ETC B04N60(4A600V)

B04N60
N-Channel Power MOSFET
特性
•
•
•
•
•
N 溝道增強模式
先進設計能抵抗雪崩及整流模式的能量
這設計提供一個漏极到源极二极管, 並貝備快速恢复時間
二极管用于橋式電路
能在高溫下規定 IDSS 及 VDS (ON)
應用
這些器件一般設計用於開關電源、電子變壓器、電子鎮流器、脈寬調制馬達控制中的低壓及高速
開關應用, 这些器件特别适于二极管速度和整流安全工作区十分关键的桥式电路,还提供附加安全
余量,来防止料想不到的瞬态电压。
D
TO-220
VDSS = 600V
RDS (on) = 2.4 ΩMax
ID = 4.0 A
G
S
S
最大額定值 ( TC = 25℃ )
參數名稱
漏极電流
柵极 至源楓電壓
漏极耗散功率
工作及貯存溫度
熱阻系數
接洽:藍電代理——豐雅企業有限公司
香港中環永吉街 11 號永享保險大廈 11 樓 C 窒
中國深圳市中航路新亞洲電子商城 4A008
符號
額定值
單位
ID
4.0
A
VGS
+/- 20
V
PD
96
W
TJ, TSTG
-55 to 150
℃
RθJC
1.3
℃/W
e-mail: info@funart.com.hk
Tel:(852)25950393
Fax:(852)25588160
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Fax:(86)755 6130 6667
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B04N60
N-Channel Power MOSFET
電特性 ( TC = 25℃ )
參數名稱
漏极 至 源极截止電壓
柵极 至 開啟電壓
漏极 至源极電流
符號
測試條件
最小值
最大值
單位
BVDSS
VGS(TH)
IDSS
VGS=0V, ID=250μA
VGS=VDS, ID=250μA
VDS = 600V,VGS=0V
600
2.0
0
4.0
0.1
V
V
mA
柵极 至源极漏電流
漏源動態電阻
IGSS
RDS(ON)
VGS = +/- 20V
VGS=10V, ID=2.0A
+/-100
2.4
nA
Ω
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