SIDELED® Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06880 ● ● ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● ● ● color of package: white double heterojunction in GaAIAs technology superior luminous intensity for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods available taped on reel (12 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area LH A674-KM hyper-red LH A674-L LH A674-M LH A674-LN colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering code 45 (typ.) 75 (typ.) - Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 6.3 10.0 16.0 10.0 ... ... ... ... 32 20 32 50 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-11-12 LH A674 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 90 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC-Board*) (pad size ≥ 16 mm2 each) Rth JA 430 K/W *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 1998-11-12 LH A674 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) λpeak (typ.) 660 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) λdom (typ.) 645 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) ∆λ (typ.) 22 nm 2ϕ 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 1.75 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 µA µA (typ.) C0 25 pF (typ.) tr (typ.) tf 140 110 ns ns Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 1998-11-12 LH A674 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL01698 100 % Ι rel 80 Vλ hyper-red red super-red orange blue 40 yellow pure-green green 60 20 0 400 450 500 550 600 650 nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 10 08 Semiconductor Group 06 04 0˚ 20˚ 4 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12 LH A674 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL01686 10 3 tP ΙF D= mA tP ΙF ΙF T 50 T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 40 10 2 0.2 5 OHL01661 60 mA 30 0.5 20 DC 10 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 Semiconductor Group 10 -2 10 -1 0 10 0 s 10 1 tp 5 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1998-11-12 LH A674 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 1998-11-12 LH A674 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 0.7 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.4) (1.4) (R1) GPL06880 (2.9) Cathode marking Anode 3.8 3.4 Cathode (0.3) 2.54 spacing 4.2 3.8 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group (2.85) 1.1 0.9 abgeschrägte Ecke bevelled edge 7 1998-11-12