TOREX XC6127

XC6127 シリーズ
JTR0217-006
超小型/高精度遅延回路内蔵 MR 付電圧検出器
■概要
XC6127 シリーズは超小型、高精度の遅延回路内蔵電圧検出器 IC です。CMOS プロセス、高精度基準電源、レーザートリミング技
術の採用により温度ドリフトも含め高精度、低消費電流、高精度遅延時間を実現しています。解除遅延時間は内部トリミングにより
50ms から最長 800ms まで設定されており長時間のリセット時間を確保できます。
マニュアルリセット端子(MRB)により強制リセット機能も利用できます。
出力は N-ch オープンドレイン及び CMOS の 2 種類あり、出力論理も RESETB(Active Low)と RESET(Active High)から選択でき
ます。
パッケージは超小型 USPN-4 及び SSOT-24、SOT-25 の 3 種類を用意しており、携帯機器での小型化、高密度実装ならびに従来
製品からの置き換えを可能としています。
■特長
■用途
● マイコン、ロジック回路のリセット
検出電圧精度
:
±0.8% (25℃)
検出電圧温度特性
:
±50ppm/℃
消費電流
:
0.6μA TYP. (検出時 VDF=1.8V, VIN=1.62V)
● バッテリーチェック、充電検出
0.7μA TYP. (解除時 VDF=1.8V, VIN=1.98V)
● メモリーバックアップ
● システムのパワーオンリセット
● 停電検出
動作電圧範囲
:
0.7V～6.0V
検出電圧選択範囲
:
1.5V～5.5V(0.1V ステップ)
マニュアルリセット入力
:
MRB 端子 (プルアップ抵抗内蔵)
出力形態
:
N-ch オープンドレイン出力/CMOS 出力
出力論理
:
RESETB (Active Low)
解除遅延時間
:
RESET (Active High)
● 遅延回路
50ms/100ms/200ms/400ms/800ms±15%
の 5 種類より選択可能。
■代表標準回路
動作周囲温度
:
-40℃~＋85℃
パッケージ
:
USPN-4, SSOT-24,SOT-25
環境への配慮
:
EU RoHS 指令対応、鉛フリー
■代表特性例
XC6127x27Bｘ
μP
XC6127 series
VIN
MRB
VIN
RESETB/RESET
INPUT
RESETB
RESET
VSS
VSS
RESET
SW
CMOS output
VCC
VIN
MRB
VIN
RESETB
RESET
VIN=VDFL×0.9→VDFL×1.1 , MRB=OPEN
115
110
105
100
95
90
85
-50
Vpull-Up
XC6127 series
Release Delay Time: tDR (ms)
VCC
Rpull
μP
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature: Ta (℃)
RESETB/RESET
INPUT
VSS
VSS
RESET
SW
N-ch open drain output
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XC6127 シリーズ
■端子配列
VIN 4
RESETB
1 RESET
VSS 3
2 MRB
RESETB
RESET
MRB
4
3
USPN-4
(BOTTOM VIEW)
1
2
VIN
VSS
SSOT-24
(TOP VIEW)
VIN
RESETB
RESET
5
4
1
2
3
MRB
VSS
NC
SOT-25
(TOP VIEW)
■端子説明
USPN-4
PIN NUMBER
SSOT-24
SOT-25
1
1
2
3
4
-
4
4
3
2
1
-
4
4
1
2
5
3
PIN NAME
FUNCTIONS
RESETB
RESET
MRB
VSS
VIN
NC
Signal Output (Active Low) (*1)
Signal Output (Active High) (*2)
Manual Reset Input
Ground
Power Input
No Connection
(*1) Type A～E (品番ルール④参照)
(*2) Type F～K (品番ルール④参照)
■機能表
PIN NAME
SIGNAL
STATUS
MRB
L
H
OPEN
Forced Reset
Normal Operation
Normal Operation
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XC6127
シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC6127①②③④⑤⑥-⑦(*1)
DESIGNATOR
ITEM
①
Output Configuration
②③
Detect Voltage
④
Type
⑤⑥-⑦
(*1)
Packages (Order Unit)
SYMBOL
C
N
15～55
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
7R-G
MR-G
NR-G
DESCRIPTION
CMOS output
N-ch open drain output
e.g. 2.7V → ②=2, ③=7
Reset Active Low, Release Delay Time: 50ms
Reset Active Low, Release Delay Time: 100ms
Reset Active Low, Release Delay Time: 200ms
Reset Active Low, Release Delay Time: 400ms
Reset Active Low, Release Delay Time: 800ms
Reset Active High, Release Delay Time: 50ms
Reset Active High, Release Delay Time: 100ms
Reset Active High, Release Delay Time: 200ms
Reset Active High, Release Delay Time: 400ms
Reset Active High, Release Delay Time: 800ms
USPN-4 (5,000/Reel)
SOT-25 (3,000/Reel)
SSOT-24 (3,000/Reel)
(*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。
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XC6127 シリーズ
■ブロック図
1) XC6127 シリーズ CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ(CMOS 出力、出力論理：Active Low 品)
*上記のダイオードは静電保護用のダイオードと寄生ダイオードとなります。
2) XC6127 シリーズ NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(Nch オープンドレイン出力、出力論理：Active Low 品)
*上記のダイオードは静電保護用のダイオードと寄生ダイオードとなります。
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XC6127
シリーズ
■ブロック図
3) XC6127 シリーズ CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ(CMOS 出力、出力論理：Active High 品)
*上記のダイオードは静電保護用のダイオードと寄生ダイオードとなります。
4) XC6127 シリーズ NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(Nch オープンドレイン出力、出力論理：Active High 品)
*上記のダイオードは静電保護用のダイオードと寄生ダイオードとなります。
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XC6127 シリーズ
■絶対最大定格
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNITS
Input Voltage
VIN
VSS-0.3～VSS+6.5
V
MRB Input Voltage
VMRB
VSS～VSS+6.5
V
Output Current
(*1)
20
mA
Output Voltage
XC6127C (*2)
XC6127N
(*4)
(*3)
VSS-0.3～VSS+6.5
USPN-4
Power Dissipation
VSS-0.3～VIN+0.3≦VSS+6.5
V
100
Pd
250
Operating Ambient Temperature
Topr
-40～+85
℃
Storage Temperature
Tstg
-55～+125
℃
SOT-25
SSOT-24
mW
150
(*1) 製品タイプにより下記 SYMBOL となります。
IRBOUT: XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ
IROUT: XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ
(*2) CMOS 出力
(*3) Nch オープンドレイン出力
(*4) 製品タイプにより下記 SYMBOL となります。
VRESETB: XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ
VRESET: XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ
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XC6127
シリーズ
■電気的特性
Ta=25℃
XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(出力論理：Active Low 品)
PARAMETER
SYMBOL
Operating Voltage
VIN
Detect Voltage
VDFL
CONDITIONS
(*1)
VDF(T) =1.5～5.5V, MRB=OPEN
MIN.
(*2)
VDF(T)=1.5～5.5V, MRB=OPEN
0.7
TYP.
(*3)
VDF(T)×0.992
VDF(T)
E-1
Hysteresis Width
VHYS
MAX.
UNITS
CIRCUIT
6.0
V
-
V
①
V
①
μA
②
μA
②
mA
③
③
VDF(T)×1.008
(*4)
VDFL×0.02
VDFL×0.05
VDFL×0.08
VDF(T)=1.5～1.8V
-
0.6
1.4
VDF(T)=1.9～3.0V
-
0.7
1.6
VDF(T)=3.1～5.5V
-
1.0
1.9
VDF(T)=1.5～1.8V
-
0.7
1.6
VDF(T)=1.9～3.0V
-
0.8
1.9
VDF(T)=3.1～5.5V
-
1.1
2.35
VIN=0.7V, VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
0.014
0.2
-
VIN=1.0V, VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
VIN=VDFL×0.9 , MRB=OPEN
Supply Current 1
ISS1
VIN=VDFL×1.1
Supply Current 2
ISS2
(*5)
, MRB=OPEN
0.5
1.6
-
(*6)
4.4
7.0
-
(*7)
7.0
9.0
-
(*8)
8.5
11.0
-
VIN=5.0V , VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
(*9)
9.0
12.0
-
VIN=6.0V, VRESETB=5.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-4.5
-3.0
mA
VIN=VDFL×0.9, VRESETB=0V , MRB=OPEN
-
-0.01
-
μA
VIN=6.0V, VRESETB=6.0V , MRB=OPEN
-
0.01
0.15
μA
-40℃≦Topr≦85℃
-
±50
-
ppm/℃
①
-
-
100
μs
④
ms
④
VIN=2.0V , VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
IRBOUT1
RESETB
Output Current
VIN=3.0V , VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
VIN=4.0V , VRESETB=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
I
RESETB
Leakage
Current
CMOS
Output(Pch)
Nch Open
Drain Output
Temperature Characteristics
(*11)
Detect Delay Time
ILEAK
ΔVDFL/
(ΔTopr・VDFL)
tDF
(*12)
Release Delay Time
MRB “Low” Level Voltage
(*10)
RBOUT2
tDR
③
(*11)
VIN=VDFL×1.1→VDFL×0.9
(*12)
VIN=VDFL×0.9→VDFL×1.1
, MRB=OPEN
, MRB=OPEN
E-2
(*13)
(*14)
VMRL
VDFL×1.1≦VIN≦6.0V
VSS
-
0.3
V
⑤
(*14)
VMRH
VDFL×1.1≦VIN≦6.0V
1.0
-
6.0
V
⑤
0.4
0.8
3.0
MΩ
⑥
150
-
-
ns
⑦
MRB “High” Level Voltage
MRB pull-up Resistance
RMRB
Minimum MRB Pulse Width
TMRB
VIN=6.0V,
Applied pulse to MRB pin,
(*1) VDF(T)：設定検出電圧値
(*2) Nch オープンドレイン出力品の場合、Rpull=100kΩ、Vpull-Up=VIN とする。
Rpull：外付けプルアップ抵抗
Vpull-Up：プルアップ電圧
(*3) 検出状態で VOUT≦0.3V となる VIN 電圧。
(*4) 各設定検出電圧での詳細な値は設定電圧別一覧表参照。
(*5) VDF(T)= 5.5V のみ VIN=6.0V
(*6) VDF(T)＞2.0V の製品のみ。
(*7) VDF(T)＞3.0V の製品のみ。
(*8) VDF(T)＞4.0V の製品のみ。
(*9) VDF(T)＞5.0V の製品のみ。
(*10) XC6127C(CMOS 出力)のみ
(*11) VIN 立ち下げ時、VIN=VDFL から VRESETB=VDFL×0.45 になるまでの時間。
(*12) VIN 立ち上げ時、VIN=VDFL+VHYS から VRESETB=VDFL×0.55 になるまでの時間。
(*13) 各製品タイプでの詳細な値は解除遅延時間一覧表参照。
(*14) MRB 端子には VSS より低い電圧を印加しないで下さい。
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XC6127 シリーズ
■電気的特性
XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(出力論理：Active High 品)
PARAMETER
SYMBOL
Operating Voltage
VIN
Detect Voltage
VDFH
CONDITIONS
MIN.
(*2)
(*1)
VDF(T) =1.5～5.5V, MRB=OPEN
VDF(T)=1.5～5.5V, MRB=OPEN
0.7
TYP.
(*3)
VDF(T)×0.992
VDF(T)
E-1
Hysteresis Width
VHYS
Ta=25℃
MAX.
UNITS
CIRCUIT
6.0
V
-
V
①
V
①
μA
②
μA
②
mA
③
mA
③
VDF(T)×1.008
(*4)
VDFH×0.02
VDFH×0.05
VDFH×0.08
VDF(T)=1.5～1.8V
-
0.6
1.4
VDF(T)=1.9～3.0V
-
0.7
1.6
VDF(T)=3.1～5.5V
-
1.0
1.9
VDF(T)=1.5～1.8V
-
0.7
1.6
VDF(T)=1.9～3.0V
-
0.8
1.9
VDF(T)=3.1～5.5V
-
1.1
2.35
VIN=1.65V , VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
VIN=VDFH×0.9 , MRB=OPEN
Supply Current 1
ISS1
VIN=VDFH×1.1
Supply Current 2
ISS2
(*5)
, MRB=OPEN
(*6)
0.5
1.6
-
(*7)
4.4
7.0
-
(*8)
7.0
9.0
-
(*9)
8.5
11.0
-
9.0
12.0
-
VIN=2.0V , VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
IROUT1
VIN=3.0V , VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
VIN=4.0V , VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
VIN=5.0V
(*10)
, VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
RESET
VIN=6.0V, VRESET=0.5V(Nch) , MRB=OPEN
9.0
12.0
-
Output Current
VIN=0.7V, VRESET=0.2V(Pch) , MRB=OPEN
-
-0.07
-0.001
VIN=1.0V, VRESET=0.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-0.4
-0.09
IROUT2
(*11)
VIN=2.0V
(*12)
, VRESET=1.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-2.0
-1.3
VIN=3.0V
(*13)
, VRESET=2.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-3.0
-1.8
VRESET=3.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-4.0
-2.5
, VRESET=4.5V(Pch) , MRB=OPEN
-
-4.5
-3.0
VIN=6.0V, VRESET=0V, MRB=OPEN
-
-0.01
-
μA
VIN=VDFH×0.9, VRESET=6.0V, MRB=OPEN
-
0.01
0.15
μA
-40℃≦Topr≦85℃
-
±50
-
ppm/℃
①
-
-
μs
④
ms
④
VIN=4.0V
VIN=5.0V
RESET
Leakage
Current
CMOS
Output (P-ch)
N-ch Open
Drain Output
Temperature
ΔVDFH/
(ΔTopr・VDFH)
(*16)
Release Delay Time
tDF
③
(*16)
VIN=VDFH×1.1→VDFH×0.9
E-3
(*17)
tDR
(*20)
VMRL
VDFH×1.1≦VIN≦6.0V
VSS
-
0.3
V
⑤
(*20)
VMRH
VDFH×1.1≦VIN≦6.0V
1.0
-
6.0
V
⑤
0.4
0.8
3.0
MΩ
⑥
150
-
-
ns
⑦
MRB “High” Level Voltage
MRB pull-up Resistance
RMRB
Minimum MRB Pulse Width
TMRB
(*18)
, MRB=OPEN
(*18)
MRB “Low” Level Voltage
8/24
(*15)
ILEAK
Characteristics
Detect Delay Time
(*14),
VIN=VDFH×0.9→VDFH×1.1
, MRB=OPEN
VIN=6.0V, Applied pulse to MRB pin, 6.0V→0V
E-2
(*19)
XC6127
シリーズ
■電気的特性
(*1) VDF(T)：設定検出電圧値
(*2) Nch オープンドレイン出力品の場合、Rpull=100kΩ、Vpull-Up=VIN とする。
Rpull：外付けプルアップ抵抗
Vpull-Up：プルアップ電圧
(*3) 検出状態で VOUT≧0.4V となる VIN 電圧。
(*4) 各設定検出電圧での詳細な値は設定電圧別一覧表参照。
(*5) VDF(T)= 5.5V のみ VIN=6.0V
(*6) VDF(T)=1.5V の製品のみ。
(*7) VDF(T)≦1.8V の製品のみ。
(*8) VDF(T)≦2.7V の製品のみ。
(*9) VDF(T)≦3.6V の製品のみ。
(*10) VDF(T)≦4.6V の製品のみ。
(*11) XC6127C(CMOS 出力)のみ
(*12) VDF(T)＞2.0V の製品のみ。
(*13) VDF(T)＞3.0V の製品のみ。
(*14) VDF(T)＞4.0V の製品のみ。
(*15) VDF(T)＞5.0V の製品のみ。
(*16) VIN 立ち下げ時、VIN=VDFH から VRESET=VDFH×0.45 になるまでの時間。
(*17) 各製品タイプでの詳細な値は検出遅延時間一覧表参照。
(*18) VIN 立ち上げ時、VIN=VDFH+VHYS から VRESET=VDFH×0.55 になるまでの時間。
(*19) 各製品タイプでの詳細な値は解除遅延時間一覧表参照。
(*20) MRB 端子には VSS より低い電圧を印加しないで下さい。
9/24
XC6127 シリーズ
■電気的特性
設定電圧別一覧表 1
NOMINAL
DETECT
VOLTAGE
(V)
VDF(T)
設定電圧別一覧表 2
DETECT
VOLTAGE
(V)
E-1
VDFL or VDFH
MIN.
MAX.
1.50
1.4880
1.5120
1.60
1.5872
1.6128
1.70
1.6864
1.80
NOMINAL
DETECT
VOLTAGE
(V)
VDF(T)
DETECT
VOLTAGE
(V)
E-1
VDFL or VDFH
MIN.
MAX.
4.10
4.0672
4.1328
4.20
4.1664
4.2336
1.7136
4.30
4.2656
4.3344
1.7856
1.8144
4.40
4.3648
4.4352
1.90
1.8848
1.9152
4.50
4.4640
4.5360
2.00
1.9840
2.0160
4.60
4.5632
4.6368
2.10
2.0832
2.1168
4.70
4.6624
4.7376
2.20
2.1824
2.2176
4.80
4.7616
4.8384
2.30
2.2816
2.3184
4.90
4.8608
4.9392
2.40
2.3808
2.4192
5.00
4.9600
5.0400
2.50
2.4800
2.5200
5.10
5.0592
5.1408
2.60
2.5792
2.6208
5.20
5.1584
5.2416
2.70
2.6784
2.7216
5.30
5.2576
5.3424
2.80
2.7776
2.8224
5.40
5.3568
5.4432
2.90
2.8768
2.9232
5.50
5.4560
5.5440
3.00
2.9760
3.0240
3.10
3.0752
3.1248
3.20
3.1744
3.2256
3.30
3.2736
3.3264
3.40
3.3728
3.4272
3.50
3.4720
3.5280
3.60
3.5712
3.6288
3.70
3.6704
3.7296
3.80
3.7696
3.8304
3.90
3.8688
3.9312
4.00
3.9680
4.0320
10/24
XC6127
シリーズ
■電気的特性
解除遅延時間一覧表
RELEASE DELAY TIME
(ms)
TYPE
E-2
tDR
MIN.
TYP.
MAX.
XC6127CxxA / XC6127NxxA
42.5
50
57.5
XC6127CxxB / XC6127NxxB
85
100
115
XC6127CxxC / XC6127NxxC
170
200
230
XC6127CxxD / XC6127NxxD
340
400
460
XC6127CxxE / XC6127NxxE
680
800
920
XC6127CxxF / XC6127NxxF
42.5
50
57.5
XC6127CxxG / XC6127NxxG
85
100
115
XC6127CxxH / XC6127NxxH
170
200
230
XC6127CxxJ / XC6127NxxJ
340
400
460
XC6127CxxK / XC6127NxxK
680
800
920
検出遅延時間一覧表
DETECT DELAY TIME
(μs)
TYPE
E-3
tDF
MAX.
XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK
100
XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK
200
11/24
XC6127 シリーズ
■動作説明
1. XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(出力論理：Active Low 品)での検出/解除動作
動作説明回路図
タイミングチャート
上記、動作説明回路図に示す MRB オープン時の回路動作をタイミングチャートを用いて説明します。
①初期状態は入力電圧(VIN)は解除電圧(VDR)以上が印加されているものとし、VIN が徐々に低下するものとします。
入力電圧(VIN)に検出電圧(VDFL)より高い電圧が印加される状態では、出力電圧(VRESETB)は入力電圧(VIN)が出力されます。
*N-ch オープンドレイン出力品の場合では RESETB 端子はハイインピーダンス状態となり、出力がプルアップされている場合は、
出力電圧(VRESETB)はプルアップ電圧が出力されます。
②③入力電圧(VIN)が低下して検出電圧(VDFL)以下になってから検出遅延時間(tDF)経過後、出力電圧(VRESETB)はグランド電位(VSS)が出力されます。
（検出状態）
*N-ch オープンドレイン出力品も同様です。
④入力電圧(VIN)がさらに低下し、最低動作電圧(0.7V)未満となった場合、出力は不定となります。
*N-ch オープンドレイン出力品で出力端子がプルアップされている場合は出力電圧(VRESETB)はプルアップ電圧が出力される場合があります。
⑤入力電圧(VIN)が最低動作電圧(0.7V)を超えて上昇し、解除電圧(VDR)になるまで、出力電圧(VRESETB)はグランﾄﾞ電位となります。
⑥入力電圧(VIN)が解除電圧(VDR)以上となってから解除遅延時間（tDR)が経過するまでは、遅延回路により出力電圧(VRESETB)はグランﾄﾞ電位を
維持します。
⑦解除遅延時間（tDR)経過後、出力電圧(VRESETB)は入力電圧(VIN)が出力されます。
（解除状態）
*N-ch オープンドレイン出力品の場合、①と同様に RESETB 端子はハイインピーダンス状態となり、出力がプルアップされている場合は、
出力電圧(VRESETB)はプルアップ電圧が出力されます。
⑧解除電圧(VDR)と検出電圧(VDFL)の差がヒステリシス幅(VHYS)です。
12/24
XC6127
シリーズ
■動作説明
2. XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(出力論理：Active High 品)
動作説明回路図
タイミングチャート
上記、動作説明回路図に示す MRB オープン時の回路動作をタイミングチャートを用いて説明します。
①初期状態は入力電圧(VIN)は解除電圧(VDR)以上が印加されているものとし、VIN が徐々に低下するものとします。
入力電圧(VIN)に検出電圧(VDFH)より高い電圧が印加される状態では、出力電圧(VRESET)はグランド電位(VSS)が出力されます。
