桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM9018(销售型號 S9018)
■FEATURES
特點
NPN High Frequency Transistor
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Emitter Voltage
集電極發射極電壓
VCEO
20
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極基極電壓
VCBO
30
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極基極電壓
VEBO
5.0
Vdc
Ic
50
mAdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃
Derate above25℃超過 25℃遞減
Symbol
符號
PD
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
Max
最大值
Unit 單位
225
mW
1.8
mW/℃
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
-55to+150℃
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM9018(销售型號 S9018)
■DEVICE
MARKING 打標
GM9018(S9018)=J8
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(VEB=3.0v,IC=0)
IEBO
—
—
0.5
μA
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(VCB=20v,IE=0)
ICBO
—
—
0.5
μA
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓(Ic=100uA)
V(BR)CBO
30
—
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA)
V(BR)CEO
20
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(IE=100uA)
V(BR)EBO
4
—
—
V
Collector Saturation Voltage
集電極飽和壓降(Ic=10mAdc,IB=1mA)
VCE(sat)
—
—
0.6
V
Base Saturation Voltage
基極飽和壓降(Ic=10mAdc,IB=1mA)
VBE(sat)
—
—
1.4
V
HFE
40
—
200
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積(VCE=5.0v,IC=10mA)
fT
600
800
1100
MHz
Noise Figure 噪声係數
(V CE=6V,Ic=0.1mA,f=1kHz,Rg=10kΩ)
NF
—
—
1.0
dB
Output Capacitance 輸出電容
(VCB=10v,IE=0,f=1.0MHz)
Cob
—
1.2
1.5
pF
DC Current Gain 直流電流增益
(VCE=5.0v,IC=1.0mA)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.