MB85RC128

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS05-13110-11Z
铁电存储器
128 K (16 K × 8) 位 I2C
MB85RC128
■ 产品描述
MB85RC128 是一种被称为 FRAM （铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 16,384 × 8 位，通过铁电
工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC128 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC128 非易失性存储单元读 / 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过 FLASH
和 E2PROM。
与 FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC128 在写入存储器后无需轮询序列。
■ 特点
•
•
•
•
•
•
•
: 16,384 × 8 位
: 通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。
: 400 kHz （最大）
: 1012 （一万亿）次 / 字节
: 10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
: 2.7 V 到 3.6 V
: 工作电流 100 μA （400 kHz 下的典型值）
待机电流 5 μA （典型值）
• 工作环境温度范围
: − 40 °C 到 + 85 °C
• 封装
: 8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)
符合 RoHS
位配置
二线串行接口
工作频率
读 / 写耐久性
数据保持
工作电源电压
低功耗
Copyright 2010-2015 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2015.5
MB85RC128
■ 引脚分配
（顶视图）
A0
1
8
VDD
A1
2
7
WP
A2
3
6
SCL
VSS
4
5
SDA
(FPT-8P-M02)
■ 引脚功能描述
引脚编号
2
引脚名称
功能描述
1 to 3
A0 to A2
器件地址引脚
MB85RC128 最多可与同一数据总线上 8 个器件进行连接。器件地址用于识别
各个器件。将这些引脚连接至外部的 VDD 脚或 VSS 引脚。只有当 VDD 和
VSS 引脚的组合与通过 SDA 引脚输入的器件地址代码匹配时，器件才会运行。
引脚悬空时， A0、 A1 和 A2 引脚在内部下拉并标识为 “ 低 ” 电平。
4
VSS
接地引脚
5
SDA
串行数据输入 / 输出引脚
这是在存储地址间执行双向通讯以及写入 / 读取数据的输入 / 输出引脚。它可
以连接到多个器件。该引脚是开漏输出，因此需要上拉电阻才能连接到外部电
路。
6
SCL
串行时钟引脚
这是用于输入 / 输出串行数据的输入引脚。在时钟信号的上升沿读取数据，并
在下降沿输出数据。
7
WP
写保护引脚
当写保护引脚为 “ 高 ” 电平时，写操作将被禁止。当写保护引脚为 “ 低 ” 电平
时，可覆写整个存储区。读操作始终处于使能状态，不受写保护引脚输入电平
的影响。写保护引脚在内部下拉至 VSS 引脚，当该引脚悬空时，会将其标识为
“ 低 ” 电平 （写启用）。
8
VDD
电源电压引脚
DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ 方块图
控制逻辑
SCL
WP
行译码器
地址计算器
串行 / 并行转换器
SDA
FRAM 阵列
16,384 × 8
列译码器 / 灵敏放大器 /
写放大器
A0ǃA1ǃA2
■ I2C （内置集成电路）
MB85RC128 支持二线串行接口的 I2C 总线，并作为从器件运行。
I2C 总线定义了通讯中的 “ 主器件 ” 和 “ 从 ” 器件，起始控制由主器件发出。此外，通过 I2C 总线，可在合用
线配置中将一个主器件与多个从器件相连。在这种情况下，必须为从器件分配唯一的器件地址。主器件在通
过地址指定要通讯的从器件之后开始通讯。
• I2C 接口系统配置示例
VDD
上拉
电阻
SCL
SDA
I2C 总线
主
I2C 总线
MB85RC128
I2C 总线
MB85RC128
I2C 总线
MB85RC128
A2
0
A2
0
A2
0
A1
0
A0
0
A1
0
A0
1
A1
1
...
A0
0
器件地址
DS05-13110-11Z
3
MB85RC128
■ I2C 通讯协议
I2C 总线是二线串行接口，使用双向数据总线 (SDA) 和串行时钟 (SCL)。数据传输只能由主器件发起，并由
其提供同步串行时钟。 SDA 信号应在 SCL 为 “ 低 ” 电平时跳变。但有一种例外情况，当起始和停止通讯序
列时，允许 SDA 在 SCL 为 “ 高 ” 电平时跳变。
• 起始条件
要开始 I2C 总线的读或写操作，当 SCL 输入为 “ 高 ” 电平时，将 SDA 输入从 “ 高 ” 电平更改为 “ 低 ” 电平。
• 停止条件
要停止 I2C 总线通讯，当 SCL 输入为 “ 高 ” 电平时，将 SDA 输入从 “ 低 ” 电平更改为 “ 高 ” 电平。在读操作
中，输入停止条件完成读操作并进入等待状态。在写操作中，输入停止条件完成输入重写数据并进入等待状
态。
• 起始条件，停止条件
SCL
SDA
“催” ៪ “Ԣ”
䍋ྟ
‫ذ‬ℶ
注意 : 在写操作时， FRAM 器件无需在发完停止条件之后的编程等待时间 (tWC)。
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DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ 应答 (ACK)
在 I2C 总线中，包含地址或存储信息的串行数据以 8 位为一组进行发送。每成功发送或接收一组 8 位数据即
发出一个应答信号。接收方在每次成功传送 8 位数据后，在第 9 个 SCL 时钟周期通常输出 “ 低 ” 电平。发
送方则每次在第 9 个时钟周期时暂时处于高阻抗状态，允许接收和检测应答信号。在高阻抗释放周期，接收
方将 SDA 电平下拉至 “ 低 ” 电平，表明之前的 8 位通讯已成功接收。
在从器件在发送或接收 ACK “ 低 ” 电平之前收到停止条件的情况下，从器件停止操作并进入等待状态。另一
方面，从器件在发送或接收 NACK “ 高 ” 电平之后释放总线状态。主器件生成此释放总线状态中的停止条件
或起始条件。
• 应答时序概观图
1
SCL
2
3
8
SDA
9
ACK
䍋ྟ
DS05-13110-11Z
发送方应始终在第 9 位时释放 SDA。此时，如果前面的 8 位数据
接收正确 （ACK 响应），则接收方输出下拉信号。
5
MB85RC128
■ 器件地址字 （从机地址）
起始条件满足后，主器件发送 8 位器件地址字开始 I2C 通讯。器件地址字 （8 位）包含一个器件类型代码
（4 位）、器件地址代码 （3 位）和一个读 / 写代码 （1 位）。
• 器件类型代码 （4 位）
器件地址字的高 4 位为器件类型代码，用以表明器件类型，对 MB85RC128 固定为 “1010”。
• 器件地址代码 （3 位）
器件类型代码后面紧跟的三位为器件地址代码，以 A2、 A1 和 A0 的顺序输入。器件地址代码从连接到总线
的最多八个器件中识别一个器件。每个 MB85RC128 拥有一个唯一的 3 位代码与器件地址引脚 （外部硬件
引脚 A2、 A1 和 A0）对应。从器件仅当接收到的器件地址代码等于这个唯一的 3 位代码时才响应。
• 读 / 写代码 （1 位）
器件地址字的第 8 位是 R/W （读 / 写）代码。当 R/W 代码为 “0” 时， MB85RC128 可进行写操作，当 R/W
代码为 “1” 时，可进行读操作。
如果器件代码不是 “1010” 或器件地址代码与引脚 A2、 A1 和 A0 不匹配，则进入等待状态。
• 器件地址字
䍋ྟ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
..
SCL
SDA
ACK
S
1
0
1
఼ӊҷⷕ
0
A2
A1
A0
఼ӊഄഔҷⷕ
R/W
A
..
䇏 / ‫ݭ‬ҷⷕ
主器件存取
从器件存取
S 䍋ྟᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
6
DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ 数据结构
在 I2C 总线中，从器件应答 “ 低 ” 电平在紧随主器件输入起始条件输出 8 位器件地址字后的第 9 位输出。在
主器件确认完应答响应后，主器件输出 8 位 × 2 存储地址到从器件。当每个存储地址输入完毕，从器件再
次发出应答 “ 低 ” 电平。操作完成后，则以 8 位为一组传送输入 / 输出数据，且每 8 位输出一个应答 “ 低 ” 电平。
R/W 代码决定了数据线是由主器件还是由从器件驱动。但时钟线应由主器件驱动。进行写操作时，从器件将
从主器件接收 8 位数据，然后发送一个应答。如果主器件检测到应答，则传输下一个 8 位数据。进行读操作
时，从器件将 8 位数据置于数据线，然后等待主器件发出应答。
■ FRAM 应答 -- 无需轮询
MB85RC128 执行写操作的速度与执行读操作的速度相同，因此不存在任何 ACK 轮询 * 等待时间。写周期
不会额外耗费时间。
*: 在 E2PROM 中，需要执行应答轮询作为是否需要执行重写的进程检查。通常在输入起始条件之后通过应答
的第 9 位判断是否执行重写，然后在重写期间输入器件地址字 （8 位）。
■ 写保护 (WP)
通过写保护引脚可对整个存储器阵列进行写保护。写保护引脚设为 “ 高 ” 电平时，将对整个存储阵列执行写
保护。当写保护引脚为 “ 低 ” 电平时，可重写整个存储阵列。无论 WP 引脚为 “ 高 ” 电平或 “ 低 ” 电平，都可
进行读操作。
注意 : 写保护引脚在内部被拉低至 VSS 引脚，因此，如果写保护引脚悬空，检测到的引脚状态为 “ 低 ” 电平
（可进行写操作）。
DS05-13110-11Z
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MB85RC128
■ 命令
• 字节写入
如果在起始条件后发送器件地址字 （R/W “0” 输入），从器件将发送 ACK 进行响应。发送 ACK 后，以同样
的方式继续发送写地址和数据，并通过在最后生成一个停止条件结束写操作。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
ഄഔ
催8ԡ
A
00 XXXXXX
ഄഔ
Ԣ8ԡ
A
‫ݭ‬
᭄᥂ 8 ԡ
A P
X X X X X X XX
主器件存取
MSB
LSB
从器件存取
S 䍋ྟᴵӊ
P ‫ذ‬ℶᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
注意 : 在 MB85RC128，输入 “00” 作为 MSB 的高 2 位。
• 页写
如果在同样命令 （停止条件除外）之后连续发送额外的 8 位作为字节写入，则执行页写。存储地址自动翻
转至地址结束处的第一个存储地址 (0000H)。因此，如果发送的字节超过 16K，数据地址将回到最先写入的
存储地址，先写入的数据将被覆写。因为 FRAM 执行高速写操作，所以数据将在 ACK 响应完成后写入
FRAM。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
ഄഔ
催8ԡ
A
ഄഔ
Ԣ8ԡ
A
‫ݭ‬
᭄᥂ 8 ԡ
‫ݭ‬
᭄᥂
A
...
A P
主器件存取
从器件存取
S 䍋ྟᴵӊ
P ‫ذ‬ℶᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
注意 : 在停止条件生成后，从缓冲器到存储器的内部写操作周期不需要花费时间。
8
DS05-13110-11Z
MB85RC128
• 当前地址读取
当之前的写或读操作成功执行至停止条件而完成后，假定上一个存取地址为 “n”，那么在不掉电的情况下，
发送以下命令将对 “n+1” 处的地址执行读操作。如果存储地址是最后一个地址，那么地址计算器将翻转至
0000H。上电后，存储地址缓冲器中当前的地址立即成为未定义状态。
主器件存取
从器件存取
(n+1) ഄഔ
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
䇏
᭄᥂ 8 ԡ
N P
S 䍋ྟᴵӊ
P ‫ذ‬ℶᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
N NACK˄SDA ᰃ “催” ⬉ᑇ˅
• 随机读取
通过与写入相同的方法指定地址，然后发送另外的起始条件，并发送器件地址字 （R/W “1” 输入），可将保
存于存储地址缓冲器中的一字节存储地址数据同步读出到 SCL。
由接收数据的接收方发送最终的 NACK。在这种情况下，此位由主器件发送。
n ഄഔ
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
ഄഔ
催8ԡ
A
ഄഔ
Ԣ8ԡ
A S
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
䇏
᭄᥂ 8 ԡ
N P
主器件存取
从器件存取
S 䍋ྟᴵӊ
P ‫ذ‬ℶᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
N NACK˄SDA ᰃ “催” ⬉ᑇ˅
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MB85RC128
• 顺序读取
按照与随机读取相同的方法指定地址后，可按照器件地址字 （R/W “1” 输入）连续接收数据。如果读取超出
地址末尾，内部读取地址自动翻转至第一个存储地址 0000H 并继续读取。
...
A
䇏
᭄᥂ 8 ԡ
A
䇏
᭄᥂
...
A
䇏
᭄᥂ 8 ԡ
N P
主器件存取
从器件存取
P ‫ذ‬ℶᴵӊ
A ACK˄SDA ᰃ “Ԣ” ⬉ᑇ˅
N NACK˄SDA ᰃ “催” ⬉ᑇ˅
■ 软件复位序列或命令重试
如果上电后发生故障、处理期间主器件停止 I2C 通讯或发生意外故障，请执行以下操作：(1) 在每个命令之
前执行软件恢复序列，或 (2) 在每个命令失败后重试命令。
(1) 软件复位序列
由于从器件可能输出 “ 低 ” 电平，则在主器件驱动 SDA 端口时勿强制驱动 “ 高 ” 电平。这是为了防止总线冲
突。该软件复位序列不需要额外硬件。
9 组 “ 起始条件和一个 “1” 数据 ”
SCL
SDA
上拉电阻造成的高阻抗状态
发送 “ 起始条件和一个数据 “1””。
在写命令或读命令前执行这些步骤 9 次。
(2) 命令重试
命令重试对于在 I2C 通讯期间从故障响应恢复很有帮助。
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MB85RC128
■ 绝对最大额定值
参数
符号
额定值
最小值
最大值
单位
电源电压 *
VDD
− 0.5
+ 4.0
V
输入电压 *
VIN
− 0.5
VDD + 0.5 ( ≤ 4.0)
V
输出电压 *
VOUT
− 0.5
VDD + 0.5 ( ≤ 4.0)
V
TA
− 40
+ 85
°C
Tstg
− 55
+ 125
°C
工作环境温度
储存温度
* : 上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，
因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。
■ 推荐工作条件
参数
电源电压 *1
工作环境温度
*2
符号
值
单位
最小值
典型值
最大值
VDD
2.7
3.3
3.6
V
TA
− 40
⎯
+ 85
°C
*1 : 上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
*2 : 仅适用于本芯片在运行时的周围环境温度。可以理解成此温度与芯片表面的温度几乎相同。
< 警告 > 为确保半导体器件的正常运作，必须在推荐的运行环境或条件下使用。器件在所推荐的环境或条件下
运行时，其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器
件。如超出该等范围使用，可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条
件之外使用器件，请务必事先联系销售代表。
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MB85RC128
■ 电气特性
1. 直流特性
（在推荐工作条件内）
参数
符号
值
条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入漏电流
|ILI|
SCL、 SDA = 0 V 到 VDD
⎯
⎯
1
μA
输出漏电流
|ILO|
SDA = 0 V 到 VDD
⎯
⎯
1
μA
工作电源电流
IDD
SCL = 100 kHz
⎯
30
⎯
μA
SCL = 400 kHz
⎯
100
150
μA
待机电流
ISB
SCL、 SDA = VDD
A0、 A1、 A2、
WP = 0 V 或 VDD
⎯
5
20
μA
“ 高 ” 电平输入电压
VIH
VDD = 2.7 V 到 3.6 V
VDD × 0.8
⎯
VDD + 0.5
( ≤ 4.0)
V
“ 低 ” 电平输入电压
VIL
VDD = 2.7 V 到 3.6 V
− 0.5
⎯
+ 0.6
V
“ 低 ” 电平输出电压
VOL
IOL = 3 mA
⎯
⎯
0.4
V
输入电阻
WP、 A0、 A1 和 A2
RIN
VIN = VIL （最大）
50
⎯
⎯
kΩ
VIN = VIH （最小）
1
⎯
⎯
MΩ
2. 交流特性
值
参数
符号
标准模式
快速模式
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
SCL 时钟频率
FSCL
0
100
0
400
kHz
时钟高电平时间
THIGH
4000
⎯
600
⎯
ns
时钟低电平时间
TLOW
4700
⎯
1300
⎯
ns
SCL/SDA 上升时间
Tr
⎯
1000
⎯
300
ns
SCL/SDA 下降时间
Tf
⎯
300
⎯
300
ns
起始条件保持
THD:STA
4000
⎯
600
⎯
ns
起始条件建立
TSU:STA
4700
⎯
600
⎯
ns
SDA 输入保持
THD:DAT
20
⎯
20
⎯
ns
SDA 输入建立
TSU:DAT
250
⎯
100
⎯
ns
SDA 输出保持
TDH:DAT
0
⎯
0
⎯
ns
停止条件建立
TSU:STO
4000
⎯
600
⎯
ns
SCL 下降后 SDA 输出存取
TAA
⎯
3000
⎯
900
ns
预充时间
TBUF
4700
⎯
1300
⎯
ns
噪声抑制时间 （SCL 和 SDA）
TSP
⎯
50
⎯
50
ns
交流特性在下列测量条件测得。
电源电压
：2.7 V 到 3.6 V
工作温度范围
： − 40 °C to + 85 °C
输入电压范围
：0.3 V 到 2.7 V
输入上升时间
：5 ns
输入下降时间
：5 ns
输入判定基准电平 ：VDD/2
输出判定基准电平 ：VDD/2
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DS05-13110-11Z
MB85RC128
3. 交流时序定义
TSU:DAT
VIH
SCL
VIL
SDA
䍋ྟ
THD:DAT
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
TSU:STA THD:STA
TSU:STO
Tr
THIGH
VIH
SCL
‫ذ‬ℶ
Tf
TLOW
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
SDA
‫ذ‬ℶ
VIH
VIL
䍋ྟ
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
TBUF
Tr
T
TDH:DAT f
TAA
Tsp
VIH
SCL
VIL
VIL
VIH
SDA
᳝ᬜ
VIL
VIH
VIL
VIL
1/FSCL
4. 引脚电容
参数
值
符号
条件
输入 / 输出电容
CI/O
输入电容
CIN
VDD = VIN = VOUT = 0 V，
f = 1 MHz， TA = + 25 °C
单位
最小值
典型值
最大值
⎯
⎯
15
pF
⎯
⎯
15
pF
5. 交流测试负载电路
3.3 V
1.1 kΩ
䕧ߎ
100 pF
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MB85RC128
■ 电源序列
如果在 VDD 下降到 2 V 之后重新上电时，为了避免故障， VDD 需要从 0 V 开始上电。（请参见下图）
tr
tpd
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH˄᳔ᇣؐ˅
VIH˄᳔ᇣؐ˅
1.0 V
1.0 V
VIL˄᳔໻ؐ˅
VIL˄᳔໻ؐ˅
0V
0V
SDAǃSCL > VDD × 0.8 *
SDAǃSCL
SDAǃSCL˖ৃᗑ⬹
SDAǃSCL > VDD × 0.8 *
SDAǃSCL
* : SDA、 SCL （最大值） < VDD + 0.5 V
参数
符号
值
最小值
最大值
单位
掉电期间 SDA、 SCL 电平保持时间
tpd
85
⎯
ns
上电期间 SDA、 SCL 电平保持时间
tpu
85
⎯
ns
tr
10
⎯
μs
电源上升时间
注意 : 如果器件不能在读周期，写周期或上电 / 掉电序列的特定条件内操作，则无法保证存储数据。
■ FRAM 特性
参数
读 / 写耐久性 *
数据保持 *2
1
最小值
10
12
最大值
⎯
单位
备注
次 / 字节 工作环境温度 TA = + 85 °C
10
⎯
年
工作环境温度 TA = + 85 °C
95
⎯
年
工作环境温度 TA = + 55 °C
≧ 200
⎯
年
工作环境温度 TA = + 35 °C
*1 由于 FRAM 存储采用破坏性读出机制操作，这里的读 / 写耐久性的最小值定义为读和写的次数的总和。
*2 数据保持年数是指出厂交货后，第一次读 / 写操作之后的数据保持时间。这些保持时间是根据可靠性评估结
果得出的换算值。
■ 使用说明
• 请在回流焊完成以后写入数据。此产品不能保证回流焊工序完成前写入的数据。
• 在从起始条件至停止条件的存取阶段，保持 WP、 A0、 A1 和 A2 引脚为 “ 高 ” 电平或 “ 低 ” 电平。
14
DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ ESD 和闩锁
测试
值
DUT
ESD HBM （人体模型）
符合 JESD22-A114
≥ |2000 V|
ESD MM （机器模型）
符合 JESD22-A115
≥ |200 V|
ESD CDM （充电器件模型）
符合 JESD22-C101
≥ |1000 V|
闩锁 （I 测试）
符合 JESD78
MB85RC128PNF-G-JNE1
闩锁 （V 电源过电压测试）
符合 JESD78
⎯
⎯
闩锁 （电流方法）
专利方法
≥ |300 mA|
闩锁 （C-V 方法）
专利方法
⎯
• 闩锁电阻测试的电流方法
保护电阻
A
IIN
VIN
测试端子
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
（最大额定值）
V
参考端子
注意 : 电压 VIN 逐渐增加且电流 IIN 应达到最大值 300 mA。确认在 IIN = ± 300 mA 情况下未发生闩锁。
输入 / 输出有特定的规格值，且 IIN 无法达到 300 mA 的情况下，电压应增加到满足这个特定的规格的水
平。
DS05-13110-11Z
15
MB85RC128
• 闩锁电阻测试的 C-V 方法
保护电阻
A
1
2
测试
端子
SW
+
VIN
V
-
C
200pF
VDD
DUT
VDD
（最大额定值）
VSS
参考端子
注意 : 以大约 2 秒间隔交替切换充电电压 1 和 2。此切换过程视为一个周期。
重复此过程 5 次。但是，如果闩锁条件在完成 5 次过程之前发生，则必须立即停止该测试。
■ 回流焊条件以及保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 针对含有限制级化学物质的处理
本产品符合 REACH, EU RoHS 以及中国 RoHS 指令。
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DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ 订购信息
零件编号
封装
包装类型
最小起订量
MB85RC128PNF-G-JNE1
8 引脚，塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
管状
⎯*
MB85RC128PNF-G-JNERE1
8 引脚，塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
卷带
1500
* : 烦请向我公司销售部门询问最小起订数量。
DS05-13110-11Z
17
MB85RC128
■ 封装尺寸
8 ᓩ㛮ล᭭ SOP
ᓩ㛮䯈䎱
1.27 ↿㉇
ࣙ㺙ᆑᑺ ×
ࣙ㺙䭓ᑺ
3.9 ↿㉇ × 5.05 ↿㉇
ᓩ㛮ᔶ⢊
叹㗐ൟ
ᇕ㺙ᮍ⊩
ล῵
ᅝ㺙催ᑺ
᳔催 1.75 ↿㉇
䞡䞣
0.06 g
(FPT-8P-M02)
8 ᓩ㛮ล᭭ SOP
(FPT-8P-M02)
+0.25
⊼ᛣ 1) *1˖ሎᇌࣙᣀᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ
⊼ᛣ 2) *2˖ሎᇌϡࣙᣀᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ
⊼ᛣ 3) ᓩ㛮ᆑᑺ੠ᓩ㛮८ᑺࣙᣀ䞥ሲᵓ८ᑺDŽ
⊼ᛣ 4) ᓩ㛮ᆑᑺϡࣙ৿ᢝᴚߛࡆ࠽ԭ䚼ߚDŽ
+.010
+0.03
* 1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
* 2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
“A”䚼ߚ䆺೒
45°
1.55±0.20
˄ᅝ㺙催ᑺ˅
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
“A”
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
˄ᇍክ˅
0.10(.004)
C
18
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
ሎᇌˈऩԡЎ↿㉇˄㣅ᇌ˅DŽ
⊼ᛣ˖ᣀোЁⱘؐᰃখ㗗ؐDŽ
DS05-13110-11Z
MB85RC128
■ 标记
[MB85RC128PNF-G-JNE1]
[MB85RC128PNF-G-JNERE1]
RC128
E11000
300
[FPT-8P-M02]
DS05-13110-11Z
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MB85RC128
■ 包装信息
1. 管状
1.1 管尺寸
• 管 / 限位器形状
管状
透明聚乙烯对苯二甲酸酯
（处理防静电）
限位器
（处理防静电）
管长度：520 毫米
管接头和最大数量
包装外形
包装代码
FPT-8P-M02
SOP, 8，塑料 (2)
最大包装数量
pcs/ 管 pcs/ 内箱 pcs/ 外箱
95
7600
30400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
C 2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t = 0.5
透明聚乙烯对苯二甲酸酯
（尺寸单位为毫米）
20
DS05-13110-11Z
MB85RC128
1.2 管干燥包装规范
IC
管状
䰤ԡ఼
⫼Ѣ SOP
㋶ᓩᷛ䆄
ᷛㅒ I *1*3
䪱ㅨ㹟
⛁ᇕ
干燥包
ᑆ➹ࠖ
⑓ᑺᣛ⼎఼
䪱ㅨ㹟
˄‫ݙ‬ㅵ˅
内箱
㓧‫ކ‬ൿ
‫ݙ‬ㆅ
ᷛㅒ I *1*3
㓧‫ކ‬ᴤ᭭
໪ㆅ *2
外箱
Փ⫼㉬ড়ᏺDŽ
ᷛㅒ II-A *3
ᷛㅒ II-B *3
*1: 对于零件编号后缀为 “E1” 的产品，防潮袋和内箱上会显示 “ G
Pb
” 标记。
*2: 外箱中的空隙将用空内箱或衬垫等填充。
*3: 请参考附件表了解有关指示标签的信息。
注意 : 产品通过分销商交付时可能不适用本包装规范。
DS05-13110-11Z
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MB85RC128
1.3 产品标签说明
标签 I：内箱 / 防潮袋上的标签 / （贴在卷带的卷筒上）
[C-3 标签 （50 毫米 × 100 毫米）补充标签 （20 毫米 × 100 毫米） ]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
C-3 标签
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
点断线
补充标签
标签 II-A：外箱上的标签 [D 标签 ] （100 毫米 × 100 毫米）
D 标签
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
标签 II-B：外箱产品说明
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
注意 : 根据发货地的不同，可能不会印刷外箱上的 “ 标签 II-A” 和 “ 标签 II-B”。
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DS05-13110-11Z
MB85RC128
1.4 包装箱尺寸
(1) 内箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
540
125
75
（尺寸单位为毫米）
(2) 外箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
565
270
180
（尺寸单位为毫米）
DS05-13110-11Z
23
MB85RC128
2. 卷带
2.1 卷带尺寸
PKG 代码
卷筒编号
FPT-8P-M02
3
最大包装数量
pcs/ 卷筒
pcs/ 内箱
pcs/ 外箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
（尺寸单位为毫米）
材料：导电聚苯乙烯
隔热温度：不隔热。
不能使用胶带和卷筒烘干包装。
24
DS05-13110-11Z
MB85RC128
2.2 IC 方向
㋶ᓩᷛ䆄
• ER ㉏ൟ
˄⫼᠋䖯᭭ᮍ৥˅
˄ोㄦջ˅
˄⫼᠋䖯᭭ᮍ৥˅
2.3 卷筒尺寸
ोㄦ㺕࠾ሎᇌ
E
*
D
C
B
A
W1
W2
r
W3
*
˖䕂↖㺙㕂ᆑᑺሎᇌ
1
2
3
4
5
6
7
卷筒编号
胶带宽度
8
12
16
24
符号
A
254 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2
9
10
32
11
44
12
13
56
12
尺寸单位为毫米
14
15
16
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100 ± 2
C
13 ± 0.2
13 +0.5
-0.2
D
21 ± 0.8
20.5 +1
-0.2
E
24
330 ± 2
100 +2
-0
100 +2
-0
B
8
2 ± 0.5
W1
8.4 +2
-0
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
+0.1
56.4 +2
12.4 +1
16.4 +1
-0
-0
-0 24.4 -0
W2
小于 14.4
小于 18.4
小于 22.4
小于 30.4
小于 38.4
小于 50.4
小于 62.4 小于 18.4 小于 22.4 小于 30.4
W3
7.9 ~ 10.9
11.9 ~ 15.4
15.9 ~ 19.4
23.9 ~ 27.4
31.9 ~ 35.4
43.9 ~ 47.4
r
DS05-13110-11Z
55.9 ~
59.4
12.4 ~
14.4
16.4 ~
18.4
24.4 ~
26.4
1.0
25
MB85RC128
2.4 胶带 （φ330 毫米卷筒）干燥包装规格
໪䚼ሎᇌ˖¶↿㉇ोㄦ
ᷛㅒ Iǃ
压花胶带
ᷛㅒ Iǃ
ᑆ➹ࠖ
⑓ᑺᣛ⼎఼
䪱ㅨ㹟
干燥包
ᷛㅒ Iǃ
⛁ᇕ
内箱
‫ݙ‬ㆅ
ᷛㅒ Iǃ
ोᏺ
໪ㆅǃ
外箱
Փ⫼㉬ড়ᏺDŽ
ᷛㅒ II-A
ᷛㅒ II-B
*1: 对于零件编号后缀为 “E1” 的产品，防潮袋和内箱上会显示 “ G
Pb
” 标记。
*2: 外箱的尺寸可能会根据内箱的数量而各不相同。
*3: 外箱中的空隙将用空内箱或衬垫等填充。
*4: 请参考附件表了解有关指示标签的信息。
注意 : 产品通过分销商交付时可能不适用本包装规范。
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DS05-13110-11Z
MB85RC128
2.5 产品标签说明
标签 I：内箱 / 防潮袋上的标签 / （贴在卷带的卷筒上）
[C-3 标签 （50 毫米 × 100 毫米）补充标签 （20 毫米 × 100 毫米） ]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
C-3 标签
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
点断线
补充标签
标签 II-A：外箱上的标签 [D 标签 ] （100 毫米 × 100 毫米）
D 标签
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
标签 II-B：外箱产品说明
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
注意 : 根据发货地的不同，可能不会印刷外箱上的 “ 标签 II-A” 和 “ 标签 II-B”。
DS05-13110-11Z
27
MB85RC128
2.6 包装箱尺寸
(1) 内箱尺寸
催
ᆑ
䭓
胶带宽度
长
宽
高
40
12、 16
24、 32
44
365
50
345
65
56
75
（尺寸单位为毫米）
(2) 外箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
415
400
315
（尺寸单位为毫米）
28
DS05-13110-11Z
MB85RC128
备忘
DS05-13110-11Z
29
MB85RC128
备忘
30
DS05-13110-11Z
MB85RC128
备忘
DS05-13110-11Z
31
MB85RC128
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
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编辑 : 系统存储器事业部