MB85RS256B

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00021-4v0-J
メモリ FRAM
256 K (32 K×8) ビット SPI
MB85RS256B
■ 概　要
MB85RS256B は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 32,768
ワード ×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RS256B は , シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。
MB85RS256B は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RS256B に採用しているメモリセルは 1012 回の書込み / 読出し動作が可能で , フラッシュメモリや E2PROM の書換
え可能回数を大きく上回ります。
MB85RS256B はフラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は必要とせず , 書込みの待ち時間はゼロです。
したがって , 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
■ 特　長
・ ビット構成
：32,768 ワード ×8 ビット
・ シリアルペリフェラルインタフェース ：SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) に対応
・ 動作周波数
：READ を除くすべてのコマンド 33 MHz (Max)
READ コマンド
25 MHz (Max)
12
・ 書込み / 読出し耐性
：10 回 / バイト
・ データ保持特性
：10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
・ 動作電源電圧
：2.7 V ～ 3.6 V
・ 低消費電力
：動作電源電流 6 mA(Typ@33 MHz)
スタンバイ電流 9 μA(Typ)
・ 動作周囲温度
：－ 40 °C ～＋ 85 °C
・ パッケージ
：プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。
Copyright 2012-2015 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2015.6
MB85RS256B
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
CS
1
8
VDD
SO
2
7
HOLD
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
(FPT-8P-M02)
■ 端子機能説明
端子番号
1
3
2
端子名
機能説明
CS
チップセレクト端子
チップを選択状態にするための入力端子です。CS が “H” レベルのとき , チップは非選択 ( ス
タンバイ ) 状態となり , SO は High-Z になります。このとき , 他の端子の入力は無視されます。
CS が “L” レベルのとき , チップは選択 ( アクティブ ) 状態となります。オペコード入力前に CS を
立ち下げる必要があります。
WP
ライトプロテクト端子
ステータスレジスタへの書込みを制御する端子です。WP と WPEN (「■ ステータスレジス
タ」参照 ) とが関連して , ステータスレジスタの書込みをプロテクトします。詳細な説明は ,
「■ 書込みプロテクト」を参照してください。
7
HOLD
ホールド端子
チップを非選択状態にせずにシリアル入出力を休止するときに使用します。HOLD が “L” レ
ベルのとき , ホールド動作となり , SO は High-Z に , SCK, SI は don’t care になります。ホール
ド動作中は CS を “L” レベルに保たなければなりません。
6
SCK
シリアルクロック端子
シリアルデータの入出力のためのクロック入力端子です。SI は SCK の立上りエッジに同期し
て取り込まれ , SO は SCK の立下りエッジに同期して出力されます。
5
SI
シリアルデータ入力端子
シリアルデータの入力端子です。オペコード , アドレス , 書込みデータを入力します。
2
SO
シリアルデータ出力端子
シリアルデータの出力端子です。FRAM メモリセルアレイの読出しデータ , ステータスレジス
タのデータが出力されます。スタンバイ時は High-Z です。
8
VDD
電源電圧端子
4
GND
グランド端子
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ ブロックダイヤグラム
コントロール回路
CS
SCK
HOLD
ローデコーダ
シリアル・パラレル・コンバータ
アドレスカウンタ
SI
FRAM アレイ
32,768×8
FRAM
ステータスレジスタ
コラムデコーダ / センスアンプ /
ライトアンプ
WP
データレジスタ
SO
パラレル・シリアル・コンバータ
■ SPI モード
MB85RS256B は SPI モード 0 (CPOL ＝ 0, CPHA ＝ 0) と SPI モード 3 (CPOL ＝ 1, CPHA ＝ 1) に対応します。
CS
SCK
SI
7
6
5
MSB
4
3
2
1
0
LSB
SPI モード 0
CS
SCK
SI
7
MSB
DS501-00021-4v0-J
6
5
4
SPI モード 3
3
2
1
0
LSB
3
MB85RS256B
■ シリアルペリフェラルインタフェース (SPI)
MB85RS256B は SPI のスレーブとして動作します。SPI ポートを備えたマイクロコントローラを用いて複数のチップを
接続することができます。また , SPI ポートを備えていないマイクロコントローラでは SI と SO をバス接続して使用する
こともできます。
SCK
MOSI
MISO
SO
SPI マイクロ
コントローラ
SI
SO
SCK
MB85RS256B
CS
SI
SCK
MB85RS256B
CS
HOLD
HOLD
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
MOSI ：マスタアウトスレーブイン
MISO ：マスタインスレーブアウト
SS ：スレーブセレクト
SPI ポートがある場合のシステム構成図
マイクロ
コントローラ
SO
SI
SCK
MB85RS256B
CS
HOLD
SPI ポートがない場合のシステム構成図
4
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ ステータスレジスタ
ビット番号
7
ビット名
説明
WPEN
ステータスレジスタライトプロテクト
不揮発性メモリ (FRAM) からなるビットです。WPEN は WP 入力と関連し
てステータスレジスタの書込みをプロテクトします (「■ 書込みプロテク
ト」を参照 ) 。WRSR コマンドによる書込み , RDSR コマンドによる読出し
が可能です。
6～4
⎯
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
未使用
不揮発性メモリからなるビットで WRSR コマンドによる書込みが可能で
す。出荷時は “000” が書き込まれています。これらのビットは使用しませ
んが RDSR コマンドで読み出されます。
ブロックプロテクト
不揮発性メモリからなるビットです。WRITE コマンドにおける書込みプロ
テクトのブロックサイズを定義します (「■ ブロックプロテクト」を参照 ) 。
WRSR コマンドによる書込み , RDSR コマンドによる読出しが可能です。
ライトイネーブルラッチ
FRAM アレイおよびステータスレジスタが書込み可能であることを示しま
す。WREN コマンドでセット , WRDI コマンドでリセットします。RDSR コ
マンドで読出しが可能ですが WRSR コマンドで書き込むことはできませ
ん。WEL は以下の動作の後リセットされます。
電源立上げ後
WRDI コマンド認識後
WRSR コマンド認識後の CS の立ち上り時
WRITE コマンド認識後の CS の立ち上り時
“0” 固定です。
■ オペコード
MB85RS256B はオペコードで指定される 8 種のコマンドを受け付けます。オペコードは下表に示す 8 ビットからなる
コードです。これ以外の無効なコードは入力しないでください。オペコード入力中に CS を立ち上げるとコマンドは実行さ
れません。
コード名
機能
オペコード
WREN
セットライトイネーブルラッチ
0000 0110B
WRDI
リセットライトイネーブルラッチ
0000 0100B
RDSR
リードステータスレジスタ
0000 0101B
WRSR
ライトステータスレジスタ
0000 0001B
READ
リードメモリコード
0000 0011B
WRITE
ライトメモリコード
0000 0010B
リードデバイス ID
1001 1111B
ファストリードメモリコード
0000 1011B
RDID
FSTRD
DS501-00021-4v0-J
5
MB85RS256B
■ コマンド
・WREN
WREN コマンドは WEL ( ライトイネーブルラッチ ) をセットします。書込み動作 (WRSR コマンドと WRITE コマンド )
を行う前には WREN コマンドで WEL をセットする必要があります。WREN コマンドは , 33 MHz までの動作に対応して
います。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
Invalid
0
0
0
0
0
1
1
Invalid
0
High-Z
SO
・WRDI
WRDI コマンドは WEL ( ライトイネーブルラッチ ) をリセットします。
WEL がリセットされると書込み動作 (WRITE コ
マンドと WRSR コマンド ) が実行されなくなります。WRDI コマンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
SO
6
Invalid
0
0
0
0
0
1
0
0
Invalid
High-Z
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
・RDSR
RDSR コマンドはステータスレジスタのデータを読み出します。SI に RDSR のオペコードを入力後 , SCK に 8 サイクル
のクロックを入力します。このとき , SI の値は無効です。SO は SCK の立下りエッジに同期して出力されます。RDSR コマ
ンドでは CS の立上げ前に SCK を送り続けることでステータスレジスタを繰り返し読み出すことも可能です。RDSR コマ
ンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
0
Invalid
1
Data Out
High-Z
SO
Invalid
MSB
LSB
・WRSR
WRSR コマンドはステータスレジスタの不揮発性メモリビットにデータを書き込みます。
SI 端子に WRSR のオペコード
の後 , 8 ビットの書込みデータを入力します。WEL ( ライトイネーブルラッチ ) は WRSR コマンドでは書込みできません。
ビット 1 に対応する SI の値は無視されます。ステータスレジスタのビット 0 は “0” 固定であり書込みできません。ビット
0 に対応する SI の値は無視されます。WP 端子は , WRSR コマンドの発行前までに必ず値を確定し , コマンドシーケンス終
了まで変更しないでください。WRSR コマンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
Data In
Instruction
SI
0
0
SO
DS501-00021-4v0-J
0
0
0
0
0
1
7
MSB
High-Z
6
5
4
3
2
1
0
LSB
7
MB85RS256B
・READ
READ コマンドは FRAM メモリセルアレイのデータを読み出します。SI に READ のオペコードと任意の 16 ビットのア
ドレスを入力します。アドレスの最上位 1 ビットは無効です。その後 , SCK に 8 サイクルのクロックを入力します。
SO は
SCK の立下りエッジに同期して出力されます。この読出し中 , SI の値は無効です。CS を立ち上げると READ コマンドは終
了しますが , CS 立上げ前に引き続き SCK に 8 サイクルずつクロックを送り続けることで , アドレスを自動インクリメン
トして読出しを続けることが可能です。最上位アドレスに達するとロールオーバして 0 番地に戻り , 読出しサイクルは際
限なく続けられます。READ コマンドは , 25 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
オペコード
SI
SO
16 ビットアドレス
0 0 0 0 0 0 1 1 X 14 13 12 11 10
MSB
High-Z
5
4
3
2
1
Invalid
0
LSB MSB
7
6
LSB
Data Out
5
4
3
2
1
0
Invalid
・WRITE
WRITE コマンドは FRAM メモリセルアレイにデータを書き込みます。SI に WRITE のオペコードと任意の 16 ビットの
アドレスおよび 8 ビットの書込みデータを入力します。アドレスの最上位 1 ビットは無効です。8 ビットの書込みデータを
入力した時点で FRAM メモリセルアレイにデータを書き込みます。CS を立ち上げると WRITE コマンドは終了しますが ,
CS立上げ前に引き続き書込みデータを8 ビットずつ送り続けることで, アドレスを自動インクリメントして書込みを続け
ることが可能です。最上位アドレスに達するとロールオーバして 0 番地に戻り , 書込みサイクルは際限なく続けられます。
WRITE コマンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
SI
SO
8
16 ビットアドレス
オペコード
0 0 0 0 0 0 1 0 X 14 13 12 11 10
5 4 3
MSB
High-Z
Data In
2
1
0
7
6
LSB MSB
5
4
3
2
1
0
LSB
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
・FSTRD
FSTRD コマンドは FRAM メモリセルアレイのデータを読み出します。SI に FSTRD のオペコードと任意の 16 ビットの
アドレスに続いてダミー8 ビットを入力します。アドレスの最上位ビットは無効です。その後 , SCK に 8 サイクルのクロッ
クを入力します。SO は SCK の立下りエッジに同期して出力されます。この読出し中 , SI の値は無効です。CS を立ち上げる
と FSTRD コマンドは終了します。CS 立上げ前に 8 サイクルずつのクロックを SCK に送り続けることで , アドレスを自動
インクリメントして読出しを続けることが可能です。最上位アドレスに達するとロールオーバして 0 番地に戻り ,
読出しサイクルは際限なく続けられます。
FSTRD コマンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
CS
0
1
2
3 4
5
6
7
8
21 22 23 24 25
9 10 11
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
オペコード
SI
0
8 ビットダミー
16 ビットアドレス
0 0 0 1 0
1 X 14 13 12
MSB
1
2
High-Z
Invalid
X X
1 0 X X
LSB
MSB
7 6
SO
5
Data Out
4 3 2 1
LSB
0
Invalid
・RDID
RDID コマンドは , 固定のデバイス ID を読み出します。SI 端子に RDID のオペコードを入力後 , SCK に 32 サイクルのク
ロックを入力します。このとき, SIの値は無効です。SOはSCKの立下りエッジに同期して出力されます。出力はManufacturer
ID (8bit) / Continuation code (8bit) / Product ID (1st Byte) / Product ID (2nd Byte) の順に出力されます。RDID コマンドでは ,32
RDID コマンドは , 33 MHz まで
ビットのデバイス ID 出力後，SO は最終ビットの出力状態を CS の立上げまで保持します。
の動作に対応しています。
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
1
0
0
1
1
1
1
1
8
31 32 33 34 35 36 37 38 39
9 10 11
SCK
SI
Invalid
Data Out
SO
High-Z
Data Out
8
31 30 29 28
7
6
5
4
3
2
MSB
1
0
LSB
bit
Manufacturer ID
Continuation code
7
6
5
4
3
2
1
0
Hex
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
1
0
1
04H
7FH
Proprietary use
Product ID (1st Byte)
0
0
0
Density
0
0
1
Hex
0
1
Proprietary use
Product ID (2nd Byte)
DS501-00021-4v0-J
0
0
0
0
1
Fujitsu
05H
Density:00101B ＝ 256Kbit
Hex
0
0
1
09H
9
MB85RS256B
■ ブロックプロテクト
ステータスレジスタの BP1, BP0 の値により WRITE コマンドでの書込みプロテクトブロックを設定できます。
プロテクトブロック
BP1
BP0
0
0
なし
0
1
6000H ～ 7FFFH ( 上位 1/4)
1
0
4000H ～ 7FFFH ( 上位 1/2)
1
1
0000H ～ 7FFFH ( すべて )
■ 書込みプロテクト
WEL, WPEN, WP の値により WRITE コマンドおよび WRSR コマンドの書込み動作がプロテクトされます。
WEL
WPEN
WP
プロテクトブロック
アンプロテクトブロック
ステータスレジスタ
0
X
X
プロテクト
プロテクト
プロテクト
1
0
X
プロテクト
アンプロテクト
アンプロテクト
1
1
0
プロテクト
アンプロテクト
プロテクト
1
1
1
プロテクト
アンプロテクト
アンプロテクト
■ ホールド動作
CSを“L”レベルに保ったままHOLDを“L”レベルにすると, コマンドが中止されることなくホールド状態に保たれます。
ホールド状態の始まりと終わりのタイミングは , 下図に示すように HOLD 端子入力がホールド状態に遷移したとき , SCK
が “H” レベルか “L” レベルかで異なります。SCK が “L” レベルの時に HOLD 端子を “L” レベルにした場合は , SCK が “L”
レベルの時に HOLD 端子を “H” レベルに戻してください。同様に , SCK が “H” レベルの時に HOLD 端子を “L” レベルに
した場合は , SCK が “H” レベルの時に HOLD 端子を “H” レベルに戻してください。ホールド状態では任意のコマンドの動
作は中断され , SCK, SI 入力は don’t care となります。また読出しコマンド (RDSR, READ) において SO が High-Z になりま
す。ホールド状態において CS を立ち上げると , コマンド処理を終了します。ただし , コマンド認識前に終了した場合 , WEL
はホールド状態に遷移する前の値を保持します。
CS
SCK
HOLD
ホールド状態
10
ホールド状態
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧 *
VDD
－ 0.5
＋ 4.0
V
入力電圧 *
VIN
－ 0.5
VDD ＋ 0.5
V
出力電圧 *
VOUT
－ 0.5
VDD ＋ 0.5
V
TA
－ 40
＋ 85
°C
Tstg
－ 55
＋ 125
°C
動作周囲温度
保存温度
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
電源電圧 *1
動作周囲温度
*2
記号
規格値
単位
最小
標準
最大
VDD
2.7
3.3
3.6
V
TA
－ 40
⎯
＋ 85
°C
＊ 1：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＊ 2：本デバイスだけが動作している場合の動作周囲温度です。パッケージ表面の温度とほぼ同じと考えてください。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値は , すべて
この条件の範囲内で保証されます。
常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると ,
信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。
記載されて
いる以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
DS501-00021-4v0-J
11
MB85RS256B
■ 電気的特性
1. 直流特性
( 推奨動作条件において )
項目
記号
入力リーク電流 *1
出力リーク電流 *
2
|ILI|
|ILO|
動作電源電流
IDD
規格値
条件
単位
最小
標準
最大
VIN ＝ 0 V ～ VDD
⎯
⎯
10
μA
VOUT ＝ 0 V ～ VDD
⎯
⎯
10
μA
SCK ＝ 1 MHz
⎯
0.2
⎯
mA
SCK ＝ 10 MHz
⎯
1.55
⎯
mA
SCK ＝ 25 MHz
⎯
3.8
5
mA
SCK ＝ 33 MHz
⎯
5
6
mA
⎯
9
50
μA
VDD×0.8
⎯
VDD ＋ 0.5
V
－ 0.5
⎯
＋ 0.6
V
VDD×0.8
⎯
⎯
V
⎯
⎯
0.4
V
スタンバイ電流
ISB
全入力 VSS または
SCK ＝ SI ＝ CS ＝ VDD
“H” レベル入力電圧
VIH
VDD ＝ 2.7 V ～ 3.6 V
“L” レベル入力電圧
VIL
VDD ＝ 2.7 V ～ 3.6 V
“H” レベル出力電圧
VOH
IOH ＝－ 2 mA
“L” レベル出力電圧
VOL
IOL ＝ 2 mA
＊ 1：該当端子：CS, WP, HOLD, SCK, SI
＊ 2：該当端子：SO
2. 交流特性
規格値
項目
記号
25 MHz までの動作速度
33 MHz までの動作速度＊
単位
最小
最大
最小
最大
SCK クロック周波数
fCK
0
25
0
33
MHz
クロックハイ時間
tCH
20
⎯
15
⎯
ns
クロックロー時間
tCL
20
⎯
15
⎯
ns
チップセレクトセットアップ時間
tCSU
10
⎯
10
⎯
ns
チップセレクトホールド時間
tCSH
10
⎯
10
⎯
ns
出力ディセーブル時間
tOD
⎯
20
⎯
20
ns
出力データ確定時間
tODV
⎯
18
⎯
13
ns
出力ホールド時間
tOH
0
⎯
0
⎯
ns
非選択時間
tD
60
⎯
40
⎯
ns
データ立上り時間
tR
⎯
50
-
50
ns
データ立下り時間
tF
⎯
50
-
50
ns
データセットアップ時間
tSU
5
⎯
5
⎯
ns
データホールド時間
tH
5
⎯
5
⎯
ns
HOLD セットアップ時間
tHS
10
⎯
10
⎯
ns
HOLD ホールド時間
tHH
10
⎯
10
⎯
ns
HOLD 出力フローティング時間
tHZ
⎯
20
⎯
20
ns
HOLD 出力アクティブ時間
tLZ
⎯
20
⎯
20
ns
＊：READ を除くすべてのコマンドは , 33 MHz までの動作に対応しています。
READ コマンドは , 25 MHz までの動作に対応しています。
12
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
交流特性測定条件
電源電圧
動作周囲温度
入力電圧振幅
入力立上り時間
入力立下り時間
入力判定レベル
出力判定レベル
：2.7 V ～ 3.6 V
：－ 40 °C ～＋ 85 °C
：0.3 V ～ 2.7 V
：5 ns
：5 ns
：VDD/2
：VDD/2
交流負荷等価回路
3.3 V
1.2 k
Output
0.95 k
30 pF
3. 端子容量
項目
記号
条件
出力容量
CO
入力容量
CI
VDD ＝ VIN ＝ VOUT ＝ 0 V,
f ＝ 1 MHz, TA ＝＋ 25 °C
DS501-00021-4v0-J
規格値
単位
最小
最大
⎯
10
pF
⎯
10
pF
13
MB85RS256B
■ タイミングダイヤグラム
・シリアルデータタイミング
tD
CS
tCSH
tCSU
tCH
tCL
tCH
SCK
tSU
tH
Valid in
SI
tODV
SO
tOH
tOD
High-Z
High-Z
: H or L
・ホールドタイミング
CS
SCK
tHS
tHH
tHS
tHS
tHH
tHS
tHH
tHH
HOLD
High-Z
SO
tHZ
14
tLZ
High-Z
tHZ
tLZ
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ 電源投入・切断シーケンス
VDD が 2 V を切った後に電源の再立ち上げを行う場合は , 誤動作を回避するために VDD を一度 1 V 以下まで下げる必要
があります ( 下図参照 )。
tr
tpd
tpu
VDD
VDD
3.0 V
3.0 V
VIH (Min)
VIH (Min)
1.0 V
1.0 V
VIL (Max)
VIL (Max)
GND
GND
CS >VDD × 0.8 *
CS
CS >VDD × 0.8 *
CS : don't care
CS
＊：CS (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
項目
規格値
記号
最小
最大
単位
電源 OFF 時の CS レベル保持時間
tpd
200
⎯
ns
電源 ON 時の CS レベル保持時間
tpu
85
⎯
ns
tr
0.05
200
ms
電源の立上げ時間
規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合 , 記憶
データの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
最小
書込み / 読出し耐性 *
1
データ保持特性 *
2
最大
10
⎯
10
⎯
95
⎯
≧ 200
⎯
12
単位
パラメータ
回 / バイト 動作周囲温度
TA ＝＋ 85 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 °C
年
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 35 °C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2：データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
■ 使用上の注意
リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込まれたデータは保証できません。
DS501-00021-4v0-J
15
MB85RS256B
■ ESD・ラッチアップ
試験項目
規格値
DUT
ESD HBM( 人体帯電モデル )
JESD22-A114 準拠
＋ 2000 V 以上
－ 2000 V 以下
ESD MM( マシンモデル )
JESD22-A115 準拠
＋ 200 V 以上
－ 200 V 以下
ESD CDM( デバイス帯電モデル )
JESD22-C101 準拠
⎯
ラッチアップ ( パルス電流注入法 )
JESD78 準拠
MB85RS256BPNF-G-JNE1
⎯
ラッチアップ ( 電源過電圧法 )
JESD78 準拠
⎯
ラッチアップ ( 電流法 )
Proprietary method
⎯
ラッチアップ (C-V 法 )
Proprietary method
＋ 200 V 以上
－ 200 V 以下
・ ラッチアップ ( 電流法 )
保護抵抗
A
供試端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
( 最大定格 )
V
基準端子
( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出す )。
IIN ＝ ±300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。
ただし , I/O に特別な規格があり IIN を 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ
ルをあげます。
16
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
・ ラッチアップ (C-V 法 )
保護抵抗
A
1
2 供試端子
SW
+
VIN
V
-
VDD
DUT
C
200pF
VDD
( 最大定格 )
VSS
基準端子
( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ～ 2 に交互に切り換え , 電圧を印加します。
これを 1 回とし , 5 回行います。
ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。
■ リフロー条件および保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 含有規制化学物質対応
本製品は , REACH 規則 , EU RoHS 指令および中国 RoHS に準拠しております。
DS501-00021-4v0-J
17
MB85RS256B
■ オーダ型格
型格
パッケージ
出荷形態
最小出荷単位
MB85RS256BPNF-G-JNE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
チューブ
⎯*
MB85RS256BPNF-G-JNERE1
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
エンボステーピング
1500
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
18
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ パッケージ・外形寸法図
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 8 ࡇࡦ
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
3.9mm ˜ 5.05mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
1.75mm MAX
⾰㊂
0.06g
(FPT-8P-M02)
ࡇࡦ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮
㧔FPT-8P-M02㧕
+0.25
ᵈ 1㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 2㧕* ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ 3㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 4㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
DS501-00021-4v0-J
න૏㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
19
MB85RS256B
■ 捺印図
[MB85RS256BPNF-G-JNE1]
[MB85RS256BPNF-G-JNERE1]
RS256B
E11150
300
[FPT-8P-M02]
20
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
■ 包装
1. チューブ
1.1 チューブ寸法図
・ チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリエチレンテレフタレート
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 520 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
SOP, 8 プラスチック (2)
FPT-8P-M02
最大収納個数
個 / チューブ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
95
7600
30400
1.8
2.6
7.4
6.4
4.4
C
©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1
F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3
t ＝ 0.5
透明ポリエチレンテレフタレート
( 単位：mm)
DS501-00021-4v0-J
21
MB85RS256B
1.2 チューブ防湿包装仕様書
IC
チューブ
ストッパ
SOP 用
Index mark
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1 ＊ *3
アルミラミネート袋
防湿
袋詰め
乾燥剤
湿度インジケータ
熱シール
アルミラミネート袋 ( チューブ入 )
内装箱
気泡クッション
内装箱
表示Ⅰ＊ 1 ＊ 3
気泡クッション
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 3
表示Ⅱ -B ＊ 3
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 3：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
22
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
1.3 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
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‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
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ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
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‫ޓޓޓ‬:::::::
㧔▫ᢙ㧕‫ޓޓޓ‬㧔ᢙ㊂㧕
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‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
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( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
DS501-00021-4v0-J
23
MB85RS256B
1.4 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
540
125
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
565
270
180
( 単位：mm)
24
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
2. エンボステープ
2.1 テープ寸法図
パッケージコード
リール No
FPT-8P-M02
3
最大収納個数
個 / リール
個 / 内装箱
個 / 外装箱
1500
1500
10500
ø1.5 +0.1
–0
8±0.1
1.75±0.1
2±0.05
4±0.1
B
0.3±0.05
A
B
A
5.5±0.1
12 +0.3
–0.1
5.5±0.05
ø1.5 +0.1
–0
SEC.B-B
2.1±0.1
6.4±0.1
0.4
3.9±0.2
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1
単位：mm
材質：導電性ポリスチレン
耐熱温度：耐熱性ではありません。
テープ，リールでのベーキング処理はできません。
DS501-00021-4v0-J
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MB85RS256B
2.2 IC の方向
Index mark
・ER タイプ
( 引出側 )
( リール側 )
( 引出側 )
2.3 リールの寸法
࡝࡯࡞ⓣኸᴺ
E
D
W2
C
B
A
W1
12
13
14
15
56
12
16
24
r
W3
㧦ࡂࡉㇱߩ᏷ኸᴺ
単位：mm
リール No
テープ幅
記号
A
1
2
8
254
±2
3
4
12
254
±2
5
6
7
16
330
±2
254
±2
330
±2
254
±2
10
11
32
44
330
±2
330±2
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100±2
C
13±0.2
13 +0.5
-0.2
D
21±0.8
20.5 +1
-0.2
E
2±0.5
W1
8.4 +2
-0
W2
W3
r
26
9
24
100 +2
-0
B
8
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
56.4 +2
-0
12.4 +1
-0
14.4
以下
18.4 以下
22.4 以下
30.4 以下
38.4 以下
7.9 ～
10.9
11.9 ～ 15.4
15.9 ～ 19.4
23.9 ～ 27.4
31.9 ～ 35.4
+0.1
16.4 +1
-0 24.4 -0
50.4 以下
62.4
以下
18.4
以下
22.4
以下
30.4
以下
43.9 ～ 47.4
55.9 ～
59.4
12.4 ～
14.4
16.4 ～
18.4
24.4 ～
26.4
1.0
DS501-00021-4v0-J
MB85RS256B
2.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書
外径：φ330 mm リール
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
エンボス
テーピング
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
乾燥剤
湿度インジケータ
防湿
袋詰め
アルミラミネート袋
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
熱シール
内装箱
内装箱
表示Ⅰ＊ 1, ＊ 4
テープ止め
外装箱 ( 段ボール ) ＊ 2, ＊ 3
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A ＊ 4
表示Ⅱ -B ＊ 4
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00021-4v0-J
27
MB85RS256B
2.5 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
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0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
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C-3 ラベル
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൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
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൮ⵝㅊ⇟
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::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
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ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
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౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
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ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
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‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮୘ᢙ
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0:::::::::::::::::
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0:::::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
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表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
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2.6 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
テープ幅
L
W
12, 16
H
40
24, 32
365
44
345
56
50
65
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
415
400
315
( 単位：mm)
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■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の | によって示しています。
ページ
11
場所
動作周囲温度に注記を追加。
“H” レベル入力電圧及び “L” レベル入力電圧の項目を直流特性に移動。
1. 直流特性
周波数毎の動作電源電流 (typ 値 ) を追加。
12
30
変更箇所
■推奨動作条件
“H” レベル入力電圧及び “L” レベル入力電圧の項目を推奨動作条件から移
動。
17
■含有規制化学物質対応
リンク先情報削除
19
■ パッケージ・外形寸法図
リンク先情報削除
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MEMO
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富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-100-45 新横浜中央ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
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携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※ 電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
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本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を
保証するものではありません。したがって , お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は , お客様の責任において行ってください。これらの
使用に起因する損害などについては , 当社はその責任を負いません。
本資料は , 本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその
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本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における
核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発
射制御など）, または極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。し
たがって , これらの用途へのご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損
害などについては , 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は , 当社半導体
デバイスに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長
設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制
をご確認の上 , 必要な手続きをおとりください。
本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集　システムメモリ事業部