*N-ch オープンドレイン出力品も同様です。
②③入力電圧(VIN)が低下して検出電圧(VDFH)以下になってから検出遅延時間(tDF)経過後、出力電圧(VRESET)は入力電圧(VIN)が出力されます。
（検出状態）
*N-ch オープンドレイン出力品の場合では RESET 端子はハイインピーダンス状態となり、出力がプルアップされている場合は、
出力電圧(VRESET)はプルアップ電圧が出力されます。
④入力電圧(VIN)がさらに低下し、最低動作電圧(0.7V)未満となった場合、出力は不定となります。
⑤入力電圧(VIN)が最低動作電圧(0.7V)を超えて上昇し、解除電圧(VDR)になるまで、出力電圧(VRESET)は VIN 電位となります。
*N-ch オープンドレイン出力品の場合、RESET 端子はハイインピーダンス状態となり、出力がプルアップされている場合は、
出力電圧(VRESET)はプルアップ電圧が出力されます。
⑥入力電圧(VIN)が解除電圧(VDR)以上となってから解除遅延時間（tDR)が経過するまでは、遅延回路により出力電圧(VRESET)は VIN 電位を
維持します。
⑦解除遅延時間（tDR)経過後、出力電圧(VRESET)はグランド電位(VSS)が出力されます。
（解除状態）
⑧解除電圧(VDR)と検出電圧(VDFH)の差がヒステリシス幅(VHYS)です。
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XC6127 シリーズ
■動作説明
3. MRB 端子
MRB 端子への入力信号によって強制的に出力端子の信号を検出状態にすることが出来ます。
MRB 信号入力時の回路動作をタイミングチャートを用いて説明します。
入力電圧 VIN に VDR 以上の電圧が印加された状態で MRB 入力電圧(VMRB)に H レベル(VMRH)→L レベル(VMRL)以下の信号が入力された場合、
出力端子は解除状態
(*1)
→検出状態
(*2)
の信号を出力します。
その状態から MRB 入力電圧(VMRB)が L レベル(VMRL)→H レベル(VMRH)に達してからは解除遅延時間(tDR)の間、出力端子は検出状態を維持し
解除遅延時間(tDR)経過後、解除状態の信号を出力します。
(*1) 製品タイプにより解除状態での出力電圧は下記の電圧となります。
XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(出力論理：Active Low 品)
： 入力電圧(VIN)
(*3)
XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(出力論理：Active High 品)
： グランド電位(VSS)
(*2) 製品タイプにより検出状態での出力電圧は下記の電圧となります。
XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(出力論理：Active Low 品)
： グランド電位(VSS)
XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(出力論理：Active High 品)
： 入力電圧(VIN)
(*3)
(*3) Nch オープンドレイン出力品の場合で出力がプルアップされている場合は、プルアップ電圧となります。
(*4) MRB 端子と VIN 端子の間には pull-up 抵抗(RMRB)が内蔵されていますので MRB 端子に電圧が印加された場合には VIN 端子から
MRB 端子に電流が流れます。
(*5) MRB 端子には VSS～6.0V の範囲の電圧を入力してご使用下さい。
タイミングチャート
Input Voltage: VIN
Release Voltage: VDR
Detect Voltage: VDFL or VDFH
Ground Voltage：VSS
MRB Input Voltage: VMRB
MRB “High” Level Voltage: VMRH
MRB “Low” Level Voltage: VMRL
Ground Voltage：VSS
Output Voltage: VRESETB
Release Delay Time: ｔDR
Ground Voltage：VSS
Output Voltage: VRESET
Release Delay Time: ｔDR
Ground Voltage：VSS
14/24
XC6127
シリーズ
■使用上の注意
1. 一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について。
絶対最大定格を超える場合には、劣化または破壊する可能性があります。
2. 入力電圧が急峻な変動をする場合や入力電圧が周期的な変動を繰り返す条件下では誤動作を起こす可能性がありますのでご注意ください。
3. VIN 端子と電源入力 VDD の間に抵抗 RIN を接続すると、内部回路の貫通電流と RIN による電圧降下で解除動作時に発振する場合がありますので
ご注意下さい。CMOS 出力品では RIN と貫通電流の影響により解除/検出動作に関わらず発振する場合がありますので RIN を接続して使用しな
いで下さい。
4. N-ch オープンドレイン出力の時、出力端子に接続するプルアップ抵抗より検出時の出力電圧が決まります。以下の事柄を参照して抵抗値を
選択して下さい。
XC6127CxxA/CxxB/CxxC/CxxD/CxxE タイプ、XC6127NxxA/NxxB/NxxC/NxxD/NxxE タイプ(出力論理：Active Low 品)の場合
検出時：VRESETB=(Vpull-Up)/(1+Rpull/RON)
Vpull-Up：プルアップ先の電圧
RON
(*1)
：Nch ドライバの ON 抵抗（電気的特性より、VRESETB/IRBOUT1 から算出）
(*3)
計算例)
VIN=2.0V 時
(*2)
RON=0.5/4.4×10-3≒114Ω（MAX.）となり、Vpull-Up が 3.0V で検出時の VRESETB 電圧を 0.1V 以下にしたい場合、
