 0.2
+0.2
-0.1
4.0
3.2
(έͻσΗ)
KGPDA0004JA
ΉȜᾼ୪௽
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Cat. No. KGPD1004J03 Apr. 2011 DN
4