桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM6411 SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管 ▉FEATURES 特點 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Power dissipation 耗散功率 PD(Ta=25℃) 225 mW Forward Current 正向電流 IF 500 mA Reverse Voltage 反向電壓 VR 20 V Junction and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 ▉DEVICE 125℃,-40to+150℃ TJ,Tstg MARKING 打標 GM6411=D2E· ▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓 (IR=600uA) Reverse Leakage Current 反向漏電流 (VR=20V) Forward Voltage(Test Condition)正向電壓 IF= 10mAdc IF= 50mAdc IF= 100mAdc IF=500mAdc Diode Capacitance 二極體電容 (VR=10V, f=1MHz) ▉SOT-23 内部结构 1 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 V(BR) 20 — V IR — 50 uA — 230 280 320 480 — 20 VF CD mV pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM6411 ■DIMENSION 外形封裝尺寸