桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4953 Dual P-channel 30V, SOP-8 MOSFET 雙 PP-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力 Super high density cell design 超高元胞密度設計 -30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=-10V -30V/-3.6A,RDS(ON)=95mΩ@VGS=-4.5V ▉Applications 應用 Power Management in Note book 筆記本電源管理 Power Management in cellular phone 手机電源管理 Battery Powered System 電池電源系統 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -30 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +20 V ID（at TC = 25°C） -4.9 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM -30 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) 2.0 W Thermal Resistance Junction-Case 熱阻 RΘJC 30 ℃/W Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 63 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ Drain Current (continuous)漏極電流-連續 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4953 ▉Electerical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V) BVDSS -30 — — V VGS(th) -1 -1.5 -3 V IDSS — — -1 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — 43 70 53 95 mΩ ISD — — -1.7 A VSD — — -1.2 V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -30V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=-4.9A,VGS=-10V) (ID=-3.6A,VGS=-4.5V) Source Drain Current 源極-漏極電流 Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=-1.7A,VGS=0V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) CISS — 860 — pF COSS — 457 — pF Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容 (VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) CRSS — 140 — pF Qgs — 5 — nC Qgd — 2 — nC td(on) — 8 — ns tr — 12 — ns td(off) — 23 — ns tf — 14 — ns Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=-15V, ID=-4.9A, VGS=-10V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=-15V, ID=-4.9A, VGS=-10V) Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=-15V, ID=-1A, RGEN=6Ω,VGS=-10V) Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=-15V, ID=-1A, RGEN=6Ω,VGS=-10V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=-15V, ID=-1A, RGEN=6Ω,VGS=-10V) Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=-15V, ID=-1A, RGEN=6Ω,VGS=-10V) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4953 ■DIMENSION 外形封裝尺寸