AN200291 将 I2C nvSRAM 替换为 I2C F-RAMTM 作者： Harsha Medu 相关器件系列：I 2 C F-RAM 相关代码示例：无 相关应用笔记：AN96578 要想获取该应用笔记的最新版本，请访问 http://www.cypress.com/go/AN200291。 AN200291 提供了将 I2C nvSRAM 替换为 I2C F-RAM™的指导信息。本文档推荐了等效的 F-RAM 器件，介绍了封装和 特性方面的差异，并且描述了成功移植所需的硬件和固件修改内容。 目录 1 简介 .......................................................................... 1 3.7 状态寄存器和模块保护 ................................... 10 2 概述 .......................................................................... 2 3.8 时序参数 ........................................................ 10 2.1 封装兼容性 ....................................................... 2 3.9 Vcc 升降斜率 ................................................... 11 2.2 引脚兼容性 ....................................................... 2 3.10 固件更改 ........................................................ 11 2.3 指令/功能集 ...................................................... 3 4 2.4 3 参数 ................................................................. 4 文档修订记录................................................................... 12 重点注意事项 ............................................................ 8 全球销售和设计支持 ........................................................ 13 引脚差异 .......................................................... 8 产品 ................................................................................. 13 3.1 1 总结 ........................................................................ 11 2 3.2 I C 速度 ............................................................ 9 PSoC®解决方案............................................................... 13 3.3 nvSRAM 特殊功能 ........................................... 9 赛普拉斯开发者社区 ........................................................ 13 3.4 睡眠模式 .......................................................... 9 技术支持 .......................................................................... 13 3.5 器件 ID ............................................................. 9 3.6 序列号 ............................................................ 10 简介 F-RAM（铁电随机存取存储器）是一款使用铁电电容器来存储数据的非易失性存储器。被写入到 F-RAM 内的数据会瞬 时变为非易失性数据。与 EEPROM 和 Flash 不同，F-RAM 按照总线速度将数据写入到非易失性存储器内。 nvSRAM 是一种 SRAM 存储器，其中每个存储单元都包含了非易失性元件。被嵌入的非易失性元件采用了 SONOS Quantum Trap 技术。SRAM 能够实现无限次读写周期，而 QuantumTrap 单元则能够提供高可靠性的非易失性数据存 储空间。断电时，数据会从 SRAM 中自动转移到非易失性元件内（存储操作）。上电时，数据会从非易失性存储器回 读到 SRAM 内（回读操作）。 赛 普 拉 斯 提 供 了 三 种 不 推 荐 用 于 新 设 计 （ NRND ） 的 nvSRAM 器 件 ： CY14MB064J2A 、 CY14ME064J2A 和 CY14B101J2。并且提供了 F-RAM 产品，用于替换这些器件。本应用笔记详细描述了将 I2C nvSRAM 替换为 I2C FRAM 的有关信息。另外，还说明了封装、特性和时序等方面的差异，并且讨论了成功完成移植过程中所需要的硬件和 固件修改。 对于 NRND nvSRAM 器件，表 1 列出了所建议的 F-RAM 替换器件。 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 1 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 表 1. 替换选项 序号 nvSRAM（或原始）器件型号 说明 F-RAM（或替换）器件型号 2 1 CY14MB064J2A FM24CL64B 64 Kb、3.0 V I C 器件 2 CY14ME064J2A FM24C64B 64 Kb、5.0 V I C 器件 3 CY14B101J2 FM24V10 / FM24VN10 1 Mb、3.0 V I C 器件 2 2 这些 F-RAM 器件在读/写协议（I2C）和容量方面类似于 nvSRAM 器件，但并非完全相同。替换 nvSRAM 时，需要清 楚它们间的差异。以下各节将进一步讨论这两款器件间的异同。 2 概述 2.1 封装兼容性 F-RAM 支持所有 nvSRAM 封装选项，如表 2 所示。另外，3.0 V、64 Kb F-RAM 器件还支持 8-DFN 封装。 表 2. 封装比较 替换选项 1 封装 2 CY14MB064J2A FM24CL64B 8-SOIC 支持 支持 支持 8-DFN 不支持 支持 不支持 3 CY14B101J2 FM24V10/ FM24VN10 支持 支持 支持 不支持 不支持 不支持 CY14ME064J2A FM24C64B 引脚兼容性 2.2 nvSRAM 和 F-RAM 间的所有 I/O 引脚（引脚 1 除外）均匹配，如表 3 所述。引脚 1 作为 F-RAM 中的器件选择引脚 A0。由于 F-RAM 中的 A0 带有一个内部下拉电阻，因此替换为 F-RAM 时可以将其悬空。 表 3. 引脚差异 序号 1 2 3 器件型号 引脚说明 CY14MB064J2A 与 除引脚 1 外，所有引脚均兼容。在 CY14MB064J2A 中，引脚 1 是 VCAP，则在 FM24CL64B 中，它是 A0。由于 FM24CL64B 不需要 VCAP 引脚，所以它提供了一个额外的器件选择引脚 2 A0，从而最多能将 8 个 F-RAM 器件挂接（hook）到同一个 I C 总线上。 FM24CL64B CY14ME064J2A 与 FM24C64B CY14B101J2 与 FM24V10 / FM24VN10 www.cypress.com 使用 A0 引脚时，需要修改现有应用的固件。在 nvSRAM 中，存储器从 ID 的位 1 为“无需关 注”项；在 F-RAM 中，需要将它改为 0（假定 F-RAM 中的 A0 引脚保持不连接状态或被连接 到 VSS）。 除引脚 1 外，其他所有引脚均兼容。在 CY14ME064J2A 中，引脚 1 是 VCAP，则在 FM24C64B 中，它是 A0。由于 FM24C64B 不需要 VCAP 引脚，所以它提供了一个额外的器件 2 选择引脚 A0，从而最多能将 8 个 F-RAM 器件挂接（hook）到同一个 I C 总线上。 使用 A0 引脚时，需要修改现有应用的固件。在 nvSRAM 中，存储器从 ID 的位 1 为“无需关 注”项；在 F-RAM 中，需要将它改为 0（假定 F-RAM 中的 A0 引脚保持不连接状态或被连接 到 VSS）。 所有引脚均兼容。由于 F-RAM 不需要 VCAP，因此引脚 1 被设为 NC（不连接）。 文档编号：002-10301 版本 ** 2 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM 2.3 TM 指令/功能集 表 4 对 nvSRAM 和 F-RAM 的所有功能进行了比较。高亮显示的单元表示 F-RAM 的功能不如 nvSRAM 的好。 表 4. 功能集比较 替换选项 1 功能集 2 3 备注 CY14MB064J2A FM24CL64B CY14ME064J2A FM24C64B CY14B101J2 FM24V10/ FM24VN10 单字节写入 支持 支持 支持 支持 支持 支持 多字节写入 支持 支持 支持 支持 支持 支持 高速模式下的单字节 写入 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 不支持 2 I C 高速模式。 高速模式下的多字节 写入 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 不支持 2 I C 高速模式。 当前地址单字节读取 支持 支持 支持 支持 支持 支持 当前地址多字节读取 支持 支持 支持 支持 支持 支持 高速模式下当前地址 单字节读取 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 不支持 2 I C 高速模式。 高速模式下当前地址 多字节读取 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 不支持 2 I C 高速模式。 选择性（随机）单字 节读取 支持 支持 支持 支持 支持 支持 选择性（随机）多字 节读取 支持 支持 支持 支持 支持 支持 睡眠模式 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 消耗很 低的待机电流，因此 它不支持睡眠模式。 器件 ID 支持 不支持 支持 不支持 支持 支持 64 Kb F-RAM 不支持 器件 ID。 序列号 支持 不支持 支持 不支持 支持 在 FM24VN10 中得到支持 自动存储 支持 – 支持 – 支持 64 Kb F-RAM 不支持 序列号。 – 自动存储功能不适用 于 F-RAM，这是因 为非易失性写入是瞬 态的。 软件存储 支持 – 支持 – 支持 – 软件存储功能不适用 于 F-RAM，这是因 为非易失性写入是瞬 态的。 自动存储使能和禁用 支持 – 支持 – 支持 – 自动存储功能不适用 于 F-RAM。 – 软件回读功能不适用 于 F-RAM，因为它 并没有单独的 NV 存 储单元。 软件回读 支持 www.cypress.com – 支持 – 文档编号：002-10301 版本 ** 支持 3 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 替换选项 1 功能集 2 3 备注 CY14MB064J2A FM24CL64B CY14ME064J2A FM24C64B CY14B101J2 FM24V10/ FM24VN10 状态寄存器/模块保护 支持 不支持 支持 不支持 支持 不支持 速度 3.4 MHz、1 MHz 400 kHz 1 MHz、 400 kHz 3.4 MHz、1 MHz 400 kHz 1 MHz、 400 kHz 3.4 MHz、 1 MHz、 400 kHz 3.4 MHz、 1 MHz、 400 kHz 擦写次数 10 个非易失性 周期 10 20 年 10 年 6 数据保持时间 o （85 C 时） 6 14 状态寄存器或模块保 护功能不适用于 F-RAM。 64 Kb F-RAM 不支持 高速模式。 对于实际使用， nvSRAM 和 F-RAM 的擦写次数几乎是无 限的。 6 10 个非易失性 周期 10 20 年 10 年 14 10 个非易失 性周期 10 20 年 10 年 14 F-RAM 的数据保持 时间比 nvSRAM 的 短。 参数 2.4 表 5 对 64 Kb nvSRAM 和 F-RAM 的直流和交流参数进行了比较。除了高速模式参数外，所有参数均兼容。高亮显示的 单元表示 F-RAM 的特性不如 nvSRAM。 表 5. 64 Kb nvSRAM 与 F-RAM 的参数对比 参数 CY14MB064J2A/ CY14ME064J2A 说明 最小值 FM24CL64B / FM24C64B 最大值 最小值 单位 最大值 直流参数 VCC/VDD ICC1 供电电源 3 V（典型值） 2.7 3.6 2.7 3.65 5 V（典型值） 4.5 5.5 4.5 5.5 fSCL = 3.4 MHz – 1 不支持 V mA 300 （FM24CL64B） Vcc 平均电流 fSCL = 1 MHz – 400 – µA 400 （FM24C64B） ICC2 存储期间 Vcc 平均电流 – 3 N/A mA ICC4 自动存储周期内的 VVCAP 平均电流 – 3 N/A mA 6 120 （CY14MB064J2A） ISB Vcc 待机电流 – （FM24CL64B） – 150 µA 10 （FM24C64B） （CY14ME064J2A） IZZ 睡眠模式电流 – 8 不支持 IIX I/O 引脚的输入电流 –1 +1 –1 +1 µA IOZ 输出漏电流 –1 +1 –1 +1 µA Ci / CO 输出引脚电容 – 7 – 8 pF www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** µA 4 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM 参数 CY14MB064J2A/ CY14ME064J2A 说明 最小值 FM24CL64B / FM24C64B 最大值 最小值 单位 最大值 Ci / CI 输入引脚电容 – 7 – 6 pF VIH 输入高电平电压 0.7 x VCC VCC + 0.5 0.7 x VCC VCC + 0.3 V VIL 输入低电平电压 –0.5 0.3 x VCC –0.3 0.3 x VCC V 输出低电平电压 IOL = 3 mA – 0.4 – 0.4 V VOL IOL = 6 mA – 0.6 不支持 VIN = VIL(Max) 50 – 40 – kΩ VIN = VIH(Min) 1 – 1 – MΩ 施密特触发器输入电压 迟滞 0.05 x VCC – 0.05 x VCC – V VCAP 存储电容 42 180 N/A µF VVCAP 器件在 VCAP 引脚上驱动的最大电压 – VCC N/A V – 3.4 不支持 MHz – 1 – 1 MHz – 400 – 400 kHz Rin Vhys TM V 时钟频率 fSCL SCL 时钟频率 交流开关参数（fSCL = 1MHz） tSU; STA 重复 START（启动）条件的建立 时间 250 – 250 – ns tHD;STA START（启动）条件的保持时间 250 – 250 – ns tLOW SCL 为低电平的周期 500 – 600 – ns tHIGH SCL 为高电平的周期 260 – 400 – ns tSU;DATA 数据输入的建立时间 100 – 100 – ns tHD;DATA 数据保持时间（输入/输出） 0 – 0 – ns tDH 数据输出的保持时间 0 – 0 – ns tr SDA 和 SCL 的上升时间 – 120 – 300 ns tf SDA 和 SCL 的下降时间 – 120 – 100 ns tSU;STO STOP（停止）条件的建立时间 250 – 250 – ns tVD;DATA 数据输出的有效时间 – 400 – 550 ns tVD;ACK ACK 输出的有效时间 – 400 未指定 ns tOF 从 VIH(min)到 VIL(max)的输出下降时间 – 120 未指定 ns tBUF 从 STOP 条件到下一个 START 条件的总线闲置时间 500 – 500 – ns tSP 输入滤波器需要抑制的尖峰脉冲 宽度 – 50 – 50 ns www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 5 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM 参数 CY14MB064J2A/ CY14ME064J2A 说明 最小值 FM24CL64B / FM24C64B 最大值 最小值 TM 单位 最大值 时序 1 tFA （tPU） （FM24CL64B） 从上电到第一次访问的时间 – 20 – ms 30 – µs/V 30 – µs/V 10 （FM24C64B） tVCCRISE （tVR） VCC 上电升降斜率 50 tVF VCC 下电升降斜率 未指定 tSLEEP 发出 SLEEP（睡眠）指令后进入低 功耗模式的时间 – 8 N/A ms tWAKE （tREC） 从睡眠模式唤醒的时间 – 20 N/A ms tSB 发生 STOP（停止）条件后进入 待机模式的时间 – 100 未指定 µs – 表 6 对 1 Mb nvSRAM 和 F-RAM 的直流和交流参数进行了比较。所有参数均兼容。高亮显示的单元表示 F-RAM 的特 性不如 nvSRAM。 表 6. 1 Mb nvSRAM 与 F-RAM 的参数比较 参数 CY14B101J2 说明 最小值 FM24V10 / FM24VN10 最大值 最小值 单位 最大值 直流参数 VCC/VDD 供电电源 ICC1 Vcc 平均电流 2.7 3.6 2.0 fSCL = 3.4 MHz – 1 1 fSCL = 1 MHz – 400 – 3.6 V mA 400 µA ICC2 存储期间 Vcc 平均电流 – 3 N/A mA ICC4 自动存储周期期间的 VVCAP 平均电流 – 3 N/A mA ISB Vcc 待机电流 – 150 – 150 µA IZZ 睡眠模式电流 – 8 – 8 µA IIX I/O 引脚的输入电流 –1 +1 –1 +1 µA IOZ 输出漏电流 –1 +1 –1 +1 µA Ci 每个 I/O 引脚的电容 – 7 – – pF CO 输出引脚电容（SDA） – – – 8 pF CI 输入引脚电容 – – – 6 pF VIH 输入高电平电压 0.7 x VCC VCC + 0.5 0.7 x VCC VCC + 0.3 V VIL 输入低电平电压 –0.5 0.3 x VCC –0.3 0.3 x VCC V 输出低电平电压 IOL = 3 mA – 0.4 – 0.4 V VOL IOL = 6 mA – 0.6 未指定 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** V 6 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM 参数 CY14B101J2 说明 最小值 最大值 最小值 单位 最大值 VIN = VIL(Max) 50 – 50 – kΩ VIN = VIH(Min) 1 – 1 – MΩ 0.05 x VCC – 0.05 x VCC – V Rin Vhys FM24V10 / FM24VN10 施密特触发器输入电压 迟滞 TM VCAP 存储电容 42 180 N/A µF VVCAP 器件在 VCAP 引脚上驱动的最大电压 – VCC N/A V – 3.4 – 3.4 MHz – 1 – 1 MHz – 400 – 400 kHz 时钟频率 fSCL SCL 时钟频率 交流开关参数（fSCL = 1 MHz） tSU;STA 重复 START（启动）条件的建立时间 250 – 260 – ns tHD;STA START（启动）条件的保持时间 250 – 260 – ns tLOW SCL 为低电平的周期 500 – 500 – ns tHIGH SCL 为高电平的周期 260 – 260 – ns tSU;DATA 数据输入的建立时间 100 – 50 – ns tHD;DATA 数据保持时间（输入/输出） 0 – 0 – ns tDH 数据输出的保持时间 0 – 0 – ns tr SDA 和 SCL 的上升时间 – 120 – 120 ns tf SDA 和 SCL 的下降时间 – 120 – 120 ns tSU;STO STOP（停止）条件的建立时间 250 – 260 – ns tVD;DATA 数据输出的有效时间 – 400 – 450 ns tVD;ACK ACK 输出的有效时间 – 400 未指定 ns tOF 从 VIH(min)到 VIL(max)的输出下降时间 – 120 未指定 ns tBUF 从 STOP 条件到下一个 START 条件的总 线闲置时间 500 – 500 – ns tSP 输入滤波器抑制的尖峰脉冲宽度 – 50 – 50 ns tFA（tPU） 从上电到第一次访问的时间 20 – 0.25 – ms tVCCRISE（tVR） VCC 上电升降斜率 50 – 50 – µs/V tVF VCC 下电升降斜率 无限制 100 – µs/V tSLEEP 从发出 SLEEP（睡眠）指令到进入低功 耗模式的时间 – 8 未指定 tWAKE（tREC） 从睡眠模式唤醒的时间 – 20 – tSB 从发生 STOP（停止）条件到进入待机模 式的时间 – 100 未指定 时序 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** ms 0.4 ms µs 7 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 重点注意事项 3 表 7 总结了将 nvSRAM 替换为 F-RAM 时需要遵循的重点注意事项。 表 7. 重点注意事项总结 序号 器件型号 主要差异 引脚：引脚 1 在 nvSRAM 中为 VCAP，而在 F-RAM 中为 A0。 1 CY14MB064J2A 与 FM24CL64B 速度：F-RAM 仅支持 1 MHz、400 kHz 和 100 kHz 速度，并不支持 3.4 MHz 速度。 不适用的 特性 ： 自动存储、软件存储、软件回读、自动存储使能和自动存储禁用功能均不适用于 F-RAM。 不支持的特性：睡眠模式、器件 ID、序列号、模块保护和状态寄存器均不受 F-RAM 的支持。 引脚：引脚 1 在 nvSRAM 中为 VCAP，而在 F-RAM 中为 A0。 2 CY14ME064J2A 与 FM24C64B 速度：F-RAM 仅支持 1 MHz、400 kHz 和 100 kHz 速度，并不支持 3.4 MHz 速度。 不适用的 特性 ： 自动存储、软件存储、软件回读、自动存储使能和自动存储禁用功能均不适用于 F-RAM。 不支持的特性：睡眠模式、器件 ID、序列号、模块保护和状态寄存器均不受 F-RAM 的支持。 引脚：引脚 1 在 nvSRAM 中为 VCAP，而在 F-RAM 中为 A0。 CY14B101J2 与 3 FM24V10/ FM24VN10 不适用的 特性 ： 自动存储、软件存储、软件回读、自动存储使能和自动存储禁用功能均不适用于 F-RAM。 不支持的特性：模块保护和状态寄存器均不受 F-RAM 的支持。 执行方式不同的特性：nvSRAM 和 F-RAM 均支持睡眠模式、器件 ID 和序列号特性，但是它们的指令存 在差异。 3.1 引脚差异 引脚 1 在 nvSRAM 中作为 VCAP 引脚。在 64 Kb F-RAM 中，它作为 A0 引脚，而在 1 Mb F-RAM 中，它被设为不连接 状态（NC），如图 1 和图 2 所示。因此，将 nvSRAM 替换为 F-RAM 时，要使引脚 1 悬空。F-RAM 带有一个内部下 拉电阻，用于将 A0 置为低电平状态。 图 1. 64 Kb nvSRAM 与 F-RAM 的封装比较 FM24CL64B / FM24C64 顶视图 （不按比例） 图 2. 1 Mb nvSRAM 与 F-RAM 的封装比较 FM24V10 / FM24VN10 顶视图 （不按比例） www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 8 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM 3.2 TM I2C 速度 I2C 高速模式仅在容量较大（128 Kb 或更大）的 F-RAM 才得到支持。因此，从 1 Mb nvSRAM 替换为 1 Mb F-RAM 时，I2C 速度没有问题。 将 64 Kb nvSRAM（CY14MB064J2A）替换为 64 Kb F-RAM（FM24CL64B）时，若以 1 MHz 或更低速度进行 I2C 访 问，仍可正常运行。然而，如果需要进行高速模式下的访问，可以将 CY14MB064J2A 替换为在相同封装中支持高速模 式的容量更大的 F-RAM（128 Kb 的 FM24V01）。CY14ME064J2A（5 V nvSRAM）并没有支持高速模式的 F-RAM 替换器件。 3.3 nvSRAM 特殊功能 nvSRAM 的特殊功能（如自动存储、自动存储使能、自动存储禁用、软件存储和软件回读）不适用于 F-RAM。对于 nvSRAM，数据先被写入到 SRAM 内，然后在自动存储或软件存储期间将被传输到非易失性单元中。在 F-RAM 中， 数据是瞬态非易失性的；所以并不适用这些功能。 3.4 睡眠模式 在容量更低的 F-RAM 器件中（FM24CL64B 和 FM24C64B），待机电流相当于 nvSRAM 的睡眠模式电流。因此， 容 量 低 的 F-RAM 并 不 需 要 睡 眠 模 式 。1 Mb F-RAM FM24V10/FM24VN10 器件也 支持睡眠模式 ， 同 nvSRAM CY14B101J2 很相似。但是，睡眠模式的进入指令不同，如图 3 和图 4 所示。 图 3.nvSRAM（CY14B101J2）中的睡眠模式 图 4．F-RAM（FM24V10）中的睡眠模式 3.5 器件 ID 与 nvSRAM 不同，F-RAM 器件均不支持器件 ID。FM24V10/FM24VN10 具有类似于 nvSRAM CY14B101J2 的器件 ID。然而，读取器件 ID 的指令不同，如图 5 和图 6 所示。容量更低的 F-RAM 器件（FM24CL64B 和 FM24C64B）并 不支持器件 ID。然而，如果需要器件 ID，可以将 FM24CL64B 替换为容量更大的 F-RAM（128 Kb FM24V01）。 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 9 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 图 5. nvSRAM（CY14B101J2）中的器件 ID 读取 图 6. F-RAM（FM24V10）中的器件 ID 读取 3.6 序列号 不同于 nvSRAM，序列号仅受 1 Mb F-RAM 器件的支持。标准的 1 Mb FM24V10 并没有序列号，而其它 F-RAM 器件 （FM24VN10）则有一个序列号。用户可以配置 nvSRAM 的序列号，F-RAM 的序列号是一个工厂编程的只读值。另 外，这两款器 件的序列号读 取指令也不同 ，如 图 7 和 图 8 所示。 容量更低的 F-RAM 器件（ FM24CL64B 和 FM24C64B）并不支持序列号。 图 7. nvSRAM（CY14B101J2）中的序列号读取 图 8. F-RAM（FM24VN10）中的序列号读取 3.7 状态寄存器和模块保护 不同于 nvSRAM，F-RAM 没有状态寄存器。因此，不支持模块保护功能。替换为 F-RAM 时，便不能使用该功能。 然而， nvSRAM 和 F-RAM 中的写保护（WP）引脚的功能是一样的，能够保护整个存储器。 3.8 时序参数 tLOW 和 tHIGH 交流参数表示 SCL 时钟转为低电平和高电平的时序。1 Mb CY14B101J2 和 FM24V10 中的时序相同。 对于 64 Kb nvSRAM 和 F-RAM，以非 1 MHz 速度运行时，它们的时序均相同。如果以 1 MHz 速度运行，替换为 F-RAM 时，请确保 tLOW 和 tHIGH 均最低，分别为 600 ns 和 400 ns。 在 64 Kb nvSRAM 中，SDA 和 SCL 线的最长下降时间（tf）为 120 ns，替换为 64 Kb F-RAM 时，该值为 100 ns。 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 10 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 重复 START 和 STOP 条件的建立时间（tSU;STA ，tSU;STO ）和 START 条件的保持时间（tHD;STA ）略有不同。1 Mb FM24V10 中的值为 260 ns，CY14B101J2 中的值为 250 ns 。 剩下的 F-RAM 规范均比 nvSRAM 更好或相同。请参考表 5 和表 6，了解对比情况。 3.9 Vcc 升降斜率 F-RAM 的 Vcc 上电升降斜率规范比 nvSRAM 占优势或相同。然而，F-RAM 增加了下电升降斜率规范。请确保系统中的 该值超过 30 µs/V。 3.10 固件更改 nvSRAM 的固件会包含特定于 nvSRAM 功能（如自动存储、软件存储、软件回读、自动存储使能和自动存储禁用）的 额外逻辑。F-RAM 的固件可以移除该逻辑。另外，F-RAM 中的睡眠模式、器件 ID 和序列号指令均不一样，因此需要 修改它的固件。 对于 F-RAM 器件，从上电到第一次访问的时间、睡眠模式的进入时间和唤醒时间比 nvSRAM 更低。