ETC UNR4223(UN4223)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR4221/4222/4223/4224
(UN4221/4222/4223/4224)
Unit : mm
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
15.6±0.5
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• New S型パッケージのため，ラジアルテーピングでの供給が
可能
■ 品種別抵抗値
(UN4221)
(UN4222)
(UN4223)
(UN4224)
(0.8)
0.75 max.
■ 特 長
UNR4221
UNR4222
UNR4223
UNR4224
7.6
(0.8)
3.0±0.2
デジタル回路用
•
•
•
•
2.0±0.2
4.0±0.2
0.45+0.20
–0.10
(R1)
2.2 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
2.2 kΩ
0.7±0.1
1
2
3
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
NS-B1 Package
内部接続図
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
0.45+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
(R2)
2.2 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
記号
定格
R1
単位
C
B
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
50
V
コレクタ電流
IC
500
mA
全許容損失
PT
300
mW
R2
E
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース間電圧
（E開放時）
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
50
V
コレクタ・エミッタ間電圧（B 開放時）
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
V
コレクタ・ベース間遮断電流（E 開放時）
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
1.0
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流（B 開放時）
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
1.0
µA
エミッタ・ベース UNR4221
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
5.0
mA
間遮断電流
（C 開放時）
直流電流増幅率
UNR4222
2.0
UNR4223/4224
UNR4221
1.0
hFE
VCE = 10 V, IC = 100 mA
UNR4222
50
UNR4223/4224
60
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
IC = 100 mA, IB = 5 mA
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 500 Ω
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 500 Ω

40
0.25
4.9
V
V
0.2
V
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00021BJD
1
UNR4221/4222/4223/4224
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
項目
記号
トランジション周波数
入力抵抗
条件
UNR4221/4224
最小
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
fT
最大
単位
200
−30%
R1
標準
UNR4222
2.2
MHz
+30%
kΩ
4.7
UNR4223
10
抵抗比率
R1/R2
UNR4224
0.8
1.0
1.2
0.17
0.22
0.27
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT  Ta
全許容損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR4221 特性図
Ta = 25˚C
250
コレクタ電流 IC (mA)
0.9 mA
0.8 mA
200
0.7mA
0.6 mA
150
0.5 mA
100
0.4 mA
0.3mA
50
0.2mA
0
0
2
4
6
8
0.1mA
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
2
102
hFE  IC
400
IC / IB = 10
VCE = 10 V
300
10
直流電流増幅率 hFE
IB = 1.0 mA
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
1
Ta = 75°C
25°C
10−1
Ta = 75°C
200
25°C
100
−25°C
10−2
1
10
−25°C
102
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00021BJD
103
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR4221/4222/4223/4224
Cob  VCB
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
20
VIN  IO
104
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
16
15
8
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
24
102
1
10 −1
10
4
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10 −2
10 −1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
10
102
出力電流 IO (mA)
UNR4222 特性図
IB = 1.0mA
0.9mA
0.8mA
200
0.7mA
0.6mA
150
0.5mA
100
0.4mA
0.3mA
50
0.2mA
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
102
IC / IB = 10
Ta = 75°C
150
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
−25°C
100
−25°C
10 −2
1
102
10
0
103
1
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
4
103
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
6
102
VIN  IO
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
8
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
25°C
50
Cob  VCB
10
VCE = 10 V
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
12
hFE  IC
200
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25˚C
250
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
102
1
10 −1
10
2
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00021BJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
3
UNR4221/4222/4223/4224
UNR4223 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
200
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
160
120
0.7mA
0.6 mA
0.5 mA
80
0.4 mA
0.3mA
40
0.2mA
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
102
IC / IB = 10
Ta = 75°C
1
Ta = 75°C
25°C
10-1
−25°C
−25°C
1
102
10
0
103
10
1
コレクタ電流 IC (mA)
VO = 5 V
Ta = 25°C
4
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
6
103
VIN  IO
102
103
8
102
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
10
100
50
(V)
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
25°C
150
Cob  VCB
12
VCE = 10 V
10
10-2
12
hFE  IC
200
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25˚C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
240
102
1
10 −1
10
2
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10 −2
10 −1
入力電圧 VIN (V)
1
10
102
出力電流 IO (mA)
UNR4224 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
250
IB = 1.0 mA
200
150
0.9 mA
0.8 mA
0.7mA
100
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3mA
0.2mA
50
0.1mA
0
0
2
4
6
8
コレクタ・エミッタ間電圧
4
10
12
VCE
(V)
102
hFE  IC
200
IC / IB = 10
VCE = 10 V
Ta = 75°C
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
10 −2
25°C
150
10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25˚C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
−25°C
100
50
−25°C
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00021BJD
103
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR4221/4222/4223/4224
Cob  VCB
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
10
VIN  IO
103
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
8
5
4
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
102
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
12
102
10
10
1
2
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00021BJD
1.4
10 −1
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術情報のうちで、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、
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(2)
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弊社も
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りません。
(3)
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当社はそ
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(4)
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電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
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事
前に弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
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改良などのために予告なく変更する場合が
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、
事前に
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(6)
設計に際して、特に最大定格、
動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
だきますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥に
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また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP