NTE NTE224

NTE224
Silicon NPN Transistor
Final RF Power Output for CB
PO = 4W, 50MHz
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector−Emitter Voltage (RBE = 10Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Emitter Current, IE
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −4A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +175°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
µA
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 30V, IE = 0
−
−
10
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 500mA
10
30
140
−
−
1.0
V
= 5V, IC = 500mA
−
−
1.2
V
VCE = 10V, IE = −200mA
150
300
−
MHz
Collector−Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 100mA
Base−Emitter Voltage
VBE
Transition Frequency
fT
CE
Collector Output Capacitance
Cob
VBE = 10V, IE = 0, f = 1MHz
−
25
50
pF
Output Power
PO
VCC = 12V, f = 50MHz,
Pin = 0.4W, η = 60%
4
5
−
W
.370 (9.39) Dia Max
.315
(8.0)
.065 (1.68)
.143 (3.65) Min
.019 (0.48) Dia
Base
Collector/Case
Emitter
.500
(12.7)
.190 (4.82)
.630 (16.0)
1.000 (25.4)