所以，可以更新 固件以缩短等待时间。有关详细信息，请参见表 5 和表 6。 4 总结 本应用笔记描述了将 I2C nvSRAM 替换为 I2C F-RAM 器件所涉及的各步骤。这两种器件在封装、功能和参数方面存在 差异，需要仔细考虑。大部分使用 nvSRAM 器件的设计只要稍加更改便可以轻松替换为 F-RAM 器件。 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 11 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 文档修订记录 文档标题： AN200291 — 将 I2C nvSRAM 替换为 I2C F-RAM TM 文档编号： 002-10301 版本 ECN 变更者 提交日期 ** 5045488 LISZ 12/23/2015 www.cypress.com 变更说明 本文档版本号为 Rev**，译自英文版 002-00291 Rev**。 文档编号：002-10301 版本 ** 12 2 2 将 I C nvSRAM 替换为 I C F-RAM TM 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司具有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。要想查找离您最近的办事处，请访问 赛普拉斯办公所在地。 PSoC®解决方案 产品 汽车级产品 cypress.com/go/automotive psoc.cypress.com/solutions 时钟与缓冲器 cypress.com/go/clocks PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 |PSoC 5LP 接口 cypress.com/go/interface 赛普拉斯开发者社区 照明与电源控制 cypress.com/go/powerpsoc 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 培训 存储器 cypress.com/go/memory 技术支持 PSoC cypress.com/go/psoc 触摸感应 cypress.com/go/touch USB 控制器 cypress.com/go/usb 无线/射频 cypress.com/go/wireless cypress.com/go/support PSoC 是赛普拉斯半导体公司的注册商标，且 F-RAM 是赛普拉斯半导体公司的商标。此处引用的所有其他商标或注册商标归其各自所有者所有。 赛普拉斯半导体公司 198 Champion Court San Jose, CA 95134-1709 电话 传真 网址 ：408-943-2600 ：408-943-4730 ：www.cypress.com ©赛普拉斯半导体公司，2015。此处所包含的信息可能会随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何其他电 路的使用承担任何责任。也不根据专利或其他权利以明示或暗示的方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证产品能 够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能发生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉 斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉 斯免于因此而受到任何指控。 该源代码（软件和/或固件）均归赛普拉斯半导体公司（赛普拉斯）所有，并受全球专利法规（美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约 规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作 品、编译赛普拉斯源代码和派生作品，并且其目的只能是创建自定义软件和/或固件，以支持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普 拉斯集成电路配合使用。除上述指定的用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括（但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做 出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于可能发生运转异常和故障， 并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品使用于生命支持系统中，则表示制造商将 承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能受限于赛普拉斯软件许可协议。 www.cypress.com 文档编号：002-10301 版本 ** 13