5 mm (T1 ¾) LED, Non Diffused Super-Bright LED LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: klares 5 mm (T1 ¾) Gehäuse, eingefärbt (super-rot und gelb), nicht eingefärbt (orange und grün) • Besonderheit des Bauteils: enge Abstrahlcharakteristik • Wellenlänge: 628 nm (super-rot), 590 nm (gelb), 570 nm (grün) • Abstrahlwinkel: engwinklig (20°) • Technologie: GaAlP • optischer Wirkungsgrad: 1,5 lm/W (super-rot, orange, gelb), 2,5 lm/W (grün) • Gruppierungsparameter: Lichtstärke • Lötmethode: Wellenlöten (TTW) • Verpackung: Schüttgut, gegurtet lieferbar • package: clear 5 mm (T1 ¾) package, colored (super-red and yellow), colorless (orange and green) • feature of the device: narrow viewing angle • wavelength: 628 nm (super-red), 590 nm (yellow), 570 nm (green) • viewing angle: narrow (20°) • technology: GaAlP • optical efficiency: 1.5 lm/W (super-red, orange, yellow), 2.5 lm/W (green) • grouping parameter: luminous intensity • soldering methods: TTW soldering • packing: bulk, available taped on reel Anwendungen Applications • optischer Indikator • Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten, Displays, Werbebeleuchtung, Allgemeinbeleuchtung) • Innenbeleuchtung im Automobilbereich (z.B. Tastenhinterleuchtung, u.ä.) • Ersatz von Kleinst-Glühlampen • optical indicators • backlighting (LCD, switches, keys, displays, illuminated advertising, general lighting) • interior automotive lighting. (e.g. key backlighting, etc.) • substitution of micro incandescent lamps 2000-03-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Typ Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package LS 5421-NR LS 5421-Q LS 5421-R LS 5421-S LS 5421-QT super-red LO 5411-QT LO 5411-R LO 5411-S LO 5411-T LO 5411-RU Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code red clear 28 ... 71 ... 112 ... 180 ... 71 ... 180 112 180 280 450 20 (typ.) 20 (typ.) 30 (typ.) 50 (typ.) 60 (typ.) Q62703-Q1994 Q62703-Q1442 Q62703-Q1738 Q62703-Q2405 Q62703-Q1995 orange colorless clear 71 ... 112 ... 180 ... 280 ... 112 ... 450 180 280 450 710 70 (typ.) 20 (typ.) 30 (typ.) 50 (typ.) 60 (typ.) Q62703-Q3928 Q62703-Q3929 Q62703-Q3930 Q62703-Q3931 Q62703-Q3932 LY 5421-NR LY 5421-Q LY 5421-R LY 5421-S LY 5421-QT yellow yellow clear 28 ... 71 ... 112 ... 180 ... 71 ... 180 112 180 280 450 20 (typ.) 20 (typ.) 30 (typ.) 50 (typ.) 60 (typ.) Q62703-Q1444 Q62703-Q1446 Q62703-Q2005 Q62703-Q2632 Q62703-Q1447 LG 5411-NR LG 5411-Q LG 5411-R LG 5411-S LG 5411-QT green colorless clear 28 ... 71 ... 112 ... 180 ... 71 ... 180 112 180 280 450 20 (typ.) 20 (typ.) 30 (typ.) 50 (typ.) 60 (typ.) Q62703-Q2023 Q62703-Q1739 Q62703-Q1451 Q62703-Q2321 Q62703-Q2024 Type Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 % ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %. 2000-03-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Leistungsaufnahme Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 130 mW 400 K/W 180 K/W Wärmewiderstand Thermal resistance Rth JA Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Rth JS Sperrschicht/Lötpad Junction/solder point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße ≥ 16 mm 2) mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm 2) Minimale Beinchenlänge Minimum lead length 2000-03-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) λpeak 635 610 586 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) λdom 628 605 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) ∆λ 45 40 45 25 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV (typ.) 2ϕ 20 20 20 20 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Temperaturkoeffizient von λpeak Temperature coefficient of λpeak IF = 10 mA (typ.) TCλpeak 0.11 0.12 0.10 0.11 nm/K Temperaturkoeffizient von λdom Temperature coefficient of λdom IF = 10 mA (typ.) TCλdom 0.07 0.07 0.07 0.07 nm/K Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 10 mA (typ.) TCV – 1.9 – 1.9 – 1.9 – 1.4 mV/K Optischer Wirkungsgrad Optical efficiency IF = 10 mA (typ.) ηopt 1.5 1.5 1.5 2.5 lm/W 2000-03-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 10 mA Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL01102 100 % I rel 80 Vλ super-red orange green 40 yellow 60 20 0 400 450 500 550 600 650 700 nm λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation Characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01642 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 2000-03-01 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward Current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative Luminous Intensity TA = 25 °C OHL01263 10 2 OHL02357 10 1 IV I V(10 mA) I F mA 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 10 -2 5 green yellow super-red orange 5 10 -1 1 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 10 -1 3 V 3.4 5 10 0 10 1 5 mA 10 2 IF VF Relative Lichtstärke IV / IV(25 °C)= f (TA) Relative Luminous Intensity IF = 10 mA Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (T) Max. Permissible Forward Current OHL01092 50 OHL01149 2.0 IV I F mA I V (25 ˚C) 1.6 40 TA TS 30 1.2 20 0.8 10 0.4 yellow green orange super-red TA temp. ambient TS temp. solder point 0 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T 2000-03-01 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 6 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C OHL01162 10 4 tP I F mA t D= P T 10 3 IF T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 5 0.1 0.2 10 2 0.5 5 DC 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 tp 2000-03-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Maßzeichnung Package Outlines 5.9 (0.232) 7.5 (0.295) 5.5 (0.217) 1.8 (0.071) 1.2 (0.047) 29.0 (1.142) 27.0 (1.063) 9.0 (0.354) 8.2 (0.323) ø4.8 (0.189) 0.4 (0.016) 0.8 (0.031) 0.4 (0.016) 7.8 (0.307) ø5.1 (0.201) Cathode 0.6 (0.024) 2.54 (0.100) spacing Area not flat 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) GEXY6713 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Kathodenkennung: kürzerer Lötspieß Cathode mark: short solder lead Gewicht / Approx. weight: 0.35 g 2000-03-01 8 OPTO SEMICONDUCTORS LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) TTW Soldering (nach CECC 00802) (acc. to CECC 00802) OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 Zwangskühlung forced cooling 2 K/s 50 0 0 50 100 150 200 s 250 t Wellenlöten (TTW) TTW Soldering 4.8 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad 4 OHLP0985 2000-03-01 9 OPTO SEMICONDUCTORS