MB85RS16 - Fujitsu

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00014-5v0-Z
铁电存储器
16 K (2 K × 8) 位 SPI
MB85RS16
■ 产品描述
MB85RS16 是 FRAM （铁电随机存取存储器）芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工
艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作，它的读 / 写耐久性大大超过 FLASH 和 E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS16 不需要等待时间。
■ 特点
• 位配置
：2,048 × 8 位
• 串行外围设备接口 ：SPI （串行外设接口）
与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信
• 工作频率
：20 MHz （最大）
• 高耐久性
：1012 （一万亿）次 / 字节
• 数据保持
：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压
：2.7 V 到 3.6 V
• 低功耗
：工作电流 1.5 mA （20 MHz 下的典型值）
待机电流 5 μA （典型值）
• 工作环境温度范围 ： − 40 °C 到 + 85 °C
• 封装
：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)
8 引脚塑料 SON (LCC-8P-M04)
符合 RoHS
Copyright©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.3
MB85RS16
■ 引脚分配
( 顶视图 )
1
CS
( 顶视图 )
8
VDD
SO
2
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
7
HOLD
CS
1
8
VDD
SO
2
7
HOLD
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
(FPT-8P-M02)
(LCC-8P-M04)
■ 引脚功能描述
引脚编号 引脚名称
2
功能描述
1
CS
片选引脚
这是进行芯片选择的输入引脚。当 CS 为 “高”电位时，器件处于取消选择 （等待）状
态， SO 成为高阻抗状态。此时芯片会忽略其它引脚的数据输入。 CS 为 “低”电平时，
器件处于选择 （激活）状态。输入操作码之前， CS 必须为 “低”电平。芯片选择引脚
在内部上拉至 VDD 引脚。
3
WP
写保护引脚
这是控制对状态寄存器的写操作的引脚。可以通过 WP 引脚和 WPEN （状态寄存器）
位可以实现对状态寄存器的写保护操作。有关详细信息，请参见 “■ 写保护”。
7
HOLD
保持引脚
在没有取消片选的情况下中断串行输入 / 输出。 HOLD 处于 “低”电平时，保持操作被
激活， SO 成为高阻抗状态， SCK 和 SI 成为可忽略状态。在保持操作时， CS 必须保留
为 “低”电平。
6
SCK
串行时钟引脚
时钟输入引脚，为串行数据输入输出提供时钟信号。 SI 引脚数据同步于 SCK 上升沿输
入， SO 引脚的数据同步于 SCK 下降沿输出。
5
SI
串行数据输入引脚
这是串行数据的输入引脚。用于输入操作码、地址和写数据。
2
SO
串行数据输出引脚
这是串行数据的输出引脚。读取 FRAM 存储单元阵列和状态的数据寄存器数据是输出。
待机状态为高阻态。
8
VDD
电源电压引脚
4
GND
接地引脚
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 方块图
SCK
HOLD
᥻ࠊ⬉䏃
CS
㸠䆥ⷕ఼
І㸠-ᑊ㸠䕀ᤶ఼
ഄഔ䅵ㅫ఼
SI
FRAM ऩ‫ܗ‬䰉߫
2,048 × 8
FRAM
⢊ᗕᆘᄬ఼
߫䆥ⷕ఼/♉ᬣᬒ໻఼/
‫ݭ‬ᬒ໻఼
WP
᭄᥂ᆘᄬ఼
SO
DS501-00014-5v0-Z
ᑊ㸠-І㸠䕀ᤶ఼
3
MB85RS16
■ SPI 模式
MB85RS16 与 SPI 模式 0 (CPOL = 0, CPHA = 0) 和 SPI 模式 3 (CPOL = 1, CPHA = 1) 通信。
CS
SCK
SI
7
6
5
MSB
4
3
2
1
0
LSB
SPI 模式 0
CS
SCK
SI
7
6
5
4
MSB
3
2
1
0
LSB
SPI 模式 3
4
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 串行外设接口 (SPI)
MB85RS16 作为 SPI 的从器件。通过使用配备 SPI 端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备 SPI
端口的微控制器，可以通过模拟 SPI 总线操作。
SCK
MOSI
MISO
SO
SPI
微控制器
SI
SO
SCK
MB85RS16
CS
SI
SCK
MB85RS16
CS
HOLD
HOLD
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
MOSI : 主输出从输入
MISO : 主输入从输出
SS
: 从选择
使用 SPI 端口的系统配置
SO
微控制器
SI
SCK
MB85RS16
CS
HOLD
不使用 SPI 端口的系统配置
DS501-00014-5v0-Z
5
MB85RS16
■ 状态寄存器
位编号
位名称
功能
7
WPEN
状态寄存器写保护
该位由非易失性存储 (FRAM) 组成。 WPEN 保护与 WP 输入相关的状态
寄存器写入 （参见 “■ 写保护”）。可以使用 WRSR 命令写入和使用
RDSR 命令读取。
6到4
−
未使用位
这些是由非易失性存储组成的位，可以使用 WRSR 命令写入。这些位未
使用，但可以使用 RDSR 命令读取。
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
块保护
该位由非易失性存储组成。这定义了 WRITE 命令的写保护块的大小 （参
见 “■ 块保护”）。可以使用 WRSR 命令写入和使用 RDSR 命令读取。
写使能锁存器
这表示 FRAM 阵列和状态寄存器是可写的。 WREN 命令用于设置，而
WRDI 命令用于重置。使用 RDSR 命令可以读取，但用 WRSR 命令不能
写入。 WEL 会在以下操作之后重置。
打开电源后。
WRDI 命令识别后。
WRSR 命令识别后 CS 的上升沿。
WRITE 命令识别后 CS 的上升沿。
这是固定为 “0”的位。
■ 操作码
MB85RS16 接受操作码中指定的 7 类命令。操作码是 8 位代码，如下表所示。不要输入这些代码以外的其
他无效代码。如果 CS 在输入操作码时上升，则不会执行命令。
名称
操作码
WREN
设置写使能锁存器
0000 0110B
WRDI
复位写使能锁存器
0000 0100B
RDSR
读状态寄存器
0000 0101B
WRSR
写状态寄存器
0000 0001B
READ
读内存代码
0000 0011B
WRITE
写内存代码
0000 0010B
读器件 ID
1001 1111B
RDID
6
描述
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 命令
• WREN
WREN 命令设置 WEL （写使能锁存器）。 WEL 需要在写操作 （WRSR 命令和 WRITE 命令）之前使用
WREN 命令设置。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
᮴ᬜ
0
0
0
0
0
1
1
᮴ᬜ
0
催䰏ᡫ
SO
• WRDI
WRDI 命令重置 WEL （写使能锁存器）。写操作 （WRITE 命令和 WRSR 命令）在 WEL 重置时不会执行。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
᮴ᬜ
SO
DS501-00014-5v0-Z
0
0
0
0
0
1
0
0
᮴ᬜ
催䰏ᡫ
7
MB85RS16
• RDSR
RDSR 命令读取状态寄存器数据。 RDSR 的操作码输入 SI 之后， 8 周期时钟输入 SCK。 SI 值此时无效。
SO 在 SCK 的下降沿同步输出。在 RDSR 命令中，可通过在 CS 上升前连续发送 SCK 启用状态寄存器的
重复读取。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
0
᮴ᬜ
1
᭄᥂䕧ߎ
催䰏ᡫ
SO
᮴ᬜ
MSB
LSB
• WRSR
WRSR 命令将数据写入状态寄存器的非易失性存储位。对 SI 引脚执行 WRSR 之后，输入 8 位写入数据。
WEL （写使能锁存器）无法使用 WRSR 命令写入。与位 1 通信的 SI 值被忽略。状态寄存器的位 0 固定为
“0”且无法写入。与位 0 通信的 SI 值被忽略。执行 WRSR 之前应固定 WP 信号电平，并且在命令序列结
束前不改变 WP 信号电平。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
᭄᥂䕧ܹ
ᣛҸ
SI
SO
8
0
0
0
0
0
0
0
1
7
MSB
催䰏ᡫ
6
5
4
3
2
1
0
LSB
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
• READ
READ 命令读取 FRAM 存储单元阵列数据。任意 16 位地址和 READ 的操作码输入 SI。5 位高地址位无效。
然后， 8 周期时钟输入 SCK。 SO 同步输出到 SCK 的下降沿。读取时， SI 值无效。当 CS 上升时， READ
命令完成，但以自动地址递增的方式持续读取 （通过在 CS 上升之前以 8 周期为单位连续发送时钟到 SCK
实现）。当到达最高位地址时翻转到起始地址，并无限保持读取周期。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
16 位地址
操作码
SI
SO
0 0 0 0 0 0 1 1 X X X X X 10
MSB
催䰏ᡫ
5
4
3
2
1
᮴ᬜ
0
LSB MSB
7
6
᭄᥂䕧ߎ
5
4
3
2
1
LSB
0
᮴ᬜ
• WRITE
WRITE 命令将数据写入 FRAM 存储单元阵列。WRITE 操作码、任意 16 位地址和 8 位写入数据输入到 SI。
5 位高地址位无效。当输入 8 位写入数据时，数据写入 FRAM 存储单元阵列。CS 上升将终止 WRITE 命令，
但如果在每个 CS 上升之前继续发送 8 位写入数据，则可以使用自动递增地址继续写入。当到达最重要的地
址时翻转到起始地址，写周期将无休止地继续下去。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
操作码
SI
SO
16 位地址
0 0 0 0 0 0 1 0 X X X X X 10
MSB
催䰏ᡫ
DS501-00014-5v0-Z
5
᭄᥂䕧ܹ
4
3
2
1
0
7
6
LSB MSB
5
4
3
2
1
0
LSB
9
MB85RS16
• RDID
RDID 命令读取固定的器件 ID。执行 RDID 操作码到 SI 之后，32 周期时钟输入 SCK。SI 值此时无效。SO
同步输出到 SCK 的下降沿。输出顺序是制造商 ID（8 位）/ 继续代码（8 位）/ 产品 ID（第 1 个字节）/ 产
品 ID （第 2 个字节）。
在 RDID 命令中，通过在 CS 上升之前连续发送 SCK 时钟， SO 在 32 位器件 ID 输出之后保持最后一位的
输出状态。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
1
1
1
1
1
8
31 32 33 34 35 36 37 38 39
9 10 11
SCK
SI
SO
᮴ᬜ
᭄᥂䕧ߎ
催䰏ᡫ
᭄᥂䕧ߎ
8
31 30 29 28
7
6
5
4
3
2
1
0
LSB
MSB
位
制造商 ID
继续代码
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
1
0
1
十六
进制
04H Fujitsu
7FH
1
十六
进制
01H 密度：00001B = 16k 位
1
十六
进制
01H
专利使用
产品 ID （第 1 个字节）
0
0
密度
0
0
0
0
0
专利使用
产品 ID （第 2 个字节）
10
0
0
0
0
0
0
0
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 块保护
WRITE 命令的写保护块由状态寄存器中 BP0 和 BP1 的值配置。
BP1
BP0
保护块
0
0
无
0
1
600H 到 7FFH （高位 1/4）
1
0
400H 到 7FFH （高位 1/2）
1
1
000H 到 7FFH （全部）
■ 写保护
根据 WEL, WPEN, WP 的值配置， WRITE 命令和 WRSR 命令的写操作将被保护，如表中所示。
WEL
WPEN
WP
保护块
非保护块
状态寄存器
0
X
X
保护
保护
保护
1
0
X
保护
非保护
非保护
1
1
0
保护
非保护
保护
1
1
1
保护
非保护
非保护
■ 保持操作
在保持 CS “低”电平同时，即使将 HOLD 置于 “低”电平，命令既不会被中止，也可保留保持状态。起
始和结束时序的保持状态取决于当 HOLD 引脚输入转换到保持条件时 SCK 是 “高”电平还是 “低”电平，
如下图所示。在 SCK 为 “低”电平时 HOLD 引脚转换为 “低”电平的情况下，在 SCK 为 “低”电平时
请将 HOLD 引脚返回到 “高”电平。以此类推，在 SCK 为 “高”电平时 HOLD 引脚转换为 “低”电平的
情况下，在 SCK 为 “高”电平时请将 HOLD 引脚返回到 “高”电平。任意命令操作在保持状态时都会中
断， SCK 和 SI 输入变为被忽略 (don’t care)。还有， 在读取命令 (RDSR, READ) 时 SO 变为高阻抗 (HighZ)。如果 CS 在保持状态期间上升，则命令会中止。在命令识别前即被中止的情况下， WEL 保持为转换到
HOLD 状态之前的值。
CS
SCK
HOLD
ֱᣕᴵӊ
DS501-00014-5v0-Z
ֱᣕᴵӊ
11
MB85RS16
■ 绝对最大额定值
参数
符号
额定值
最小值
最大值
单位
电源电压 *
VDD
− 0.5
+ 4.0
V
输入电压 *
VIN
− 0.5
VDD + 0.5
V
输出电压 *
VOUT
− 0.5
VDD + 0.5
V
TA
− 40
+ 85
°C
Tstg
− 55
+ 125
°C
工作环境温度
储存温度
*：上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，
因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。
■ 推荐工作条件
参数
符号
值
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压 *
VDD
2.7
3.3
3.6
V
输入高电压 *
VIH
VDD × 0.8
−
VDD + 0.3
V
输入低电压 *
VIL
− 0.5
−
VDD × 0.2
V
工作环境温度
TA
− 40
−
+ 85
°C
*：上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
< 警告 > 为确保半导体器件的正常运作，必须在推荐的运行环境或条件下使用。器件在所推荐的环境或条件下
运行时，其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器
件。如超出该等范围使用，可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条
件之外使用器件，请务必事先联系销售代表。
12
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 电气特性
1. 直流特性
（在推荐工作条件内）
参数
符号
条件
值
最小值
典型值
最大值
CS = 0 V 到 VDD
−
−
200
单位
μA
输入漏电流
|ILI|
WP、HOLD、SCK，
SI = 0 V 到 VDD
−
−
10
输出漏电流
|ILO|
SO = 0 V 到 VDD
−
−
10
μA
工作电源电流
IDD
SCK = 20 MHz
−
1.5
2.4
mA
待机电流
ISB
SCK = SI = CS = VDD
−
5
15
μA
输出高电压
VOH
IOH = −2 mA
VDD − 0.5
−
VDD
V
输出低电压
VOL
IOL = 2 mA
VSS
−
0.4
V
CS 的上拉电阻
RP
−
18
33
80
kΩ
DS501-00014-5v0-Z
13
MB85RS16
2. 交流特性
参数
符号
值
最小值
最大值
单位
SCK 时钟频率
fCK
0
20
MHz
时钟高电平时间
tCH
25
−
ns
时钟低电平时间
tCL
25
−
ns
芯片选择设置时间
tCSU
10
−
ns
芯片选择保持时间
tCSH
10
−
ns
输出禁用时间
tOD
−
20
ns
输出数据有效时间
tODV
−
18
ns
输出保持时间
tOH
0
−
ns
取消选择时间
tD
60
−
ns
上升时间的数据
tR
−
50
ns
数据下降时间
tF
−
50
ns
数据设置时间
tSU
5
−
ns
数据保持时间
tH
5
−
ns
HOLD 设置时间
tHS
10
−
ns
HOLD 保持时间
tHH
10
−
ns
HOLD 输出浮动时间
tHZ
−
20
ns
HOLD 输出激活时间
tLZ
−
20
ns
交流测试条件
电源电压
工作温度范围
输入电压范围
输入上升时间
输入下降时间
输入判定基准电平
输出判定基准电平
14
: 2.7 V 到 3.6 V
: − 40 °C 到 + 85 °C
: 0.3 V 到 2.7 V
: 5 ns
: 5 ns
: VDD/2
: VDD/2
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
交流负载等价电路
3.3 V
1.2 kΩ
䕧ߎ
0.95 kΩ
30 pF
3. 引脚电容
参数
符号
条件
输出电容
CO
输入电容
CI
VDD = VIN = VOUT = 0 V,
f = 1 MHz， TA = + 25 °C
DS501-00014-5v0-Z
值
单位
最小值
最大值
−
10
pF
−
10
pF
15
MB85RS16
■ 时序图
• 串行数据时序
tD
CS
tCSH
tCSU
tCH
tCL
tCH
SCK
tSU
tH
᳝ᬜ
SI
tODV
SO
tOH
tOD
催䰏ᡫ
催䰏ᡫ
˖催៪Ԣ
• 保持时序
CS
SCK
tHS
tHH
tHS
tHS
tHH
tHS
tHH
tHH
HOLD
催䰏ᡫ
SO
tHZ
16
tLZ
催䰏ᡫ
tHZ
tLZ
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 电源开 / 关序列
tpd
tf
tr
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH˄᳔ᇣؐ˅
VIH˄᳔ᇣؐ˅
1.0 V
1.0 V
VIL˄᳔໻ؐ˅
VIL˄᳔໻ؐ˅
GND
GND
CS >VDD × 0.8 *
CS
CS >VDD × 0.8 *
CS˖ৃᗑ⬹
CS
* : CS （最大） < VDD + 0.3 V
参数
符号
值
最小值
最大值
单位
电源关闭时 CS 电平的保持时间
tpd
400
−
ns
电源打开时 CS 电平的保持时间
tpu
0.1
−
ms
电源下降时间
tf
100
−
μs/V
电源上升时间
tr
30
−
μs/V
注意 : 如果器件不能在读周期、写周期或上电 / 掉电序列的特定条件内操作，则无法保证存储数据。
■ FRAM 特性
参数
读 / 写耐久性 *
数据保持 *
1
2
最小值
1012
最大值
−
单位
备注
次 / 字节
工作环境温度 TA = + 85 °C
10
−
年
工作环境温度 TA = + 85 °C
95
−
年
工作环境温度 TA = + 55 °C
≧ 200
−
年
工作环境温度 TA = + 35 °C
*1 由于 FRAM 存储采用破坏性读出机制操作，这里的读 / 写耐久性的最小值定义为读和写的次数的总和。
*2 数据保持年数是指出厂交货后，第一次读 / 写操作之后的数据保持时间。这些保持时间是根据可靠性评估结
果得出的换算值。
■ 使用说明
IR 回流后，不保证执行 IR 回流前写入的数据。
DS501-00014-5v0-Z
17
MB85RS16
■ ESD 和闩锁
测试
值
DUT
ESD HBM （人体模型）
符合 JESD22-A114
≥ |2000 V|
ESD MM （机器模型）
符合 JESD22-A115
≥ |200 V|
ESD CDM （充电器件模型）
符合 JESD22-C101
−
闩锁 （I 测试）
符合 JESD78
MB85RS16PNF-G-JNE1
−
闩锁 （V 电源过电压测试）
符合 JESD78
−
闩锁 （电流方法）
专利方法
−
闩锁 （C-V 方法）
专利方法
≥ |200 V|
• 闩锁电阻测试的电流方法
保护电阻
A
测试端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
（最大额定值）
V
参考端子
注意 : 电压 VIN 逐渐增加且电流 IIN 应达到最大值 300 mA。
确认在 IIN = ± 300 mA 情况下未发生闩锁。
输入 / 输出有特定的规格值， IIN 无法达到 300 mA 的情况下，电压应增加到满足这个特定的规格的水
平。
18
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
• 闩锁电阻测试的 C-V 方法
保护电阻
A
1
2
测试
端子
SW
+
VIN
V
-
C
200pF
VDD
DUT
VDD
（最大额定值）
VSS
参考端子
注意 : 以大约 2 秒间隔交替切换充电电压 1 和 2。此切换过程视为一个周期。
重复此过程 5 次。但是，如果闩锁条件在完成 5 次过程之前发生，则必须立即停止该测试。
DS501-00014-5v0-Z
19
MB85RS16
■ 回流焊条件和落地寿命
项目
条件
方法
IR （红外回流） , 转换
次
2
开封之前
请在生产后 2 年内使用。
从开封到第 2 次回流
8 天内
超出落地寿命期的情况
使用 125 °C + / − 3 °C 烘干
24 小时 + 2 小时 /-0 小时 （必须）。
然后请在 8 天内使用。
（请记住烘干不能超过 2 次）
落地寿命
在 5 °C 到 30 °C 之间且必须低于 70%RH。
（所需温度范围内推荐较低湿度。）
落地寿命条件
回流配置文件
260 ć
255 ć
液态
温度
170 ć
ࠄ
190 ć
(b)
RT
(a)
(a) 平均上升速度
(b) 预热和渗透
(c) 平均上升速度
(d) 峰值温度
(d') 液态温度
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
: 1 °C/s 到 4 °C/s
: 170 °C 到 190 °C, 60 s 到 180 s
: 1 °C/s 到 4 °C/s
: 最大温度 260 °C ； 10 秒内 255 °C
: 40 秒内最高 230 °C 或
60 秒内最高 225 °C 或
80 秒内最高 220 °C
: 自然冷却或强制冷却
注意 : 封装主体的最高温度已测定。
20
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 限制物质
本产品遵守以下法规 （截至 2011 年 11 月）。
• EU RoHS 法令 (2002/95/EC)
• 中国 RoHS （电子信息产品污染控制管理办法）
• 越南 RoHS (30/2011/TT-BCT)
各法规中的限制物质如下。
阈值
包含状态 *
铅及其化合物
1,000 ppm
❍
汞及其化合物
1,000 ppm
❍
镉及其化合物
100 ppm
❍
六价铬化合物
1,000 ppm
❍
多溴化联苯 (PBB)
1,000 ppm
❍
多溴联苯醚 (PBDE)
1,000 ppm
❍
物质
* : “❍”标记表示低于阈值。
DS501-00014-5v0-Z
21
MB85RS16
■ 订购信息
零件编号
封装
包装类型
最小起订量
MB85RS16PNF-G-JNE1
8 引脚塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
管状
1
MB85RS16PNF-G-JNERE1
8 引脚塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
卷带
1,500
MB85RS16PN-G-AMERE1
8 引脚塑料 SON
(LCC-8P-M04)
卷带
7,000
22
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 封装尺寸
8 ᓩ㛮ล᭭ SOP
ᓩ㛮䯈䎱
1.27 ↿㉇
ࣙ㺙ᆑᑺ ×
ࣙ㺙䭓ᑺ
3.9 ↿㉇ × 5.05 ↿㉇
ᓩ㛮ᔶ⢊
叹㗐ൟ
ᇕ㺙ᮍ⊩
ล῵
ᅝ㺙催ᑺ
᳔催 1.75 ↿㉇
䞡䞣
0.06 g
(FPT-8P-M02)
8 ᓩ㛮ล᭭ SOP
(FPT-8P-M02)
+0.25
⊼ᛣ 1) *1˖ሎᇌࣙᣀᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ
⊼ᛣ 2) *2˖ሎᇌϡࣙᣀᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ
⊼ᛣ 3) ᓩ㛮ᆑᑺ੠ᓩ㛮८ᑺࣙᣀ䞥ሲᵓ८ᑺDŽ
⊼ᛣ 4) ᓩ㛮ᆑᑺϡࣙ৿ᢝᴚߛࡆ࠽ԭ䚼ߚDŽ
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
“A”䚼ߚ䆺೒
45°
1.55±0.20
˄ᅝ㺙催ᑺ˅
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
˄ᇍክ˅
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
ሎᇌऩԡЎ↿㉇˄㣅ᇌ˅DŽ
⊼ᛣ˖ᣀোЁⱘؐᰃখ㗗ؐDŽ
请在以下 URL 核对最新的封装尺寸。
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
( 续上页 )
DS501-00014-5v0-Z
23
MB85RS16
( 续上页 )
8 ᓩ㛮ล᭭ SON
ᓩ㛮䯈䎱
0.5 ↿㉇
ࣙ㺙ᆑᑺ ×
ࣙ㺙䭓ᑺ
2.0 ↿㉇ × 3.0 ↿㉇
ᇕ㺙ᮍ⊩
ล῵
ᅝ㺙催ᑺ
᳔໻ 0.75 ↿㉇
䞡䞣
0.015 g
(LCC-8P-M04)
8 ᓩ㛮ล᭭ SON
(LCC-8P-M04)
1.6±0.10
(.063±.004)
2.00±0.07
(.079±.003)
0.40±0.07
(.016±.003)
3.00±0.07
(.118±.003)
1.40±0.10
(.055±.004)
㋶ᓩऎ
1ᓩ㛮ⱘᢤ㾦
(C0.30(C.012))
0.50(.020)
TYP
᳔催 0.05(.002)
C
0.25±0.05
(.010±.002)
0.70±0.05
(.028±.002)
0.15(.006)
2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbC8-04Sc-1-1
ሎᇌऩԡЎ↿㉇˄㣅ᇌ˅DŽ
⊼ᛣ˖ᣀোЁⱘؐᰃখ㗗ؐDŽ
请在以下 URL 核对最新的封装尺寸。
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
24
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
■ 标记
[MB85RS16PNF-G-JNE1]
[MB85RS16PNF-G-JNERE1]
RS16
E11100
300
[FPT-8P-M02]
[MB85RS16PN-G-AMERE1]
YYWW
S16S
0XX
[LCC-8P-M04]
DS501-00014-5v0-Z
25
MB85RS16
■ 包装信息
1. 管状
1.1 管尺寸
• 管 / 限位器形状
ㅵ⢊
䗣ᯢ㘮Э⛃ᇍ㣃Ѡ⬆䝌䝃
˄໘⧚䰆䴭⬉˅
䰤ԡ఼
˄໘⧚䰆䴭⬉˅
ㅵ䭓ᑺ˖520 ↿㉇
ㅵ᥹༈੠᳔໻᭄䞣
᳔໻ࣙ㺙᭄䞣
ࣙ㺙໪ᔶ
SOPˈ8ˈล᭭ (2)
ࣙ㺙ҷⷕ
pcs/
ㅵ
pcs/‫ݙ‬
ㆅ
pcs/໪
ㆅ
FPT-8P-M02
95
7,600
30,400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
C 2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t = 0.5
䗣ᯢ㘮Э⛃ᇍ㣃Ѡ⬆䝌䝃
˄ሎᇌऩԡЎ↿㉇˅
26
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
1.2 管干燥包装规范
IC
管状
䰤ԡ఼
⫼Ѣ SOP
㋶ᓩᷛ䆄
ᷛㅒ I *1*3
䪱ㅨ㹟
⛁ᇕ
干燥包
ᑆ➹ࠖ
⑓ᑺᣛ⼎఼
䪱ㅨ㹟
˄‫ݙ‬ㅵ˅
内箱
㓧‫ކ‬ൿ
‫ݙ‬ㆅ
ᷛㅒ I *1*3
㓧‫ކ‬ᴤ᭭
໪ㆅ *2
外箱
Փ⫼㉬ড়ᏺDŽ
ᷛㅒ II-A *3
ᷛㅒ II-B *3
*1: 对于零件编号后缀为 “E1”的产品，防潮袋和内箱上会显示 “ G
Pb
”标记。
*2: 外箱中的空隙将用空内箱或衬垫等填充。
*3: 请参考附件表了解有关指示标签的信息。
注意 : 产品通过分销商交付时可能不适用本包装规范。
DS501-00014-5v0-Z
27
MB85RS16
1.3 产品标签说明
标签 I：内箱 / 防潮袋上的标签 / （贴在卷带的卷筒上）
[C-3 标签 （50 毫米 × 100 毫米）补充标签 （20 毫米 × 100 毫米） ]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
C-3 标签
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
点断线
补充标签
标签 II-A：外箱上的标签 [D 标签 ] （100 毫米 × 100 毫米）
D 标签
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
标签 II-B：外箱产品说明
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
注意 : 根据发货地的不同，可能不会印刷外箱上的 “标签 II-A” 和 “标签 II-B”。
28
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
1.4 包装箱尺寸
(1) 内箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
540
125
75
（尺寸单位为毫米）
(2) 外箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
565
270
180
（尺寸单位为毫米）
DS501-00014-5v0-Z
29
MB85RS16
2. 卷带
2.1 卷带尺寸
PKG 代码
卷筒编号
FPT-8P-M02
3
最大包装数量
pcs/ 卷筒
pcs/ 内箱
pcs/ 外箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
A
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
（尺寸单位为毫米）
材料：导电聚苯乙烯
隔热温度：不隔热。
不能使用胶带和卷筒烘干包装。
30
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
2.2 IC 方向
• ER ㉏ൟ
˄⫼᠋䖯᭭ᮍ৥˅
㋶ᓩᷛ䆄
˄ोㄦջ˅
˄⫼᠋䖯᭭ᮍ৥˅
2.3 卷筒尺寸
ोㄦ㺕࠾ሎᇌ
E
*
D
C
B
A
W1
W2
r
W3
*˖䕂↖㺙㕂ᆑᑺሎᇌ
1
2
3
4
5
6
7
卷筒编号
胶带宽度
8
12
16
24
符号
A
254 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2
9
10
32
11
44
12
13
56
12
尺寸单位为毫米
14
15
16
24
330 ± 2
100 +2
-0
100 +2
-0
B
8
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100 ± 2
C
13 ± 0.2
13 +0.5
-0.2
D
21 ± 0.8
20.5 +1
-0.2
2 ± 0.5
E
W1
8.4 +2
-0
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
+0.1
56.4 +2
12.4 +1
16.4 +1
-0
-0
-0 24.4 -0
W2
小于 14.4
小于 18.4
小于 22.4
小于 30.4
小于 38.4
小于 50.4
小于 62.4 小于 18.4 小于 22.4 小于 30.4
W3
7.9 ~
10.9
11.9 ~ 15.4
15.9 ~ 19.4
23.9 ~ 27.4
31.9 ~ 35.4
43.9 ~ 47.4
55.9 ~ 12.4 ~ 16.4 ~ 24.4 ~
59.4
14.4
18.4
26.4
r
DS501-00014-5v0-Z
1.0
31
MB85RS16
2.4 胶带 （φ330 毫米卷筒）干燥包装规格
໪䚼ሎᇌ˖¶↿㉇ोㄦ
ᷛㅒ Iǃ
压花胶带
ᷛㅒ Iǃ
ᑆ➹ࠖ
⑓ᑺᣛ⼎఼
䪱ㅨ㹟
干燥包
ᷛㅒ Iǃ
⛁ᇕ
内箱
‫ݙ‬ㆅ
ᷛㅒ Iǃ
ोᏺ
໪ㆅǃ
外箱
Փ⫼㉬ড়ᏺDŽ
ᷛㅒ II-A
ᷛㅒ II-B
*1: 对于零件编号后缀为 “E1”的产品，防潮袋和内箱上会显示 “ G
Pb
”标记。
*2: 外箱的尺寸可能会根据内箱的数量而各不相同。
*3: 外箱中的空隙将用空内箱或衬垫等填充。
*4: 请参考附件表了解有关指示标签的信息。
注意 : 产品通过分销商交付时可能不适用本包装规范。
32
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
2.5 产品标签说明
标签 I：内箱 / 防潮袋上的标签 / （贴在卷带的卷筒上）
[C-3 标签 （50 毫米 × 100 毫米）补充标签 （20 毫米 × 100 毫米） ]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
C-3 标签
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
点断线
补充标签
标签 II-A：外箱上的标签 [D 标签 ] （100 毫米 × 100 毫米）
D 标签
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(Part number + Product quantity bar code)
(FJ control number bar code)
标签 II-B：外箱产品说明
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
注意 : 根据发货地的不同，可能不会印刷外箱上的 “标签 II-A” 和 “标签 II-B”。
DS501-00014-5v0-Z
33
MB85RS16
2.6 包装箱尺寸
(1) 内箱尺寸
催
ᆑ
䭓
胶带宽度
长
宽
高
40
12、 16
24、 32
44
365
50
345
65
56
75
（尺寸单位为毫米）
(2) 外箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
415
400
315
（尺寸单位为毫米）
34
DS501-00014-5v0-Z
MB85RS16
备忘
DS501-00014-5v0-Z
35
MB85RS16
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
Tel: +81-45-415-5858
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
联系我们 :
North and South America
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.
1250 E. Arques Avenue, M/S 333
Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.
Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999
http://us.fujitsu.com/micro/
Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
151 Lorong Chuan,
#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
Tel : +65-6281-0770 Fax : +65-6281-0220
http://sg.fujitsu.com/semiconductor/
Europe
FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH
Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany
Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122
http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District,
Shanghai 201204, China
Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660
http://cn.fujitsu.com/fss/
Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207
http://cn.fujitsu.com/fsp/
版权所有。
本公司及其子公司与关系企业 ( 下称富士通半导体 ) 保有修改本手册记载内容的权利，恕不另行通知。请贵用户于订购
产品前咨询富士通半导体的销售代表。
本手册记载的信息，诸如功能概要和应用电路示例，仅仅提供给贵用户作为对于富士通半导体器件的使用方法和操作示
例的参考之用 ; 富士通半导体对于本手册所记载的各种信息，包括但不限于产品品质、正确性、功能表现、操作的适当
性或产品是否侵权等，皆不提供任何明示或暗示的保证，亦不负责任何损害赔偿的责任。若贵用户基于本手册记载的信
息，将富士通半导体器件导入或安装于贵用户自行开发的产品或装置内，贵用户应承担所有风险，并就此使用所衍生的
一切损害自行负责。富士通半导体对本手册所载信息、亦或贵客户使用本手册所导致的任何损害概不负责。
本手册内的任何信息，不应视为授与或转让富士通半导体所拥有或自第三方授权而来的专利权、着作权或其他类型之知
识产权，贵用户对上述权利不享有任何产权和利益。就本手册所载信息、或就贵用户因使用该信息而产生或衍生侵害第
三方的知识产权或其他权利的损害赔偿或责任，富士通半导体概不负责。
本手册介绍的产品旨在为一般用途而设计、开发和制造，包括一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和家庭使用 ;
而非用于以下领域的设计、开发和制造 : (1) 伴随着致命风险或危险的使用，若不加以极高程度的安全保障，有可能直
接造成死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失的使用 ( 包括但不限于核能设备、航空飞行控制、空中交通控制、公
共交通控制、医用维系生命系统、或军事用途的使用 )，以及 (2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 包括但不限于海底中转器
和人造卫星 )。就贵用户或任何第三方使用产品于上述限制领域内而引起的或衍生的任何损害赔偿或责任，富士通半导体
概不负责。
任何半导体器件存在一定的故障可能性。贵用户应确保对产品、设备和设施采取诸如冗余设计、消防设计、过流防护，其
他异常操作防护措施等安全设计，保证即使在半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、或财产损失。
本手册内记载的任何关于产品或技术之资讯，应受日本外汇及外贸管理法或美国及其他国家的进出口管理法或管理条例
之管制。贵用户应确保将本手册所载产品及技术资讯办理出口或再出口时，应符合上述一切相关法令。
本手册内记载的所有公司名称、品牌名称和商标名称是各个公司所有之产权。
编辑 : 销售促进部