Rpull=(Vpull-Up /VRESETB-1)×RON=(3/0.1-1)×114≒3.3kΩになるため
上記の条件で検出時の出力電圧を 0.1V 以下にするためにはプルアップ抵抗を 3.3kΩ以上にする必要があります。
(*1) VIN が小さいほど RON は大きくなりますのでご注意下さい。
(*2) VIN の選択はご使用になる入力電圧の範囲で最低の値で計算してください。
(*3) 電気的特性で規定される IRBOUT1 は Ta=25℃での値となります。IRBOUT1 は周囲温度により変化します。
周囲温度を考慮する場合のプルアップ抵抗値については弊社営業へ問い合わせ下さい。
解除時：VRESETB=(Vpull-Up)/(1+Rpull/ROFF)
Vpull-Up：プルアップ先の電圧
ROFF：Nch ドライバの OFF 時抵抗値 40MΩ（MIN.）（電気的特性より、VRESETB/ILEAK から算出）
計算例)
Vpull-Up が 6.0V で VRESETB を 5.99V 以上にしたい場合
Rpull=(Vpull-Up/VRESETB-1)×ROFF=(6/5.99-1)×40×106≒66kΩになるため
上記の条件で解除時の出力電圧を 5.99V 以上にするためにはプルアップ抵抗を 66kΩ以下にする必要があります。
XC6127CxxF/CxxG/CxxH/CxxJ/CxxK タイプ、XC6127NxxF/NxxG/NxxH/NxxJ/NxxK タイプ(出力論理：Active High 品)の場合
検出時：VRESET=(Vpull-Up)/(1+Rpull/ROFF)
Vpull-Up：プルアップ先の電圧
ROFF：Nch ドライバの OFF 時抵抗値 40MΩ（MIN.）（電気的特性より、VRESET/ILEAK から算出）
計算例)
Vpull-Up が 6.0V で VRESET を 5.99V 以上にしたい場合
Rpull=(Vpull-Up/VRESET-1)×ROFF=(6/5.99-1)×40×106≒66kΩになるため
上記の条件で検出時の出力電圧を 5.99V 以上にするためにはプルアップ抵抗を 66kΩ以下にする必要があります。
解除時：VRESET=(Vpull-Up)/(1+Rpull/RON)
Vpull-Up：プルアップ先の電圧
RON
(*1)
：Nch ドライバの ON 抵抗（電気的特性より、VRESET/IROUT1 から算出）
(*3)
計算例)
VIN=2.0V 時
(*2)
RON=0.5/4.4×10-3≒114Ω（MAX.）となり、Vpull-Up が 3.0V で検出時の VRESET 電圧を 0.1V 以下にしたい場合、
Rpull=(Vpull-Up /VRESET-1)×RON=(3/0.1-1)×114≒3.3kΩになるため
上記の条件で解除時の出力電圧を 0.1V 以下にするためにはプルアップ抵抗を 3.3kΩ以上にする必要があります。
(*1) VIN が小さいほど RON は大きくなりますのでご注意下さい。
(*2) VIN の選択はご使用になる入力電圧の範囲で最低の値で計算してください。
(*3) 電気的特性で規定される IROUT1 は Ta=25℃での値となります。IROUT1 は周囲温度により変化します。
周囲温度を考慮する場合のプルアップ抵抗値については弊社営業へ問い合わせ下さい。
5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計およびエージング処理な
ど、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。
15/24
XC6127 シリーズ
■測定回路
測定回路図①
測定回路図②
測定回路図③
測定回路図④
16/24
XC6127
シリーズ
■測定回路
測定回路図⑤
測定回路図⑥
測定回路図⑦
17/24
XC6127 シリーズ
■外形寸法図
Unit:mm
●USPN-4
●USPN-4 参考パターンレイアウト
0.25
4
3
0.2
0.2
4
3
0.45
0.25
●USPN-4 参考メタルマスクデザイン
18/24
1
0.55
2
0.125
0.1
0.4
5
.0
C0
0.125
1
0.55
2
0.1
XC6127
シリーズ
■外形寸法図
●SSOT-24
Unit:mm
●SOT-25
19/24
XC6127 シリーズ
■マーキング
●USPN-4
① 製品シリーズと出力形態を表す。
シンボル
出力形態
品名表記例
F
CMOS
XC6127C*****-G
H
Nch
XC6127N*****-G
② 検出電圧を表す。
出力電圧(V)
シンボル
シンボル
出力電圧(V)
シンボル
出力電圧(V)
A
1.5
1.6
K
2.9
3.0
T
4.3
4.4
B
1.7
1.8
L
3.1
3.2
U
4.5
4.6
C
1.9
2.0
M
3.3
3.4
V
4.7
4.8
D
2.1
2.2
N
3.5
3.6
X
4.9
5.0
E
2.3
2.4
P
3.7
3.8
Y
5.1
5.2
F
2.5
2.6
R
3.9
4.0
Z
5.3
5.4
H
2.7
2.8
S
4.1
4.2
0
5.5
-
③ 検出電圧範囲と解除遅延時間/検出論理を表す。
シンボル
検出電圧[V]
解除遅延時間/検出論理
A
50ms/Low
品名表記例
XC6127*15A**-G ～ XC6127*55A**-G
B
100ms/Low
XC6127*15B**-G ～ XC6127*55B**-G
C
200ms/Low
XC6127*15C**-G ～ XC6127*55C**-G
D
400ms/Low
XC6127*15D**-G ～ XC6127*55D**-G
800ms/Low
XC6127*15E**-G ～ XC6127*55E**-G
50ms/High
XC6127*15F**-G ～ XC6127*55F**-G
H
100ms/High
XC6127*15G**-G ～ XC6127*55G**-G
K
200ms/High
XC6127*15H**-G ～ XC6127*55H**-G
L
400ms/High
XC6127*15J**-G ～ XC6127*55J**-G
M
800ms/High
XC6127*15K**-G ～ XC6127*55K**-G
