XC61H シリーズ 遅延回路内蔵 JTR0212-004 電圧検出器 ■概要 XC61Hシリーズは、遅延回路を内蔵した電圧検出器です。CMOSプロセスとレーザートリミング技術を用いて、高精度、 低消費電流を実現しています。検出電圧は、高精度かつ温度ドリフトが極めて小さくなっております。 出力回路は、NchオープンドレインとCMOSの2種類があります。 遅延回路を内蔵しているため外付け部品が不要になり、高密度実装が実現できます。 ■特長 ■用途 検出電圧精度 低消費電流 検出電圧範囲 動作電圧範囲 検出電圧温度特性 解除遅延時間 ●マイコンのリセット ●バッテリーの寿命検出・充電検出 ●メモリーのバッテリーバックアップ ●システムのパワーオンリセット ●停電検出 ●遅延回路 出力形態 動作周囲温度 パッケージ 環境への配慮 : ± 2% : 1.0μA(TYP.)[ VIN=2.0V ] : 1.6V ~ 6.0V (0.1V ステップ) : 0.7V ~ 10.0V :±100ppm/℃(TYP.) : 1ms (MIN.) 50ms (MIN.) 80ms (MIN.) : Nch オープンドレイン出力， または CMOS 出力 : -30℃∼+80℃ : SOT-23 : EU RoHS 指令対応、鉛フリー ■代表特性例 ■代表標準回路 周囲温度−解除遅延時間(tDR)特性例 μP ＸＣ６１ＨＣ３０１２ RESETB 2 VIN RESETB INPUT 3 VSS 1 V SS 解除遅延時間: tDR (ms) V IN R pull XC61HN series 周囲温度: Ta (℃) RpullNot is not necessary with CMOSoutput output products products necessary with CMOS 1/13 XC61H シリーズ ■端子配列 ■端子説明 端子番号 SOT-23 1 2 3 （TOP 端子名 機 VSS RESETB VIN 能 GND 出力 電源入力 VIEW） ■製品分類 ●品番ルール XC61H①②③④⑤⑥⑦-⑧(*1) 記号 項目 ① 出力形態 ②③ 検出電圧(VDF) シンボル 説明 C CMOS 出力 N Nch オープンドレイン出力 16 ~ 60 (例) 2.5V → ②2 , ③5 1 50ms ~ 200ms 4 80ms ~ 400ms ④ 解除遅延時間 5 1ms ~ 50ms ⑤ 検出精度 2 ± 2.0% ⑥⑦-⑧(*1) パッケージ (発注単位) MR-G SOT-23 (3000/Reel) (*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。 (*2) 本製品には設定電圧±1%品はありません。 ■ブロック図 (1)CMOS 出力 2/13 (2)Nch オープンドレイン出力 XC61H シリーズ ■絶対最大定格 項 Ta=25℃ 目 記 入 力 電 圧 出 力 電 流 CMOS 出力 出力電圧 Nch オープンドレイン出力 SOT-23 許容損失 動 作 周 囲 温 度 保 存 温 度 号 定 VIN IOUT 格 単 VSS -0.3 ~ 12.0 50 VSS-0.3~VIN+0.3 VSS -0.3 ~ 12 250 -30∼+80 -40∼+125 VRESETB Pd Topr Tstg 位 V mA V mW ℃ ℃ ■電気的特性 項 目 Ta = 25℃ 記 号 検出電圧 VDF ヒステリシス幅 VHYS 消費電流 ISS 動作電圧 VIN 条 MIN. 件 VDF x 0.05 0.9 1.0 1.3 1.6 2.0 2.2 7.7 = 3.0V 5.0 10.1 - = 4.0V = 5.0V 6.0 7.0 11.5 13.0 - -10.0 -2.0 -0.01 - VDF = 1.6V∼6.0V VIN = 1.0V = 2.0V 出力電流 IOUT Pch VDS = 2.1V (CMOS 出力 の場合) CMOS 出力 (Pch) リーク電流 Nch オープンドレイン 出力 検出電圧 温度特性 (VDR 解除遅延時間 → RESETB 反転) MAX. VDF(T) x 1.02 VDF x 0.08 2.6 3.0 3.4 3.8 4.2 10.0 - VIN = 1.5V = 2.0V = 3.0V = 4.0V = 5.0V Nch VDS = 0.5V TYP. VDF(T) x 0.98 VDF x 0.02 0.7 1.0 3.0 VIN = 8.0V VIN=VDF x 0.9V, VRESETB=0V - VDF(T) ILEAK ΔVDF/ (ΔTopr･VDF) tDR 単 位 測定回路 V ① V ① μA ② V ① ③ mA ④ μA ③ VIN=10.0V, VRESETB=10.0V - 0.01 0.1 -30℃≦Topr≦80℃ - ±100 - ppm/℃ ① 50 80 1 - 200 400 50 ms ⑤ VIN を 0.6V から 10V まで変化 VDF (T) : 設定検出電圧値 解除電圧 : VDR = VDF + VHYS 注 1）電源立上げから出力立上がり完了までの間（解除動作時）はディレイ回路の貫通電流のため出力立上り後 （動作完了後）よりも消費電流が約２μA 大きくなります。 3/13 XC61H シリーズ ■動作説明 ●動作説明（ＣＭＯＳ出力品を対象として説明） ①最初に電圧入力端子(VIN)には解除電圧(VDR)以上が印加されており、徐々に低下します。 電圧入力端子(VIN)に検出電圧(VDF) より高い電圧が印加された状態では、出力端子(RESETB)には入力端子電圧(VIN)がそ のまま出力されます。 ※Nch オープンドレイン出力品の場合、出力端子(RESETB)がハイインピーダンス状態となり、端子がプルアップされて いる場合はプルアップ電圧となります。 ②入力電圧(VIN)が低下して検出電圧(VDF)以下になった時、出力電圧(RESETB)はグランド電位(Vss)が出力されます。（検 出状態） ※Nch オープンドレイン出力品も同様です。 ③入力電圧(VIN)がさらに低下し、最低動作電圧(VMIN)未満となった場合、出力は不安定となります。 ※Nch オープンドレイン出力品の場合、一般的に出力端子がプルアップされていますので出力はプルアップ電圧となり ます。 ④入力電圧(VIN)がグランド電位(Vss)より上昇していく場合、（最低動作電圧より低い部分を除き）解除電圧(VDR)になる まで、出力電圧(RESETB)はグランド電位となります。 ⑤入力電圧(VIN)が上昇し、解除電圧(VDR)以上になるが、遅延回路により出力端子(RESETB)はグランド電位を維持します。 ⑥解除遅延時間経過後、出力端子(RESETB)に入力端子電圧(VIN)が出力されます。 ※Nch オープンドレイン出力品の場合、②と同様にハイインピーダンス状態となり、プルアップに依存した電圧となり ます。 注） （１）解除電圧(VDR)と検出電圧(VDF)の差がヒステリシス幅です。 （２）入力電圧(VIN)が解除電圧(VDR)を越えてから、出力端子(RESETB)に入力電圧(VIN)が出力されるまでの時間が 解除遅延時間(tDR)です。 ●タイミングチャート 入力電圧(VIN) 解除電圧(VDR) 検出電圧(VDF) 最低動作電圧(VMIN) グランド電位(VSS) 出力電圧(RESETB) 解除遅延時間(tDR) グランド電位(VSS) 4/13 XC61H シリーズ ■使用上の注意 1. 本 IC をご使用の際には絶対最大定格内でご使用ください。一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象につい て、絶対最大定格値を超えて使用した場合、劣化または破壊する可能性があります。 2. CMOS 出力品の VIN 端子と電源との間に抵抗 RIN を付加すると、負荷電流 IOUT のある場合に、抵抗 RIN の電圧降下に よって発振する場合がありますので、抵抗 RIN を入れての使用はしないで下さい。（備考 1 参照） 3. CMOS 出力品、Nch オープンドレイン出力品にかかわらず、VIN 端子と電源との間に抵抗 RIN を付加すると、負荷電流 IOUT がない場合でも解除時に貫通電流によって発振する場合があります。（備考 2 参照） 4. 止むを得ず入力抵抗 RIN を入れて使用する場合、上記発振を抑えるため入力インピーダンスは出来る限り小さくしてご 使用下さい。また、RIN=10kΩ以下、CIN=0.1μF 以上をご使用の上、実機での評価を十分に行ってください。但し、Nch オープンドレイン出力品に限ります。 （図 1 参照） 5. VIN 端子と電源との間に抵抗 RIN を付加すると、VIN 端子に流入する電流により VIN 端子電圧が電源電圧より降下します。 6. 本 IC の解除遅延時間はその回路構成により動作周囲温度の上限、下限付近で大きく変化する場合があります。 7. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計および エー ジング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。 (備考 1) CMOS 出力品の負荷電流による発振 図２において、電源の印加電圧を上げていくと電圧検出器は解除動作をして電圧検出器の出力電圧が上昇し、負荷 RL に負荷電流 IOUT が流れます。この負荷電流は、IC の VIN 端子を通して流れる為、それが電源と VIN 端子間の抵抗 RIN で電圧降下(RIN×IOUT)を生じます。その電圧降下によって、VIN 端子電位が降下し、その電位が検出電圧以下とな る時、検出動作をします。検出動作後、負荷電流が流れなくなり、RIN での電圧降下がなくなるため、再び VIN 端子電 位が上昇し、解除動作をします。 この様に、解除→検出→解除…を繰り返して発振する場合があります。 尚、この現象は同様のメカニズムで検出動作時にも現れます。 (備考 2) 貫通電流による発振 XC61H シリーズは CMOS 構成 IC の為、解除及び検出動作時に IC の内部回路がスイッチング動作をする際に、過渡 的に貫通電流が流れます。 そのため、解除動作時に、この貫通電流の影響で出力電流による発振と同様の発振現象が起こる場合があります（図 ３参照）。検出動作時には、ヒステリシスがある為、基本的には発振しません。 ） 電源 電源 図 1．入力抵抗を入れた時の回路例 5/13 XC61H シリーズ ■使用上の注意 R IN XC61H C Series R IN ×IOU T 電源 IOU T V IN Voltage drop VOUT RESETB V SS RL 図 2．出力電流による発振 R IN XC61HN Series XC61HC Series RIN ×ISS* 電源 Voltage drop VIN VOUT RESETB VSS ISS* (includes through current) 図 3．貫通電流による発振 6/13 XC61H シリーズ ■測定回路図 測定回路１ 測定回路２ A *R VIN 220kΩ VIN VIN V IN RESETB V VSS RESETB VSS V 測定回路３ 測定回路４ VIN VDS VIN VIN V IN A RESETB VSS RESETB V DS A VSS 測定回路５ *R VIN RESETB 220kΩ measurement of waveform VSS *：CMOS 出力品の場合は不要です。 7/13 XC61H シリーズ ■特性例 （1）消費電流−入力電圧特性例 ISS (μA) Input Voltage VIN (V) （2）検出、解除電圧−周囲温度特性例 ＸＣ６１ＨＮ１６１２ Input Voltage VIN (V) ＸＣ６１ＨＮ３５１２ ＸＣ６１ＨＮ１６１２ R-pull:100kΩ Ta=-30℃ 25℃ 80℃ ＸＣ６１ＨＮ２５１２ R-pull:100kΩ Ta=-30℃ 25℃ 80℃ Detect, Release Voltage: VDF,VDRV(V) 出力電圧 OUT (V) Detect, Release Voltage: VDF,VDR (V) （3）検出、解除電圧−入力電圧特性例 Detect, Release Voltage: VDF,VDR (V) (V) 出力電圧 VOUT 検出電圧,解除電圧 ＸＣ６１ＨＮ２５１２ VDF,VDR (V) VIN (V) Supply Current ISS (μA) Supply Current ISS (μA) Current Supply Input Voltage ＸＣ６１ＨＮ３５１２ ＸＣ６１ＨＮ２５１２ ＸＣ６１ＨＮ１６１２ ＸＣ６１ＨＮ３５１２ R-pull:100kΩ Ta=-30℃ 25℃ 80℃ （4）Nch ドライバ出力電流−VDS 特性例 ＸＣ６１ＨＮ１６１２ 8/13 ＸＣ６１ＨＮ１６１２ ＸＣ６１ＨＮ２５１２ XC61H シリーズ ■特性例 （4）Nch ドライバ出力電流−VDS 特性例 ＸＣ６１ＨＮ２５１２ ＸＣ６１ＨＮ３５１２ ＸＣ６１ＨＮ３５１２ ＸＣ６１ＨＮ２５１２ ＸＣ６１ＨＮ３５１２ （5）Nch ドライバ出力電流−入力電圧特性例 ＸＣ６１ＨＮ１６１２ （6）Pch ドライバ出力電流−入力電圧特性例 ＸＣ６１ＨＣ２７１２ ＸＣ６１ＨＣ４４１２ （7）周囲温度−解除遅延時間（tDR）特性例 Release Delay Time: tDR (ms) Release Delay Time: tDR (ms) Release Delay Time: tDR (ms) ＸＣ６１ＨＣ３０５２ ＸＣ６１ＨＣ３０４２ ＸＣ６１ＨＣ３０１２ 9/13 XC61H シリーズ ■特性例 （8）入力電圧−解除遅延時間（tDR）特性例 Release Delay Time: tDR (ms) ＸＣ６１ＨＣ２７１２ 10/13 XC61H シリーズ ■外形寸法図 ●SOT-23 11/13 XC61H シリーズ ■マーキング ●SOT-23 マーク① 製品番号を表す。 シンボル 8 マーク② 品名表記例 XC61H＊＊＊＊＊＊＊-G 標準：出力形態と検出電圧の整数部を表す。 CMOS 出力（XC61HC シリーズ） シンボル A B C D E F マーク③ x.0 12/13 シンボル P R S T U V 電圧（V） 1.x 2.x 3.x 4.x 5.x 6.x 電圧（V） 1.x 2.x 3.x 4.x 5.x 6.x 標準品：検出電圧の小数点 1 桁目と遅延の有無を表す。 検出電圧 (V) マーク④ Nch オープンドレイン出力（XC61HN シリーズ） シンボル 遅延時間 50ms～200ms 遅延時間 80ms～400ms 遅延時間 1ms～50ms （XC61H＊＊＊1＊＊＊-G） （XC61H＊＊＊4＊＊＊-G） （XC61H＊＊＊5＊＊＊-G） 0 A N x.1 1 B P x.2 2 C R x.3 3 D S x.4 4 E T x.5 5 F U x.6 6 H V x.7 7 K X x.8 8 L Y x.9 9 M Z 製造ロットを表す。0∼9，A∼Z 及び反転文字 0∼9，A∼Z を繰り返す。 (但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。) XC61H シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 13/13