ETC UNR1224(UN1224)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR1221/1222/1223/1224
(UN1221/1222/1223/1224)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
デジタル回路用
(1.0)
■ 品種別抵抗値
(UN1221)
(UN1222)
(UN1223)
(UN1224)
(R2)
2.2 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
3
2
(2.5)
記号
定格
単位
コレクタ・ベース電圧
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
50
V
コレクタ電流
IC
500
mA
全許容損失
PT
600
mW
接合部温度
Tj
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
保存温度
4.5±0.1
0.45±0.05
0.55±0.1
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
(2.5)
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
4.1±0.2
(0.85)
(R1)
2.2 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
2.2 kΩ
1.25±0.05
UNR1221
UNR1222
UNR1223
UNR1224
R 0.9
R 0.7
1.0±0.1
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• M 型パッケージで自動挿入 , 手挿入が容易 , P 板に自立固定
が可能
(1.0)
(1.5)
2.4±0.2
3.5±0.1
2.0±0.2
(0.4)
6.9±0.1
(1.5)
■ 特 長
•
•
•
•
2.5±0.1
内部接続図
R1
C
B
R2
E
■ 電気的特性 Ta = 25°C
項目
記号
最大
単位
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
1
µA
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
1
µA
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
5
mA
エミッタ UNR1221
条件
最小
遮断電流 UNR1222
標準
2
UNR1223/1224
1
コレクタ・ベース電圧
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
50
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
V
VCE = 10 V, IC = 100 mA
40
直流電流 UNR1221
増幅率
hFE
UNR1222
50
UNR1223/1224
コレクタ・エミッタ飽和電圧
60
VCE(sat)
IC = 100 mA, IB = 5 mA
出力電圧 "H" レベル
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 500 Ω
出力電圧 "L" レベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 500 Ω
0.25
4.9
V
V
0.2
V
注) 形名の( )内は , 従来品番です
1
抵抗内蔵トランジスタ
UNR1221/1222/1223/1224
■ 電気的特性(つづき) T a = 25°C
項目
トランジション周波数
入力抵抗 UNR1221/1224
記号
条件
fT
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
最小
標準
−30%
R1
最大
200
+30%
2.2
UNR1222
単位
MHz
kΩ
4.7
UNR1223
10
抵抗比率
R1/R2
0.8
1.0
UNR1224
1.2
0.22
共通特性図
PT  T a
800
全損失 PT (mW)
600
400
200
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR1221 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
IB=1.0mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
100
Ta=25°C
250
コレクタ電流 IC (mA)
0.9mA
0.8mA
200
0.7mA
0.6mA
150
0.5mA
100
0.4mA
0.3mA
50
0.2mA
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
IC/IB=10
12
VCE=10V
30
10
3
1
Ta=75°C
0.3
25°C
0.1
300
Ta=75°C
200
25°C
100
0.03
–25°C
−25°C
0.01
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
2
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
300
0
1
3
10
30
100
300
コレクタ電流 IC (mA)
1000
1
3
10
30
100
300
コレクタ電流 IC (mA)
1000
抵抗内蔵トランジスタ
UNR1221/1222/1223/1224
Cob  VCB
IO  VIN
10000
20
16
12
8
VIN  IO
100
VO=5V
Ta=25°C
3000
30
1000
10
入力電圧 VIN (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
24
300
100
30
VO=0.2V
Ta=25°C
3
1
0.3
10
0.1
3
0.03
4
0
0.1
0.3
1
3
10
30
1
0.4
100
0.6
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1.4
1
0.3
入力電圧 VIN (V)
3
10
30
100
300
1000
出力電流 IO (mA)
UNR1222 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
250
IB=1.0mA
0.9mA
200
0.8mA
0.7mA
150
0.6mA
0.5mA
100
0.4mA
0.3mA
50
0.2mA
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
IC/IB=10
Ta=75°C
10
3
1
Ta=75°C
0.3
25°C
0.1
1
100
– 25°C
50
10
3
30
100
300
1
1000
3
IO  VIN
10000
8
6
4
30
100
VIN  IO
100
VO=5V
Ta=25°C
3000
30
1000
10
入力電圧 VIN (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25°C
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
25°C
0
0.01
12
150
–25°C
0.03
Cob  VCB
10
VCE=10V
30
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
12
hFE  IC
200
hFE
Ta=25°C
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
100
直流電流増幅率
300
300
100
30
VO=0.2V
Ta=25°C
3
1
0.3
10
0.1
3
0.03
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
1.4
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
出力電流 IO (mA)
3
抵抗内蔵トランジスタ
UNR1221/1222/1223/1224
UNR1223 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
100
Ta=25°C
コレクタ電流 IC (mA)
200
IB=1.0mA
0.9mA
0.8mA
160
120
0.7mA
0.6mA
0.5mA
80
0.4mA
0.3mA
40
0.2mA
0.1mA
0
IC/IB=10
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ電圧 VCE
25°C
10
3
1
Ta=75°C
25°C
0.3
−25°C
0
1
(V)
10
3
30
100
コレクタ電流 IC
300
1
1000
10
3
IO  VIN
6
4
100
300
1000
VIN  IO
100
VO=5V
Ta=25°C
3000
30
1000
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
8
30
コレクタ電流 IC (mA)
(mA)
10000
f=1MHz
IE=0
Ta=25°C
10
100
−25°C
0.03
12
150
50
0.1
Cob  VCB
12
Ta=75°C
VCE=10V
30
0.01
0
コレクタ出力容量 Cob (pF)
hFE  IC
200
直流電流増幅率 hFE
240
300
100
30
VO=0.2V
Ta=25°C
3
1
0.3
10
0.1
3
0.03
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
1
0.4
100
0.6
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1.4
1
0.3
入力電圧 VIN (V)
3
10
30
100
300
1000
出力電流 IO (mA)
UNR1224 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
100
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
Ta=25°C
コレクタ電流 IC (mA)
250
IB=1.0mA
200
0.9mA
0.8mA
150
0.7mA
0.6mA
0.5mA
100
0.4mA
0.3mA
50
0.2mA
0.1mA
0
IC/IB=10
2
4
6
8
10
12
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
VCE=10V
30
Ta=75°C
10
3
1
Ta=75°C
0.3
25°C
0.1
25°C
150
−25°C
100
50
0.03
−25°C
0.01
0
4
hFE  IC
200
直流電流増幅率 hFE
300
0
1
3
10
30
100
300
コレクタ電流 IC (mA)
1000
1
3
10
30
100
コレクタ電流 IC (mA)
抵抗内蔵トランジスタ
UNR1221/1222/1223/1224
Cob  VCB
IO  VIN
10000
10
8
6
4
VIN  IO
1000
VO=5V
Ta=25°C
3000
300
1000
100
入力電圧 VIN (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
12
300
100
30
VO=0.2V
Ta=25°C
30
10
3
10
1
3
0.3
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
1.4
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
出力電流 IO (mA)
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり
ません。
(3)
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
当社はその責を負うものでは
ありません。
(4)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL