ONSEMI MC74VHCT540AM

MC74VHCT540A
Octal Bus Buffer
Inverting
The MC74VHCT540A is an advanced high speed CMOS inverting
octal bus buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It
achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky
TTL while maintaining CMOS low power dissipation.
The MC74VHCT540A features inputs and outputs on opposite
sides of the package and two AND−ed active−low output enables.
When either OE1 or OE2 are high, the terminal outputs are in the
high impedance state.
The VHCT inputs are compatible with TTL levels. This device can
be used as a level converter for interfacing 3.3 V to 5.0 V, because it
has full 5.0 V CMOS level output swings.
The VHCT540A input and output (when disabled) structures
provide protection when voltages between 0 V and 5.5 V are applied,
regardless of the supply voltage. These input and output structures
help prevent device destruction caused by supply voltage −
input/output voltage mismatch, battery backup, hot insertion, etc.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7.0 V, allowing the interface of 5.0 V
systems to 3.0 V systems.
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
SOIC
DW SUFFIX
CASE 751D
20
1
High Speed: tPD = 3.7 ns (Typ) at VCC = 5.0 V
Low Power Dissipation: ICC = 4.0 μA (Max) at TA = 25°C
TTL−Compatible Inputs: VIL = 0.8 V; VIH = 2.0 V
Power Down Protection Provided on Inputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 2.0 V to 5.5 V Operating Range
Low Noise: VOLP = 1.2 V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300 mA
ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V
Chip Complexity: 124 FETs or 31 Equivalent Gates
These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein
apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at
www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact
your local ON Semiconductor sales office or representative.
VHCT
540A
ALYW
TSSOP
DT SUFFIX
CASE 948E
20
1
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
w
VHCT540A
AWLYYWW
SOIC EIAJ
M SUFFIX
CASE 967
20
74VHCT540
AWLYWW
1
A
WL, L
YY, Y
WW, W
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
FUNCTION TABLE
Inputs
OE1
OE2
A
L
L
H
X
L
L
X
H
L
H
X
X
Output Y
H
L
Z
Z
ORDERING INFORMATION
Device
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006 − Rev. 4
1
Package
Shipping
MC74VHCT540ADW
SOIC
38 Units/Rail
MC74VHCT540ADT
TSSOP
75 Units/Rail
MC74VHCT540AM
SOIC
50 Units/Rail
Publication Order Number:
MC74VHCT540A/D
MC74VHCT540A
A1
A2
A3
DATA
INPUTS
A4
A5
A6
A7
A8
OUTPUT
ENABLES
OE1
OE2
2
18
3
17
4
16
5
15
6
14
7
13
8
12
9
11
Y1
Y2
Y3
Y4
INVERTING
OUTPUTS
Y5
Y6
Y7
Y8
OE1
1
20
VCC
A1
2
19
OE2
A2
3
18
Y1
A3
4
17
Y2
A4
5
16
Y3
A5
6
15
Y4
A6
7
14
Y5
A7
8
13
Y6
A8
9
12
Y7
10
11
Y8
GND
1
19
Figure 1. Logic Diagram
Figure 2. Pin Assignment
http://onsemi.com
2
MC74VHCT540A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (Note 1)
Symbol
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
Parameter
– 0.5 to + 7.0
V
Vin
DC Input Voltage
– 0.5 to + 7.0
V
Vout
DC Output Voltage
– 0.5 to VCC + 0.5
V
IIK
Input Diode Current
− 20
mA
IOK
Output Diode Current
± 20
mA
Iout
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
PD
Power Dissipation in Still Air (Note 2)
SOIC Packages
TSSOP Package
500
450
Tstg
Storage Temperature
mW
– 65 to + 150
_C
1. Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those
indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated conditions is not implied. Functional
operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
2. Derating − SOIC Packages: – 7.0 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
VCC
DC Supply Voltage
Vin
DC Input Voltage
Vout
DC Output Voltage
TA
Operating Temperature
tr, tf
Input Rise and Fall Time
Min
Max
Unit
4.5
5.5
V
0
5.5
V
0
0
5.5
VCC
V
−55
125
_C
0
20
ns/V
Outputs in 3−State
High or Low State
VCC = 5.0 V ±0.5 V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
1.2
2.0
2.0
VIH
Minimum High−Level Input
Voltage
3.0
4.5
5.5
VIL
Maximum Low−Level Input
Voltage
3.0
4.5
5.5
VOH
Minimum High−Level Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
VOL
Maximum Low−Level Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
TA = 25°C
VCC
(V)
Typ
TA ≤ 85°C
Max
Min
1.2
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
VIN = VIH or VIL
IOH = − 50 μA
3.0
4.5
2.9
4.4
VIN = VIH or VIL
IOH = − 4.0 mA
IOH = − 8.0 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 μA
3.0
4.5
VIN = VIH or VIL
IOL = 4.0 mA
IOL = 8.0 mA
Max
3.0
4.5
0.0
0.0
TA ≤ 125°C
Min
Max
1.2
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
V
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.9
4.4
2.48
3.80
2.34
3.66
Unit
V
V
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
3.0
4.5
0.36
0.36
0.44
0.44
0.52
0.52
0 to 5.5
±0.1
±1.0
±1.0
μA
V
IIN
Maximum Input Leakage
Current
Vin = 5.5 V or
GND
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current
Vin = VCC or GND
5.5
2.0
20
40
μA
ICCT
Quiescent Supply Current
Input: VIN = 3.4 V
5.5
1.35
1.50
1.65
mA
IOPD
Output Leakage Current
VOUT = 5.5 V
0.0
0.5
5.0
10
μA
http://onsemi.com
3
MC74VHCT540A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
TA = 25°C
Symbol
tPLH,
tPHL
tPZL,
tPZH
tPLZ,
tPHZ
tOSLH,
tOSHL
Parameter
Min
Test Conditions
TA = − 40 to
85°C
TA ≤ 125°C
Min
Typ
Max
Min
Max
Max
Unit
ns
Maximum Propagation
Delay, A to Y
(Figures 1 and 3)
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
4.8
7.3
7.0
10.5
1.0
1.0
8.5
12.0
10.5
14.0
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
3.7
5.2
5.0
7.0
1.0
1.0
6.0
8.0
8.0
10.0
Output Enable TIme,
OEn to Y
(Figures 2 and 4)
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
RL = 1.0 kΩ
6.8
9.3
10.5
14.0
1.0
1.0
12.5
16.0
15.0
19.0
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15 pF
RL = 1.0 kΩ
CL = 50 pF
4.7
6.2
7.2
9.2
1.0
1.0
8.5
10.5
10.5
13.0
Output Disable Time,
OEn to Y
(Figures 2 and 4)
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 50 pF
RL = 1.0 kΩ
11.2
15.4
1.0
17.5
20.0
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 50 pF
RL = 1.0 kΩ
6.0
8.8
1.0
10.0
11.5
Output to Output Skew
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 50 pF
(Note 3)
1.5
1.5
2.0
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 50 pF
(Note 3)
1.0
1.0
1.5
ns
10
10
10
pF
Cin
Maximum Input
Capacitance
4.0
Cout
Maximum Three−State
Output Capacitance (Output
in High Impedance State)
6.0
ns
ns
pF
Typical @ 25°C, VCC = 5.0V
CPD
17
Power Dissipation Capacitance (Note 4)
pF
3. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm − tPLHn|, tOSHL = |tPHLm − tPHLn|.
4. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC / 8 (per bit). CPD is used to determine the no−load
dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns, CL = 50 pF, VCC = 5.0 V)
TA = 25°C
Symbol
Typ
Parameter
Max
Unit
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.9
1.2
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
− 0.9
−1.2
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
3.5
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
1.5
V
http://onsemi.com
4
MC74VHCT540A
3.0V
3.0V
A
50%
1.5V
1.5V
tPZL
tPH
tPLH
L
Y
OE1 or OE2
GND
tPLZ
HIGH
IMPEDANCE
GND
1.5V
Y
VOH
VOL +0.3V
1.5V
tPZH tPHZ
VOL
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3. Switching Waveform
Figure 4. Switching Waveform
TEST
POINT
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
CL*
VOH −0.3V
1.5V
Y
DEVICE
UNDER
TEST
*Includes all probe and jig capacitance
1kΩ
CL*
CONNECT TO VCC WHEN
TESTING tPLZ AND tPZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING tPHZ AND tPZH.
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 6. Test Circuit
Figure 5. Test Circuit
http://onsemi.com
5
MC74VHCT540A
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC
DW SUFFIX
CASE 751D−05
ISSUE F
A
20
q
X 45 _
M
E
h
H
10X
0.25
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL
BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
11
B
M
D
1
10
20X
B
0.25
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
B
M
T A
S
B
S
L
A
18X
e
SEATING
PLANE
A1
C
T
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.35
2.65
0.10
0.25
0.35
0.49
0.23
0.32
12.65
12.95
7.40
7.60
1.27 BSC
10.05
10.55
0.25
0.75
0.50
0.90
0_
7_
TSSOP
DT SUFFIX
CASE 948E−02
ISSUE A
20X
0.15 (0.006) T U
2X
L
K REF
0.10 (0.004)
S
L/2
20
M
T U
S
V
K
K1
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
11
B
−U−
PIN 1
IDENT
J J1
SECTION N−N
1
10
0.25 (0.010)
N
0.15 (0.006) T U
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH
PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH
OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD
FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010)
PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN
EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED
AT DATUM PLANE −W−.
S
S
M
A
−V−
N
F
DETAIL E
−W−
C
D
G
H
DETAIL E
0.100 (0.004)
−T− SEATING
PLANE
http://onsemi.com
6
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
MILLIMETERS
MIN
MAX
6.40
6.60
4.30
4.50
−−−
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.27
0.37
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0_
8_
INCHES
MIN
MAX
0.252
0.260
0.169
0.177
−−−
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.011
0.015
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0_
8_
MC74VHCT540A
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC EIAJ
M SUFFIX
CASE 967−01
ISSUE O
20
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED
AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR
PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006)
PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
LE
11
Q1
E HE
1
M_
L
10
DETAIL P
Z
D
e
VIEW P
A
A1
b
0.13 (0.005)
c
M
0.10 (0.004)
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
HE
L
LE
M
Q1
Z
MILLIMETERS
MIN
MAX
−−−
2.05
0.05
0.20
0.35
0.50
0.18
0.27
12.35
12.80
5.10
5.45
1.27 BSC
7.40
8.20
0.50
0.85
1.10
1.50
10 _
0_
0.70
0.90
−−−
0.81
INCHES
MIN
MAX
−−−
0.081
0.002
0.008
0.014
0.020
0.007
0.011
0.486
0.504
0.201
0.215
0.050 BSC
0.291
0.323
0.020
0.033
0.043
0.059
10 _
0_
0.028
0.035
−−−
0.032
ON Semiconductor and
are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any
liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental
damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over
time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under
its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body,
or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees,
subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of
personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part.
SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
USA/Canada
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Phone: 81−3−5773−3850
Email: [email protected]
http://onsemi.com
7
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.
MC74VHCT540A/D