N
50ms/Low
XC6127*16A**-G ～ XC6127*54A**-G
P
100ms/Low
XC6127*16B**-G ～ XC6127*54B**-G
R
200ms/Low
XC6127*16C**-G ～ XC6127*54C**-G
S
400ms/Low
XC6127*16D**-G ～ XC6127*54D**-G
800ms/Low
XC6127*16E**-G ～ XC6127*54E**-G
50ms/High
XC6127*16F**-G ～ XC6127*54F**-G
V
100ms/High
XC6127*16G**-G ～ XC6127*54G**-G
X
200ms/High
XC6127*16H**-G ～ XC6127*54H**-G
Y
400ms/High
XC6127*16J**-G ～ XC6127*54J**-G
Z
800ms/High
XC6127*16K**-G ～ XC6127*54K**-G
E
F
奇数
T
U
偶数
④ 製造ロットを表す。0～9, A～Z,及び反転文字 0～9, A～Z を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。)
20/24
XC6127
シリーズ
■マーキング
●SSOT-24
1
2
1
3
④
④
③
4
③
②
①
3
②
4
SSOT24(方向下バー付きタイプ)
①
SSOT24(方向上バー付きタイプ)
2
①-1 製品シリーズを表す。検出電圧範囲、出力形態を表す。
シンボル
出力形態
検出電圧範囲[V]
解除遅延時間/検出論理
50ms/Low
5
品名表記例
XC6127C15A**-G ～ XC6127C55A**-G
6
100ms/Low
XC6127C15B**-G ～ XC6127C55B**-G
7
200ms/Low
XC6127C15C**-G ～ XC6127C55C**-G
8
400ms/Low
XC6127C15D**-G ～ XC6127C55D**-G
9
800ms/Low
XC6127C15E**-G ～ XC6127C55E**-G
50ms/High
XC6127C15F**-G ～ XC6127C55F**-G
B
100ms/High
XC6127C15G**-G ～ XC6127C55G**-G
C
200ms/High
XC6127C15H**-G ～ XC6127C55H**-G
D
400ms/High
XC6127C15J**-G ～ XC6127C55J**-G
800ms/High
XC6127C15K**-G ～ XC6127C55K**-G
奇数
A
E
F
CMOS
50ms/Low
XC6127C16A**-G ～ XC6127C54A**-G
H
100ms/Low
XC6127C16B**-G ～ XC6127C54B**-G
K
200ms/Low
XC6127C16C**-G ～ XC6127C54C**-G
N
400ms/Low
XC6127C16D**-G ～ XC6127C54D**-G
800ms/Low
XC6127C16E**-G ～ XC6127C54E**-G
50ms/High
XC6127C16F**-G ～ XC6127C54F**-G
S
100ms/High
XC6127C16G**-G ～ XC6127C54G**-G
T
200ms/High
XC6127C16H**-G ～ XC6127C54H**-G
P
R
偶数
U
V
※CMOS 品は、上方向バー仕様とする。
400ms/High
XC6127C16J**-G ～ XC6127C54J**-G
800ms/High
XC6127C16K**-G ～ XC6127C54K**-G
21/24
XC6127 シリーズ
■マーキング
①-2 製品シリーズを表す。検出電圧範囲、出力形態を表す。
シンボル
出力形態
検出電圧範囲[V]
0
解除遅延時間/検出論理
50ms/Low
品名表記例
XC6127N15A**-G ～ XC6127N55A**-G
1
100ms/Low
XC6127N15B**-G ～ XC6127N55B**-G
2
200ms/Low
XC6127N15C**-G ～ XC6127N55C**-G
3
400ms/Low
XC6127N15D**-G ～ XC6127N55D**-G
800ms/Low
XC6127N15E**-G ～ XC6127N55E**-G
50ms/High
XC6127N15F**-G ～ XC6127N55F**-G
6
100ms/High
XC6127N15G**-G ～ XC6127N55G**-G
7
200ms/High
XC6127N15H**-G ～ XC6127N55H**-G
4
奇数
5
8
400ms/High
XC6127N15J**-G ～ XC6127N55J**-G
9
800ms/High
XC6127N15K**-G ～ XC6127N55K**-G
50ms/Low
XC6127N16A**-G ～ XC6127N54A**-G
B
100ms/Low
XC6127N16B**-G ～ XC6127N54B**-G
C
200ms/Low
XC6127N16C**-G ～ XC6127N54C**-G
D
400ms/Low
XC6127N16D**-G ～ XC6127N54D**-G
800ms/Low
XC6127N16E**-G ～ XC6127N54E**-G
50ms/High
XC6127N16F**-G ～ XC6127N54F**-G
H
100ms/High
XC6127N16G**-G ～ XC6127N54G**-G
K
200ms/High
XC6127N16H**-G ～ XC6127N54H**-G
L
400ms/High
XC6127N16J**-G ～ XC6127N54J**-G
M
800ms/High
XC6127N16K**-G ～ XC6127N54K**-G
Nch
A
E
偶数
F
※Nch 品は、下方向バー仕様とする。
② 検出電圧を表す。
出力電圧(V)
シンボル
シンボル
出力電圧(V)
シンボル
出力電圧(V)
A
1.5
1.6
K
2.9
3.0
T
4.3
4.4
B
1.7
1.8
L
3.1
3.2
U
4.5
4.6
C
1.9
2.0
M
3.3
3.4
V
4.7
4.8
2.2
N
3.5
3.6
X
4.9
5.0
3.7
3.8
Y
5.1
5.2
D
2.1
E
2.3
2.4
P
F
2.5
2.6
R
3.9
4.0
Z
5.3
5.4
H
2.7
2.8
S
4.1
4.2
0
5.5
-
③,④ 製造ロットを表す。01～09, 0A～0Z, 11～9Z, A1～A9, AA～AZ, B1～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
22/24
XC6127
シリーズ
■マーキング
SOT-25(Under dot 仕様)
●SOT-25
5
①
① 製品シリーズと出力形態を表す。
シンボル
出力形態
5
CMOS
1
品名表記例
4
②
③
2
④
⑤
3
拡大
XC6127C*****-G
6
Nch
XC6127N*****-G
※SOT-25 は、Under dot 仕様とする。
② 検出電圧を表す。
出力電圧(V)
シンボル
シンボル
出力電圧(V)
シンボル
出力電圧(V)
A
1.5
1.6
K
2.9
3.0
T
4.3
4.4
B
1.7
1.8
L
3.1
3.2
U
4.5
4.6
C
1.9
2.0
M
3.3
3.4
V
4.7
4.8
2.2
N
3.5
3.6
X
4.9
5.0
D
2.1
E
2.3
2.4
P
3.7
3.8
Y
5.1
5.2
F
2.5
2.6
R
3.9
4.0
Z
5.3
5.4
H
2.7
2.8
S
4.1
4.2
0
5.5
-
③ 検出電圧範囲と解除遅延時間/検出論理を表す。
シンボル
検出電圧[V]
解除遅延時間/検出論理
A
50ms/Low
品名表記例
XC6127*15A**-G ～ XC6127*55A**-G
B
100ms/Low
XC6127*15B**-G ～ XC6127*55B**-G
C
200ms/Low
XC6127*15C**-G ～ XC6127*55C**-G
D
400ms/Low
XC6127*15D**-G ～ XC6127*55D**-G
800ms/Low
XC6127*15E**-G ～ XC6127*55E**-G
E
F
奇数
50ms/High
XC6127*15F**-G ～ XC6127*55F**-G
H
100ms/High
XC6127*15G**-G ～ XC6127*55G**-G
K
200ms/High
XC6127*15H**-G ～ XC6127*55H**-G
L
400ms/High
XC6127*15J**-G ～ XC6127*55J**-G
M
800ms/High
XC6127*15K**-G ～ XC6127*55K**-G
N
50ms/Low
XC6127*16A**-G ～ XC6127*54A**-G
P
100ms/Low
XC6127*16B**-G ～ XC6127*54B**-G
R
200ms/Low
XC6127*16C**-G ～ XC6127*54C**-G
S
400ms/Low
XC6127*16D**-G ～ XC6127*54D**-G
T
800ms/Low
XC6127*16E**-G ～ XC6127*54E**-G
50ms/High
XC6127*16F**-G ～ XC6127*54F**-G
V
100ms/High
XC6127*16G**-G ～ XC6127*54G**-G
X
200ms/High
XC6127*16H**-G ～ XC6127*54H**-G
Y
400ms/High
XC6127*16J**-G ～ XC6127*54J**-G
Z
800ms/High
XC6127*16K**-G ～ XC6127*54K**-G
U
偶数
④,⑤ 製造ロットを表す。01～09, 0A～0Z, 11～9Z, A1～A9, AA～AZ, B1～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
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XC6127 シリーズ
1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す
ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理
店へお問い合わせ下さい。
2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業
所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。
3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ
ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ
ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。
4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か
す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、
燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事
前に当社へご連絡下さい。
5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため
にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な
安全設計をお願いします。
6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社
では責任を負いかねますので、ご了承下さい。
7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。
トレックス・セミコンダクター株式会社
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