INFINEON LWS260-DO

SOT-23 MULTILED®, Diffused
LU S250, LV S260, LW S260
Besondere Merkmale
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
extrem weitwinklig
als optischer Indikator einsetzbar
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
beide Farben getrennt ansteuerbar
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40838
VS006723
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Features
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colored, diffused package
extreme wide-angle LED
for use as optical indicator
suitable for all SMT assembly and soldering methods
both colors can be controlled separately
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LU S250-DO
super-red/green
colorless diffused ≥ 0.4
Q62703-Q1642
LV S260-DO
super-red/
super-red
red diffused
≥ 0.4
Q62703-Q2067
LW S260-DO
green/green
green diffused
≥ 0.4
Q62703-Q1038
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LU S250, LV S260, LW S260
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air 1)
Rth JA
750
K/W
1)
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2.
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2.
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
2
LU S250, LV S260, LW S260
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
super-red
green
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
635
565
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
45
25
nm
2ϕ
140
140
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
µA
µA
(typ.) C0
12
15
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
300
150
450
200
ns
ns
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
3
LU S250, LV S260, LW S260
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LU S250, LV S260, LW S260
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LU S250, LV S260, LW S260
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
λpeak = f (TA), IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
λdom = f (TA), IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LU S250, LV S260, LW S260
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GSO06866
Maßzeichnung
Package Outlines
Anschlußbelegung:
Pin configuration:
Semiconductor Group
(Draufsicht)
(top view)
7