Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj = - 25°C...Tvj max VRRM 200, 400 600 V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 250, 450 650 V V IFRMSM 8000 A 5100 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current T K = 118°C IFAVM Stoßstrom-Grenzwert surge forward current T vj = 25°C, tp = 10ms IFSM 60 52 T vj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral I²t-value T vj = 25°C, tp = 10ms I²t T vj = Tvj max, tp = 10ms kA kA 18,0 13,5 A²s*106 A²s*106 1,36 V 0,7 V Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 14kA vF Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT Sperrstrom reverse current T vj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 0,047 mΩ 60 mA max. Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface T vj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature A118/99 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max. °C/W RthCK beidseitig / two-sided Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther max. 0,00935 max. 0,00879 max. max. max. max. 0,0030 180 °C T c op - 40...+180 °C T stg - 40...+180 °C Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Vorläufige Daten Preliminary data Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 30...45 typ. 102 Kriechstrecke creepage distance kN g mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Hinweis : Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen. Notice: We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 4,1 SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 1 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor 46 DN 02 ... 06 N Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig Rthn [°C/W] 0,000017 0,000150 0,00105 0,000413 0,00093 0,003475 0,00275 two-sided τ n [s] 0,000014 0,000173 0,00110 0,004360 0,01950 0,092000 0,28200 anodenseitig Rthn [°C/W] anode-sided τ n [s] kathodenseitig Rthn [°C/W] cathode-sided τ n [s] n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = =∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 18000 vT = A+B*iT+ln(iT+1)+√iT Tvj = 25 °C Tvj = Tvj max A = 0,884 B =1,22746E-05 C = -2,603E-02 D = 5,4002E-03 = 0,63337 = 7,07695E-06 = -2,8199E-02 = 7,553E-03 16000 14000 12000 iF [A] 10000 8000 6000 4000 2000 0 0,6 0,8 1 1,2 1,4 vF[V] Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting 0n-state characteristics iF = f(vT) Tvj = Tvjmax Tvj = 25 °C SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 2 Seite/page 5 1,6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 0,009 DC 0,008 0,007 R (th) JC [°C/W] 0,006 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 3 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 06 N 0,014 0,012 0,01 ∆ RthJC [°C/W] 0,008 0,006 0,004 0,002 0 30 60 90 120 150 180 Θ [ °el] Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 4 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 100.000 I T (OV) [A] 50.000 I TAV (vor) = 0A 2400A 2800A 3100 A 3400A 3600A 30.000 10.000 0,01 0,1 1 t [s] 10 100 Überstrom / Overload on-state current IF(OV) = f(t) Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.024 TA = 25°C, VL = 4 l/s Parameter: Vorlaststrom / pre-load current IFAV(vor) SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 z. Nr.: 5 Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 1 0,9 0,8 ∫i² dt (normiert) 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 tp [ms] Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 6 Seite/page 9 10 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 10.000 i FM = [A] 3200 1600 800 400 200 100 Qr [µAs] 1.000 100 10 0,1 1 10 100 1000 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: C = 1µf , R = 4 Ω SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 7 Seite/page 10 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46 DN 02 ... 06 N 10.000 i FM = [A] 3200/1600 800 400 200 100 Qr [µAs] 1.000 100 10 0,1 1 10 100 1000 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: 2,2 µF, R = 1,8 Ω SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Z. Nr.: 8 Seite/page 11