FUJITSU MB85RC256V

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00017-4v0-J
メモリ FRAM
256 K (32 K×8) ビット I2C
MB85RC256V
■ 概 要
MB85RC256V は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 32,768
ワード ×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RC256V は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC256V に採用しているメモリセルは書込み / 読出し動作でバイトあたり最低 1012 回の耐久性があり , ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC256V では , フラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は不要のため , 1 バイト単位での書込みを 実
現しています。したがって , ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。
■ 特 長
・
・
・
・
・
・
・
ビット構成
2 線式シリアルインタフェース
動作周波数
書込み / 読出し耐性
データ保持特性
動作電源電圧
低消費電力
・ 動作温度範囲
・ パッケージ
:32,768 ワード ×8 ビット
:シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
:1 MHz (Max)
:1012 回 / バイト
:10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
:2.7 V ∼ 5.5 V
: 動作電流 200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
: − 40 °C ∼＋ 85 °C
: プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
両パッケージ品共に RoHS 指令に適合しています。
Copyright©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.12
MB85RC256V
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
(TOP VIEW)
A0
1
8
VDD
A0
1
8
VDD
A1
2
7
WP
A1
2
7
WP
A2
3
6
SCL
A2
3
6
SCL
VSS
4
5
SDA
VSS
4
5
SDA
(FPT-8P-M02)
(FPT-8P-M08)
■ 端子機能説明
端子番号
2
端子名
機能説明
1∼3
A0 ∼ A2
デバイスアドレス端子
本製品は同一データバス上に複数個 ( 最大 8 個 ) のデバイスを接続できます。デバイス
アドレスは , 各々のデバイスを認識するために使用します。外部で VDD 端子または
VSS 端子に接続してください。この VDD, VSS 端子の組み合わせが , SDA 端子から入力
されるデバイス • アドレス • コードと一致したデバイスのみ動作します。A0, A1, A2 端
子は内部で VSS 端子に各々プルダウンされており , 端子がオープンの場合は “L” レベル
として認識します。
4
VSS
グランド端子
5
SDA
シリアルデータ入出力端子
メモリアドレスやデータを送受信する双方向端子です。複数のデバイスを接続できま
す。出力はオープンドレインになっていますので , 外部回路にプルアップ抵抗が必要で
す。
6
SCL
シリアルクロック端子
シリアルデータ入出力タイミングのためのクロックを入力する端子です。クロック立上
りでデータを取り込み , 立下りでデータを出力します。
7
WP
ライトプロテクト端子
ライトプロテクト端子が “H” レベルのとき , 書込み不可です。“L” レベルのとき , すべ
てのメモリ領域が書換え可能です。読出しは , ライトプロテクト端子の状態にかかわら
ず常に可能です。ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子にプルダウンされており , 端
子がオープンの場合は “L” レベル ( 書込み可能状態 ) として認識します。
8
VDD
電源電圧端子
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
■ ブロックダイヤグラム
アドレスカウンタ
SCL
WP
ローデコーダ
シリアル - パラレル
コンバータ
コントロール回路
SDA
FRAM アレイ
32,768×8
コラムデコーダ / センスアンプ /
ライトアンプ
A0, A1, A2
■ I2C (Inter-Integrated Circuit)
MB85RC256V は , 2 線式シリアルインタフェース , I2C バスに対応しており , スレーブデバイスとして動作します。I2C バ
スは , 通信の役割が「マスタ」側と「スレーブ」側で明確に異なり , マスタ側が制御の主導権を持ちます。
また , パーティライン構成が可能となっており , 1 つのマスタで複数のスレーブデバイスと接続できます。このときス
レーブ側はそれぞれ固有アドレスを持ち , マスタ側は , 通信するスレーブをアドレスで指定してから通信を開始します。
・I2C インタフェースのシステム構成例
VDD
プルアップ
抵抗
SCL
SDA
I2C バス
マスタ
I2C バス
MB85RC256V
A2 A1 A0
0
0
0
デバイスアドレス
DS501-00017-4v0-J
I2C バス
MB85RC256V
I2C バス
MB85RC256V
A2
0
A2
0
A1
0
A0
1
A1
1
...
A0
0
3
MB85RC256V
■ I2C 通信の開始と終了
I2C バスは , 2 線だけで通信を実現するため , SDA 入力の切り換えを SCL が “L” レベルの期間内に行ってください。
ただし例外的に , 通信の開始と終了については SCL が “H” レベルの期間内に SDA を切り換えてください。
・スタート・コンディション
I2C バスが，読出しまたは書込みの動作を開始するには , SCL 入力が “H” レベルの期間に , SDA 入力を “H” レベルから
“L” レベルに設定してください。
・ストップ・コンディション
I2C バスの通信を終了するには , SCL 入力が “H” レベルの期間に , SDA 入力を “L” レベルから “H” レベルに設定してく
ださい。読出し動作の場合には , ストップ・コンディションを入力することで読出しが終了し , スタンバイ状態になりま
す。
書込み動作の場合には , ストップ・コンディション入力で書換えデータの入力が終了し , スタンバイ状態になります。
・スタート・コンディション , ストップ・コンディション
SCL
SDA
H or L
Start
Stop
（注意事項）FRAM デバイスでは書込み動作時 , ストップ・コンディション後のメモリ書込み待ち期間 (tWC) は必要ありま
せん。
■ アクノリッジ (ACK)
I2C では , アドレス情報や , メモリ情報などのシリアルデータを 8 ビット 単位で送受信します。ACK 信号とは , この
8 ビットデータごとに , 正常に送信 , または受信されたことを示す信号です。8 ビットの送受信が行われるたび SCL の 9 ク
ロック目に , 受信側が毎回 “L” レベルを出力します。送信側では , この 9 クロック目で ACK 信号を受信確認するため , 一
時的にバスを解放します。この解放期間中に , 受信側では SDA ラインにプルダウンを返して通信が正常なことを示しま
す。
Slave 側が , ACK “L” レベル応答前または受信前にストップ・コンディションを受信した場合 , 動作を終了してスタンバ
イ状態になります。
一方 , Slave 側は , NACK “H” レベル応答後または受信後にバスを解放状態にします。Master 側は , このバス開放期間に ,
ストップ・コンディションまたはスタート・コンディションを生成します。
・アクノリッジのタイミング説明図
1
SCL
2
3
8
SDA
ACK
Start
4
9
送信側は 9 ビット目に , 必ず SDA を解放してください。
このとき受信側は , 直前 8 ビットの受信が正常ならばプ
ルダウンを出力します (ACK 応答 )。
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■ デバイス・アドレス・ワード (Slave address)
スタート・コンディションに続いて , 8 ビットのデバイス・アドレス・ワードを入力します。この入力で , デバイスは読出
しまたは書込み動作のいずれかを決定します。デバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) は , デバイス・コード (4 ビット ), デ
バイス・アドレスコード (3 ビット ), Read / Write コード (1 ビット ) の 3 コードで構成されます。
・デバイス・コード (4 ビット )
デバイス・アドレス・ワードの上位 4 ビットはデバイス・タイプを識別するデバイス・コードで , 本製品では “1010” で固
定です。
・デバイス・アドレス・コード (3 ビット )
デバイス・コードに続けてデバイス・アドレス・コード (3 ビット ) を A2, A1, A0 の順に入力します。デバイス・アドレス・
コードは , バスに最大 8 個接続されたデバイスのうち , どれを選択するかを決定します。デバイスアドレス端子には , 3 ビッ
トのユニークな値を割り振ります。デバイスアドレス端子に割り振られたこの値と入力されたデバイス・アドレス・コード
とが一致したデバイスが選択されます。
・Read/Write コード (1 ビット )
デバイス・アドレス・ワードの 8 ビット目は , R/W (Read/Write) コードです。“0” 入力の場合は書込み動作 , “1” 入力の場
合は読出し動作です。なお , デバイス・コードが “1010” でない場合 , もしくはデバイス・アドレス・コードが一致しない場合
は,
読出し / 書込み動作に入らずスタンバイ状態のままです。
・デバイス・アドレス・ワード
Start
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
2
..
SCL
SDA
ACK
S
1
0
1
デバイス・コード
0
A2
A1
A0
R/W
A
デバイス・アドレス・ Read/Write コード
コード
..
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
■ データ構成
I2C では , マスタがスタート・コンディションに続きデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力した後 , スレーブが
9 ビット目に ACK“L” レベルを出力します。マスタは ACK 応答を確認した後 , 続いて 8 ビット ×2 のメモリ • アドレスを入
力します。
メモリ・アドレスの入力ごとに , スレーブは再び ACK“L” レベルを出力します。この後 , 入出力のデータが 8 ビット単位
で続き , 以降 8 ビットごとに ACK“L” レベルを出力します。
デバイス・アドレス・ワードの 8 ビット目 , R/W コードに従って , データラインをマスタとスレーブどちらが駆動 するか
を決定します。ただし , クロックは必ずマスタが駆動します。書込み動作時は , スレーブがマスターから 8 ビットを受信し
た後 , ACK 信号を返します。マスターがその ACK 信号を確認した後 , 次の 8 ビットを送信します。読出し動作時は , スレー
ブが 8 ビットを送信した後 , マスターからの ACK 信号を待ちます。
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MB85RC256V
■ FRAM のアクノリッジ・ポーリング不要について (Acknowledge Polling)
FRAM デバイスは書込み時間が高速なため , アクノリッジ・ポーリングによる ACK 待ち * は発生しません。
＊：E2PROM では , 書換え中か否かを判定する機能として , アクノリッジ・ポーリングがあります。書換えの期間中 , ス
タート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力し , 9 ビット目のアクノリッジに
よって書換え中か否かを判定するのが一般的です。
■ ライトプロテクト (WP)
ライトプロテクト端子を “H” レベル にすることで , 全メモリアレイが書込み禁止になります。ライトプロテクト端子が
“L” レベル の場合は , 全メモリアレイの書換えができます。読出しは , ライトプロテクト端子が “H” レベル /“L” レベル に
かかわらず可能です。
（注意事項）ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子にプルダウンされており , 端子がオープンの場合は “L” レベル ( 書
込み可能状態 ) として認識します。
6
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MB85RC256V
■ コマンド
・Byte Write
スタート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (R/W “0” 入力 ) を送信することで , スレーブから ACK を
応答します。この ACK 後 , 同様に書込みメモリアドレス , 書込みデータを送信し , 最後にストップ・コンディションを発行
することで書込みが完了します。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
Address
High 8bits
A
0 XXXXXXX
Address
Low 8bits
A
Write
Data 8bits
A P
X X X X X X XX
マスタからのアクセス
MSB
LSB
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
（注意事項）MB85RC256V では , アドレスは 15 ビットで表されるため , 上位アドレスバイトの最上位ビットには “0” を入
力してください。
・Page Write
Byte Write と同様のコマンド ( ストップ・コンディションを除く ) を送信した後 , 連続してデータ送信することで , 次の
メモリアドレス以降も書き込みます。
最終メモリアドレスに到達すると先頭メモリアドレス ( 0000H) にロールオーバします。したがって , 32 K バイト以上送
信した場合 , 最初に書込みした FRAM メモリアドレスの先頭から順に上書きされていきます。
なお , FRAM は書込みが高速なため , ACK の応答が完了した直後には , FRAM へのデータ書込みが既に完了しています。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
Address
High 8bits
A
Address
Low 8bits
A
Write
Data 8bits
Write
Data
A
...
A P
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S
スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
（注意事項）ストップ・コンディション発行後 , バッファからメモリへの内部書込みサイクル期間をとる必要はありません。
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MB85RC256V
・Current Address Read
前回の書込みまたは読出し動作をストップ・コンディションまで正常終了した場合 , その最後にアクセスしたアドレス
を n とすると , そのまま電源 OFF せずに下記コマンドを送信することで , n+1 アドレスを読み出せます。前回アドレスが
最終アドレスの場合は , 先頭メモリアドレス (0000H) にロールオーバーして読み出します。
電源立ち上げ直後の Current
Address ( メモリアドレスバッファが示すアドレス ) は不定です。
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
アドレス n+1
S
Read
Data 8bits
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
S スタート・コンディション
N P
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
・Random Read
書込みと同様にアドレス指定した後 , 再度スタート・コンディションを発行して , デバイス・アドレス・ワード (R/W “1”
入力 ) を送信することによって , メモリアドレスバッファに保存されていたアドレス番地から , 1 バイトのデータを , SCL
に同期して読み出せます。
最後の NACK (SDA が “H” レベル ) は , データを受信したレシーバから発行します。この場合はマスタ側からの発行です。
S
1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A
Address
High 8bits
A
Address
Low 8bits
A S
1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A
Read
Data 8bits
N P
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
・Sequential Read
Random Read と同様のアドレス指定 , デバイス・アドレス・ワード (R/W “1” 入力 ) に続けて , データを連続して受信でき
ます。
最終アドレスに到達すると , 読出しアドレスは自動的に先頭メモリアドレス (0000H) へロールオーバし読出しを続けま
す。
...
A
Read
Data 8bits
A
Read
Data
...
A
Read
Data 8bits
N P
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
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MB85RC256V
・Device ID
Device ID コマンドは , 固定のデバイス ID を読み出します。デバイス ID は , Manufacturer ID (12 ビット ) および Product
ID (12 ビット ) の合計 3 バイトで構成します。デバイス ID は読み出し専用であり , 次の手順で読み出せます。
a) マスターが , スタート・コンディションに続いてリザーブド・スレーブ ID F8H を送信します。
b) スレーブからの ACK 応答後 , マスターが , デバイス・アドレス・ワードを送信します。
このとき , Read/Write コードは Don't care です。
c) スレーブからの ACK 応答後 , マスターは , 再度 , スタート・コンディションに続いてリザーブド・スレーブ ID F9H を
送信します。
d) スレーブからの ACK 応答後 , マスターは , 引き続いて Data Byte 1st/2nd/3rd の順番でデバイス ID を読み出します。
e) 3 バイトのデバイス ID を読み出し後 , マスターが NACK (SDA が “H” レベル ) を応答します。
3 バイトのデバイス ID を読み出し後 , マスターが ACK を応答した場合は , Data Byte 1st 目から再び読み出します。
Reserved
Reserved
R
S Slave ID A 1 0 1 0 A2 A1A0 / A S Slave ID A Data Byte A Data Byte A Data Byte N P
W
1st
2nd
3rd
(F8H)
(F9H)
マスタからのアクセス
スレーブからのアクセス
S スタート・コンディション
P ストップ・コンディション
A ACK (SDA が “L” レベル )
N NACK (SDA が “H” レベル )
Data Byte 1st
Manufacture ID = 00AH
Data Byte 2nd
Data Byte 3rd
Product ID = 510H
11 10
9
8 7 6 5 4 3
Fujitsu Semiconductor
2
1
0
11 10 9 8
Density = 5H
7
6
5 4 3 2
Proprietary use
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
DS501-00017-4v0-J
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
9
MB85RC256V
■ ソフトウェアリセットまたはコマンドリトライ
電源立上げ後の誤動作 , I2C 通信中にマスタ側が処理を中止した場合 , または , 予期しない誤動作が発生した場合に , 次
に示す , (1) ソフトウェアリセットを各コマンドの実行直前に , または , (2) コマンドリトライを各コマンドのエラー直後
に , マスタ側から実行してください。
(1) ソフトウェアリセット
スレーブ側の SDA 出力が “L” を出力している場合がありますので , マスタ側から SDA を駆動する場合は , 強制的に “H”
を駆動しないでください。バスコンフリクトを防ぐためです。ここに示すソフトウェアリセットは , ハードウェアの追加は
不要です。
9 回の “ スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1””
SCL
SDA
プルアップ抵抗による Hi-Z 状態
スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1” を送信する。
Read または Write コマンドの直前に , これらを 9 回繰り返す。
(2) コマンドリトライ
I2C の通信中に予期しない応答が返ってきた場合は , コマンドを再送してください。
10
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MB85RC256V
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧 *
VDD
− 0.5
+6.0
V
入力電圧 *
VIN
− 0.5
VDD ＋ 0.5 ( ≦ 6.0)
V
出力電圧 *
VOUT
− 0.5
VDD ＋ 0.5 ( ≦ 6.0)
V
TA
− 40
＋ 85
°C
Tstg
− 55
＋ 125
°C
動作周囲温度
保存温度
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
電源電圧 *
VDD
2.7
⎯
5.5
V
“H” レベル入力電圧 *
VIH
VDD×0.8
⎯
5.5
V
“L” レベル入力電圧 *
VIL
VSS
⎯
VDD×0.2
V
動作周囲温度
TA
− 40
⎯
＋ 85
°C
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
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MB85RC256V
■ 電気的特性
1. 直流特性
( 推奨動作条件において )
項目
記号
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
入力リーク電流 *1
|ILI|
VIN ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
1
μA
出力リーク電流 *2
|ILO|
VOUT ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
1
μA
IDD
SCL ＝ 400 kHz
⎯
⎯
130
動作電源電流
μA
SCL ＝ 1000 kHz
⎯
⎯
200
μA
⎯
27
56
μA
スタンバイ電流
ISB
SCL, SDA ＝ VDD
WP ＝ 0 V または VDD
または オープン
ストップ・コンディション時
“L” レベル出力電圧
VOL
IOL ＝ 3 mA
⎯
⎯
0.4
V
A0, A1, A2, WP 端子の
入力抵抗
RIN
VIN ＝ VIL ( 最大 )
50
⎯
⎯
kΩ
VIN ＝ VIH ( 最小 )
1
⎯
⎯
MΩ
TA ＝＋ 25 °C TA ＝＋ 85 °C
＊ 1: 該当端子 : SCL, SDA
＊ 2: 該当端子 : SDA
2. 交流特性
規格値
項目
記号
標準モード
高速モード
高速モードプラス
最小
最大
最小
最大
最小
最大
0
400
0
1000
単位
SCL クロック周波数
FSCL
0
100
kHz
クロックハイ時間
THIGH
4000
⎯
600
⎯
400
⎯
ns
クロックロー時間
TLOW
4700
⎯
1300
⎯
600
⎯
ns
SCL/SDA 立上り時間
Tr
⎯
1000
⎯
300
⎯
300
ns
SCL/SDA 立下り時間
Tf
⎯
300
⎯
300
⎯
100
ns
Start コンディション条件のホールド
THD:STA
4000
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
Start コンディション条件のセットアップ
TSU:STA
4700
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
SDA 入力ホールド
THD:DAT
0
⎯
0
⎯
0
⎯
ns
SDA 入力セットアップ
TSU:DAT
250
⎯
100
⎯
100
⎯
ns
SDA 出力ホールド
TDH:DAT
0
⎯
0
⎯
0
⎯
ns
Stop コンディション条件のセットアップ
TSU:STO
4000
⎯
600
⎯
250
⎯
ns
SCL 立下りからの SDA 出力アクセス
TAA
⎯
3000
⎯
900
⎯
550
ns
プリチャージ時間
TBUF
4700
⎯
1300
⎯
500
⎯
ns
ノイズサプレッション時間
(SCL 端子 , SDA 端子 )
TSP
⎯
50
⎯
50
⎯
50
ns
交流特性は , 以下の測定条件とする。
電源電圧
：2.7 V ∼ 5.5 V
動作周囲温度
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
入力電圧振幅
：VDD×0.2 ∼ VDD×0.8
入力立上り時間
：5 ns
入力立下り時間
：5 ns
入力判定レベル
：VDD/2
出力判定レベル
：VDD/2
12
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
3. 交流タイミングの定義
TSU:DAT
VIH
SCL
VIL
SDA
Start
THD:DAT
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIL
TSU:STA THD:STA
TSU:STO
Tr
THIGH
VIH
SCL
Stop
VIH
VIL
Tf
TLOW
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
SDA
Stop
VIH
VIL
Start
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
TBUF
Tr
T
TDH:DAT f
TAA
Tsp
VIH
SCL
VIL
VIL
VIH
SDA
Valid
VIL
VIH
VIL
VIL
1/FSCL
4. 端子容量
項目
規格値
記号
条件
入出力容量
CI/O
入力容量
CIN
VDD ＝ VIN ＝ VOUT ＝ 0 V,
f ＝ 1 MHz, TA ＝＋ 25 °C
単位
最小
標準
最大
⎯
⎯
15
pF
⎯
⎯
15
pF
5. AC 試験負荷回路
5.5 V
1.8 kΩ
Output
100 pF
DS501-00017-4v0-J
13
MB85RC256V
■ 電源投入・切断シーケンス
tf
tpd
tr
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH (Min)
VIH (Min)
1.0 V
1.0 V
VIL (Max)
VIL (Max)
0V
0V
SDA, SCL > VDD × 0.8 *
SDA, SCL
SDA, SCL > VDD × 0.8 *
SDA, SCL : Don't care
SDA, SCL
＊：SDA, SCL (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
項目
規格値
記号
電源 OFF 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpd
電源 ON 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpu
電源の立上げ時間
tr
電源の立下げ時間
tf
単位
パラメータ
⎯
ns
⎯
85
⎯
ns
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.5
⎯
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
0.5
50
ms
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.005
50
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
0.5
50
ms
最小
最大
85
⎯
規定されたリードサイクル, ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合, 記憶デー
タの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
書込み / 読出し耐性 *
1
データ保持特性 *
2
最小
最大
1012
⎯
10
⎯
95
⎯
≧ 200
⎯
単位
パラメータ
回 / バイト 動作周囲温度
TA ＝＋ 85 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 °C
年
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 35 °C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2： データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
14
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
■ 使用上の注意
・ リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込まれたデータは保証できません
・ スタート・コンディション からストップ・コンディションまでのアクセス期間中 , WP, A0, A1, A2 信号は VDD 端子レベ
ルまたは VSS 端子レベルに固定してください。
■ ESD・ラッチアップ
DUT
試験項目
規格値
ESD HBM( 人体帯電モデル )
JESD22-A114 準拠
＋ 2000 V 以上
− 2000 V 以下
ESD MM( マシンモデル )
JESD22-A115 準拠
＋ 200 V 以上
− 200 V 以下
ESD CDM( デバイス帯電モデル )
JESD22-C101 準拠
⎯
ラッチアップ ( パルス電流注入法 )
JESD78 準拠
MB85RC256VPNF-G-JNE1
⎯
ラッチアップ ( 電源過電圧法 )
JESD78 準拠
⎯
ラッチアップ ( 電流法 )
Proprietary method
⎯
ラッチアップ (C-V 法 )
Proprietary method
＋ 200 V 以上
− 200 V 以下
・ ラッチアップ ( 電流法 )
保護抵抗
A
供試端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
( 最大定格 )
V
基準端子
( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出します )。
IIN ＝ ±300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。
ただし , I/O に特別な規格があり IIN を 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ
ルをあげます。
DS501-00017-4v0-J
15
MB85RC256V
・ ラッチアップ (C-V 法 )
保護抵抗
A
1
2 供試端子
SW
+
VIN
V
-
VDD
DUT
C
200pF
VDD
( 最大定格 )
VSS
基準端子
( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ∼ 2 に交互に切り換え , 電圧を印加します。
これを 1 回とし , 5 回行います。
ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。
■ リフロー条件および保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 含有規制化学物質対応
本製品は , REACH 規則 , EU RoHS 指令および中国 RoHS に準拠しております。
尚 , 本製品における含有規制化学物質対応の詳細は , 次のリンク先をご確認ください。
http://jp.fujitsu.com/microelectronics/environment/products/
16
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
■ オーダ型格
型格
パッケージ
出荷形態
最小出荷単位
MB85RC256VPNF-G-JNE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
チューブ
⎯*
MB85RC256VPNF-G-JNERE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
エンボステーピング
1500
MB85RC256VPF-G-JNE2
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M08)
チューブ
⎯*
MB85RC256VPF-G-JNERE2
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M08)
エンボステーピング
2000
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
DS501-00017-4v0-J
17
MB85RC256V
■ パッケージ・外形寸法図
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 8 ࡇࡦ
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
3.9mm ˜ 5.05mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
1.75mm MAX
⾰㊂
0.06g
(FPT-8P-M02)
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮
ࡇࡦ
㧔FPT-8P-M02㧕
+0.25
ᵈ 1㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 2㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ 3㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 4㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
න૏㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
（続く）
18
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
（続き）
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 8ࡇࡦ
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27 mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
5.30 mm ˜ 5.24 mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
࡝࡯࠼ᦛߍᣇะ
ᱜᦛߍ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
2.10 mm Max
(FPT-8P-M08)
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 8ࡇࡦ
㧔FPT-8P-M08㧕
ᵈ1㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ2㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ3㧕#ኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
#5.24±0.10
(.206±.004)
8
5
"A"
BTM E-MARK
#5.30±0.10
(.209±.004)
INDEX
7.80
.307
+0.45
–0.10
+.018
–.004
Details of "A" part
2.10(.083)
MAX
(Mounting height)
1
1.27(.050)
4
0.43±0.05
(.017±.002)
0.20±0.05
(.008±.002)
0~8°
+0.15
0.10 –0.05
+.006
.004 –.002
(Stand off)
C
2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08016S-c-1-2
+0.10
0.75 –0.20
+.004
.030 –.008
න૏㧦mm㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS501-00017-4v0-J
19
MB85RC256V
■ 捺印図
[MB85RC256VPNF-G-JNE1]
[MB85RC256VPNF-G-JNERE1]
RC256V
E11150
300
[FPT-8P-M02]
[MB85RC256VPF-G-JNE2]
[MB85RC256VPF-G-JNERE2]
RC256V
E21200
300
[FPT-8P-M08]
20
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
■ 包装
1. チューブ
1.1 チューブ寸法図 (FPT-8P-M02)
・チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリエチレンテレフタレート
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 520 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
SOP, 8 プラスチック (2)
FPT-8P-M02
最大収納個数
個 / チューブ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
95
7600
30400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
C
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t ＝ 0.5
透明ポリエチレンテレフタレート
( 単位：mm)
DS501-00017-4v0-J
21
MB85RC256V
1.2 チューブ寸法図 (FPT-8P-M08)
・チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリ塩化ビニール
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 508 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
SOP, 8
FPT-08P-M08
最大収納個数
個 / チューブ 個 / 内装箱
90
7200
個 / 外装箱
28800
10.6
3
2.16
1.3
4.12
2.7
1.4
5.4
5.2
9.4
©2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
SOP209mil-PVC3:NFME-PVC-X0166-1-P-2
ｔ ＝ 0.56
透明ポリ塩化ビニール
( 単位：mm)
22
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
1.3 チューブ防湿包装仕様書
IC
チューブ
ストッパ
SOP 用
Index mark
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1 ＊ *3
アルミラミネート袋
防湿
袋詰め
乾燥剤
湿度インジケータ
熱シール
アルミラミネート袋 ( チューブ入 )
内装箱
気泡クッション
内装箱
表示Ⅰ＊ 1 ＊ 3
気泡クッション
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 3
表示Ⅱ -B ＊ 3
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 3：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00017-4v0-J
23
MB85RC256V
1.4 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
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ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
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‫⵾
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70+6
::
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ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
::::::::::::::㧔⵾ຠဳᩰ㧕
㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
‫ޓޓޓ‬:::::::
‫ޓޓޓ‬:::::::
㧔▫ᢙ㧕‫ޓޓޓ‬㧔ᢙ㊂㧕
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ‬:::୘
( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
24
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
1.5 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
540
125
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
565
270
180
( 単位：mm)
DS501-00017-4v0-J
25
MB85RC256V
2. エンボステープ
2.1 テープ寸法図
パッケージコード
リール No
FPT-8P-M02
3
最大収納個数
個 / リール
個 / 内装箱
個 / 外装箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
単位：mm
材質：導電性ポリスチレン
耐熱温度：耐熱性ではありません。
テープ，リールでのベーキング処理はできません。
26
DS501-00017-4v0-J
MB85RC256V
2.2 IC の方向
Index mark
・ER タイプ
( 引出側 )
( リール側 )
( 引出側 )
2.3 リールの寸法
࡝࡯࡞ⓣኸᴺ
E
D
W2
C
B
A
W1
12
13
14
15
56
12
16
24
r
W3
㧦ࡂࡉㇱߩ᏷ኸᴺ
単位：mm
リール No
テープ幅
記号
A
1
2
8
254
±2
3
4
12
254
±2
5
6
7
16
330
±2
254
±2
9
24
330
±2
254
±2
10
11
32
44
330
±2
100 +2
-0
B
8
330±2
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100±2
C
13±0.2
13 +0.5
-0.2
D
21±0.8
20.5 +1
-0.2
E
2±0.5
W1
8.4 +2
-0
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
W2
W3
14.4
以下
18.4 以下
22.4 以下
30.4 以下
38.4 以下
7.9 ∼
10.9
11.9 ∼ 15.4
15.9 ∼ 19.4
23.9 ∼ 27.4
31.9 ∼ 35.4
r
DS501-00017-4v0-J
56.4 +2
-0
12.4 +1
-0
+0.1
16.4 +1
-0 24.4 -0
50.4 以下
62.4
以下
18.4
以下
22.4
以下
30.4
以下
43.9 ∼ 47.4
55.9 ∼
59.4
12.4 ∼
14.4
16.4 ∼
18.4
24.4 ∼
26.4
1.0
27
MB85RC256V
2.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書
外径：φ330 mm リール
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
エンボス
テーピング
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
乾燥剤
湿度インジケータ
防湿
袋詰め
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
熱シール
内装箱
内装箱
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
テープ止め
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2, ＊ 3
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 4
表示Ⅱ -B ＊ 4
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
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2.5 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
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C-3 ラベル
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ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
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表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
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2.6 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
テープ幅
W
12, 16
H
40
24, 32
365
44
345
56
50
65
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
415
400
315
( 単位：mm)
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■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の | によって示しています。
ページ
14
場所
■電源投入・切断シーケンス tpu および tr の値を動作電圧別に定義。
最小 最大 単位 条件
tpu
85
⎯
ns
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.5
⎯
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
tr
0.5
50
ms
VDD=5.0 V±0.5 V 動作時
0.005 50
ms
VDD=3.3 V±0.3 V 動作時
■使用上の注意
15
16
変更箇所
次の記述を変更。
IR リフロー前に書き込まれたデータを IR リフロー後に保持することは , 保
証していません。
→リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込
まれたデータは保証できません。
■リフロー条件および保管期 次の記述に変更。
限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■含有規制化学物質対応
項目を規制物質から含有規制化学物質対応と変更し , リンク先を参照する方
法に変更。
■オーダ型格
チューブの最小出荷単位を変更。
1 → ⎯*
表の下に注記を追加。
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
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富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
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受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
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本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , 製品のご購入やご使用などのご用命の際は , 当社営業窓口にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を
保証するものではありません。したがって , お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は , お客様の責任において行ってください。これらの
使用に起因する損害などについては , 当社はその責任を負いません。
本資料は , 本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその
他の権利の使用権または実施権を許諾するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができるこ
との保証を行うものではありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害などについて , 当社はその責任
を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における
核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発
射制御など）, または極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。し
たがって , これらの用途へのご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損
害などについては , 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は , 当社半導体
デバイスに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長
設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制
をご確認の上 , 必要な手続きをおとりください。
本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 経営戦略室 企画部