桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT4403(销售型號 MMBT4403) ■FEATURES 特點 PNP Switching Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -40 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -40 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Ic -600 mAdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 BT 4403(销售型號 MMBT4403)=2T GM GMBT BT4403 150℃, -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT4403(销售型號 MMBT4403) ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) ■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0) V(BR)CEO -40 — Vdc V(BR)CBO -40 __ Vdc V(BR)EBO -5.0 — Vdc IBEV — -0.1 uAdc ICEX — -0.1 uAdc Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓(Ic=-0.1mAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓(IE=-0.1mAdc,Ic=0) Base Cutoff Current 基極截止電流 (VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%. ■ ON CHARCTERISTICS 導通電特性 Characteristic 特性參數 DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=-0.1mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-1.0mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-10mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-150mAdc,VCE=-2.0Vdc)(3) (Ic=-500mAdc,VCE=-2.0Vdc)(3) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc) (Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 (Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc) (Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc) HFE VCE(sat) VBE(sat) — 30 60 100 100 20 — — — 300 — — — -0.4 -0.75 -0.75 — -0.95 -1.3 Vdc Vdc 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT4403(销售型號 MMBT4403) ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 (Ic=-20mAdc,VCE=-10Vdc,f=100MHz) fT 200 — MHz Collector-Base Capacitance 集電極基極電容 (VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Ccb — 8.5 pF Emitter-Base Capacitance 發射極基極電容 (VBE=-0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Ceb — 30 pF Intput Impedance 輸入阻抗 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz) hie 1.5 15 kQ Voltage Feedback Radio 電壓反饋係數 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz) hre 0.1 8.0 ×10 Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz) hfe 60 500 — Output Admittance 輸出導納 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10Vdc,f=1.0kHz) hoe 1.0 100 μmhos td — 15 -4 ■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性 Delay Time 延遲時間 Rise Time 上升時間 Storage Time 儲存時間 Fall Time 下降時間 (Vcc=-30Vdc,VEB=-2.0Vdc Ic=-150mAdc,IB1=-15mAdc) (Vcc=-30Vdc,Ic=-150mAdc, IB1=IB2=-15mAdc) ns tr — 20 ts — 225 ns tf — 30 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT4403(销售型號 MMBT4403) ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm