Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB R99A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: 0805 • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf • Wellenlänge: 466 nm (blau) • Abstrahlwinkel: extrem breite Abstrahlcharakteristik (160°) • Technologie: GaN • optischer Wirkungsgrad: 1 lm/W • Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet • Lötmethode: IR Reflow Löten • Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 • Gurtung: 8 mm Gurt mit 4000/Rolle, ø180 mm • package: 0805 • feature of the device: small package for applications where small space is required • wavelength: 466 nm (blue) • viewing angle: extremely wide (160°) • technology: GaN • optical efficiency: 1 lm/W • assembly methods: suitable for all SMT assembly methods • soldering methods: IR reflow soldering • preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 • taping: 8 mm tape with 4000/reel, ø180 mm Anwendungen Applications • optischer Indikator • Einkopplung in Lichtleiter • Flache Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter, Display) • Spielsachen • optical indicators • coupling into light guides • flat backlighting (LCD, cellular phones, switches, displays) • toys 2000-03-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LB R99A blue Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Ordering Code min. typ. 2.8 10 Q62702-P5175 Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 % ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %. 2000-03-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 30 … + 85 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 … + 85 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 95 °C Durchlaßstrom Forward current IF 20 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.1 IFM t.b.d. A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Leistungsaufnahme Power dissipation Ptot 90 mW 680 K/W 390 K/W Wärmewiderstand Thermal resistance Rth JA Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Rth JS Sperrschicht/Lötpad Junction/solder point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße ≥ 16 mm 2) mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm 2) 2000-03-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak 428 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom 465 nm 60 nm Spektrale Bandbreite Spectral bandwidth IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ 160 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) (max.) VF VF 3.8 4.5 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Temperaturkoeffizient von λpeak Temperature coefficient of λpeak IF = 20 mA (typ.) TCλpeak 0.004 nm/K Temperaturkoeffizient von λdom Temperature coefficient of λdom IF = 20 mA (typ.) TCλdom 0.03 nm/K Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 20 mA (typ.) TCV – 3.1 mV/K Optischer Wirkungsgrad Optical efficiency IF = 20 mA (typ.) ηopt 1 lm/W 2000-03-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00431 100 % I rel 80 Vλ blue 60 40 20 0 380 430 480 530 580 630 nm 680 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation Characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL00408 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 2000-03-01 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward Current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative Luminous Intensity TA = 25 °C OHL00432 10 2 OHL00456 10 1 IV IF 5 I V (20 mA) 10 1 10 0 5 5 10 0 10 -1 5 5 10 -1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 10 -2 -1 10 V 6 5 10 0 5 10 1 VF IF Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative Luminous Intensity IF = 20 mA Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T) Max. Permissible Forward Current OHL01215 30 mA 10 2 OHL00442 1.2 IV I F mA I V (25 ˚C) 25 0.8 20 0.6 15 TS TA 10 0.4 5 0.2 TA temp. ambient TS temp. solder point 0 0 20 40 60 0 -20 80 ˚C 100 20 40 60 ˚C 100 TA T 2000-03-01 0 6 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Maßzeichnung Package Outlines 0.9 (0.035) Top 0.4 (0.016) 0.2 (0.008) 0.35 (0.014) 0.15 (0.006) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 1.1 (0.043) 1.2 (0.047) 1.3 (0.051) 1.4 (0.055) 2.1 (0.083) 1.9 (0.075) Cathode mark 0.7 (0.028) 1.35 (0.053) 1.15 (0.045) Back GEOY6987 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2000-03-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 9501) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501) OHLA0685 250 Tmax = 245 ˚C ˚C T 200 t = 70 s T = 183 ˚C 150 2-3 K/s 100 2-3 K/s 50 0 0:00 0:30 1:00 1:30 2:00 2:30 3:00 3:30 4:00 4:30 5:00 min 5:30 t IR Reflow Löten IR Reflow Soldering 1.2 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad 1.2 0.9 1.2 OHAP0607 2000-03-01 8 OPTO SEMICONDUCTORS LB R99A Gurtung / Polarität und Lage Verpackungseinheit 4000/Rolle, ø180 mm Method of Taping / Polarity and Orientation Packing unit 4000/reel, ø180 mm Processive direction 1.5 2 1.75 4 8 3.5 (2.4) C A Cathode mark 1.6 4 OHAY0530 2000-03-01 9 OPTO SEMICONDUCTORS