面実装デバイス 単体型 Rectifier Diode Surface Mounting Device Single Diode ■外観図 OUTLINE DG1E60 Unit : mm Weight : 0.011g（typ.） Package：G1F 600V 1A 特長 ロット記号（例） Date code 品名略号 Type No. 3.5 • 小型 SMD • 耐湿性に優れ高信頼 • 静電気耐性に優れている ① F 78 ② 1.6 ① ② カソードマーク Cathode mark Feature • Small SMD • High-Reliability • High ESD Capability 0.8 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions DG1E60 単位 Unit Tstg −55∼175 ℃ Tj 175 ℃ VRM 600 V IO IFSM 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load VF IF = 1A, 逆電流 Reverse Current 静電気耐性 Electrostatic Discharge Capability IR VR = 600V, VESD C = 150pF, θja 接合部・周囲間 Junction to ambient θjl 接合部・リード間 Junction to lead Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate（pattern area: 32.6mm2） 2 * 2：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積160mm Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate（pattern area: 160mm2） 2 * 3：アルミナ基板実装（2インチ基板）銅箔パターン総面積2100mm Measured on the 2x2 inch alumina substrate（pattern area: 2100mm2） * 4：IEC-61000-4-2規定に準拠 It is based on IEC-61000-4-2 182 （J534） Ta = 63℃ *2 1.0 Tl = 156℃ *3 1.0 パルス測定 Pulse measurement パルス測定 Pulse measurement 極性±，気中放電 R = 150Ω, Polarity±, Aerial discharge 1：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積32.6mm2 * 0.8 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ 順電圧 Forward Voltage 熱抵抗 Thermal Resistance Ta = 26℃ *1 A 25 A MAX 0.97 MAX 10 μA *4 TYP 25 kV *1 MAX 210 *2 MAX 120 *3 MAX 20 V ℃/W Small SMD DG1E60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 183