桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMC1623(销售型號 2SC1623)
■FEATURES
特點
NPN General Purpose Transistor
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
50
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
60
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
5.0
Vdc
Ic
100
mAdc
Collector Current—Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
PD
225
mW
1.8
mW/℃
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
-55to+150℃
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMC1623(销售型號 2SC1623)
■DEVICE
MARKING 打標
GMC1623(2SC1623)=L4-L7
HFE:90-180=L4; 135-270=L5; 200-400=L6; 300-600=L7
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Type
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(VEB=5.0v,IC=0)
IEBO
—
—
0.1
μA
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(VCB=60v,IE=0)
ICBO
—
—
0.1
μA
Collector to Emitter Saturation Voltage
集電極飽和壓降(Ic=100mAdc,IB=10mA)
VCE(sat)
—
0.15
0.3
Vdc
Base to Emitter Saturation Voltage
基極飽和壓降(Ic=100mAdc,IB=10mA)
VBE(sat)
—
—
1.0
Vdc
Base to Emitter Voltage
基極-發射極電壓(VCE=6.0v,IC=1.0mA)
VBE
0.55
0.62
0.65
Vdc
DC Current Gain 直流電流增益
(VCE=6.0v,IC=1.0mA)
HFE
90
200
600
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積(VCE=6.0v,IC=1.0mA)
fT
—
250
—
MHz
Output Capacitance
輸出電容(VCB=6v,IE=0,f=1.0MHz)
Cob
—
3.0
—
pF
■OFF CHARACTERISTICS
截止電特性
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.