桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM7002
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BVDSS
60
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
VGS
+20
V
Drain Current -continuous
漏極電流-連續
I DR
115
mA
Drain Current-pulsed
漏極電流-脉冲
I DRM
800
mA
■THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic 特性
Total Device Dissipation 總耗散功率
T A =25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
PD
225
mW
1.8
mW/℃
417
℃/W
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
R ΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ , Tstg
150℃,-55to+150℃
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GM7002
■DEVICE
MARKING 打標
7002
=7002
GM
GM7002
7002=
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Volta ge
漏極-源極擊穿電壓(I D =250uA,VGS =0V)
BVDSS
60
—
—
V
VGS(th)
1.0
—
2.5
V
VDS(ON)
—
—
0.375
3.75
V
VSD
—
—
1.5
V
IDSS
—
—
1
500
uA
IGSS
—
—
+100
nA
R DS(ON)
—
—
7.5
7.5
Ω
CISS
—
—
50
pF
COSS
—
—
25
pF
t (on)
—
—
20
ns
t(off)
—
—
40
ns
t rr
—
400
—
ns
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I D =250uA,VGS = VDS )
Drain-Source On Voltage
漏極-源極導通電壓(I D=50mA,VGS=5V)
(I D =500mA,VGS=10V)
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I SD=200mA,VGS=0V)
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V GS=0V, VDS = BVDSS)
(V GS=0V, VDS =0.8BVDSS, T A =125℃)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V GS=+20V, VDS =0V)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I D=50mA,VGS=5V)
(I D=500mA,VGS=10V)
Input Capacitance 輸入電容
(V GS=0V, VDS =25V,f=1MHz)
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(V GS=0V, VDS=25V,f=1MHz)
Turn-ON Time 开启時間
(V DS=30V, ID =200mA, RGEN =25Ω)
Turn-OFF Time 关断時間
(V DS=30V, ID =200mA, RGEN =25Ω)
Reverse Recovery Time 反向恢复時間
(I SD=800mA, VGS =0V)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300μs; Duty Cycle <2.0%.
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■DIMENSION
外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm