DB3 BI-DIRECTIONAL TRIGGER DIODES DO-35玻壳封装双向触发二极管 +VBO - -VBO 测试条件 Test Condition DB-3 28 32 36 DB-4 35 40 45 SEE FIG 1 DB-6 56 60 70 见图1 DB-3 3 DB-4 3 DB-6 4 击穿电压 见图1 BREAKDOWN VOLTAGE 击穿电压对称性 BREAKDOWN VOLTAGE SYMMETRY SEE FIG 1 动态回弹电压 ± V VO IBO 型号 外型尺寸 t Min Typ Max Uni Type Package 单位 mm) DYNAMIC BREAKBACK VOLTAGE SEE FIG 1 输出电压 见图2 OUTPUT VOLTAGE SEE FIG 2 29±1 V 5 DB-3 I= IBO to IF=10mA V 0.5 ±0.1 VBO 参数 Parameter DB-4 5 DB-6 10 V 5 V 击穿电流 100 3.8±0.2 1.8 ±0.2 符号 Symbol A BREAKDOWN current tr 上升时间 见图3 Rise time SEE FIG 3 1.5 29±1 s 漏电电流 10 Vm=0.5VBO(Max) IB A 见图1 Bleakage Current DO-35尺寸图 单位 mm) SEE FIG 1 极限参数 LIMITING VALUES 符号 Symbol Pc IFmax 参数 Parameter 功耗 Power Dissipution On Pented Circuit Unit 150 mW t a=50 t p=10 s 120pps 峰值脉冲电流 Value Ta 40 DB-3 2.0 DB-4 2.0 DB-6 16 A Tr Tj 贮存与工作结温范围 40 to 125 Storage and Operation Junction Temperature Range 40 to 110 Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Homepage: http://www.wingshing.com Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153 E-mail: [email protected] 3-1 WS DB3 玻壳封装双向触发二极管特性曲线 I --V +IF 500K 10K DIAC 10mA 0.1 -v IBO IB F VO 20 +V 0.5VBO FIG-2 输出电压测试电路 Test circuit for output voltage V VBO -IF IP 90% FIG-1 I - V 特性曲线 Current - voltage characterisitics 10% tr FIG-3 测试电路见图2 调整R IP=0.5A Test circuit see diagram 2,Adjust R for I=0.5A load up to 1500 watts P mW 160 120 3.3k 120V 80 0.1 Tamp ( 0 DIAC 50HZ 40 50 FIG -5 功耗环境温度关系曲线 TRIAC 200k F 100V 100 最大值 FIG-4 典型DIAC-TRIAC 全波相控电路 Power dissipation versus ambiept temperature( maximum values) Typical DIAC-TRIAC full-wave phase control 3-2 WS DB3 DO-35 玻壳封装双向触发二极管特性曲线 1.1 VBO(TJ) IVBO(TJ=25 2 F=100HZ TJ=25 1.08 1 1.06 0.5 0.2 1.04 0.1 0.05 1.02 0.02 T 1 25 50 75 10 100 FIG-6 VBO的相对变化与结温关系曲线 tp S 10 3 0.01 典型值 Relative variation of VBO versus temperature(typical values) 10 2 FIG-7 峰值脉冲电流与脉冲宽度关系曲线 10 最大值 Pesk Pulse Current Versus Pulse duration (maximum values) 3-3 4