SBL1530 - 吉林华微电子股份有限公司

肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
SBL1530
主要参数
MAIN
封装 Package
CHARACTERISTICS
IF(AV)
15A
VRRM
30 V
Tj
200 ℃
IFSM
280 A
EAS
20 mJ
VF(max)
0.45V (@Tj=125℃)
用途
APPLICATIONS
z Low voltage, high frequency
z 低压、高频整流
rectifier
z 低压续流电路和保护电
z Free wheeling diodes,polarity
路
protection applications
z 太阳能电池接线盒旁路
z solar cell junction box as a
二极管
bypass diode
产品特性
FEATURES
z 贴片结构
z 低功耗,高效率
z 良好的高温特性
z 有过压保护环,高可靠性
z 环保(RoHS)产品
z Patch type Rectifier
z Low power loss, high efficiency
z High Operating Junction
Temperature
z Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
z RoHS product
SMP
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Package
Halogen Free
Packaging
Device Weight
SBL1530G
SBL1530
SMP
否
NO
编带 Tape
0.091g(approx.)
SBL1530GR
SBL1530
SMP
是
YES
编带 Tape
0.091g(approx.)
版本(Rev.):201403B
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
1/5
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
符
目
Parameter
号
数
值
单
位
Symbol
Value
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
30
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
30
V
正向平均整流电流
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
15
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
280
A
TJ
-50~200
℃
TSTG
-50~+150
℃
工作结温
Operating junction temperature
储存温度
Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
IR
VF
测试条件
典型值
Tests conditions
最大值
Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
VR=VRRM
0.25
0.5
Tj =125℃
VR=VRRM
9
100
Tj =25℃
IF=7.5A
0.41
0.45
Tj =25℃
IF=15A
0.45
0.53
Tj =125℃
IF=7.5
0.34
0.39
Tj =125℃
IF=15A
0.41
0.45
单位
Unit
mA
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
版本(Rev.):201403B
号
Symbol
SMP
Rth(j-c)
最小值
最大值
单
位
Value(min)
Value(max)
Unit
4
℃/W
2/5
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
AP(w) vs IF(A)
版本(Rev.):201403B
IR vs VR
CJ vs VR
3/5
R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
SMP
单位 Unit :inches (millimeters)
版本(Rev.):201403B
4/5
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货时
请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
1.
Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please don’t
be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute maximum
ratings of the device when circuit designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
联系方式
CONTACT
吉林华微电子股份有限公司
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel:86-432-64678411
Fax:86-432-64665812
Web Site:www.hwdz.com.cn
邮编:132013
总机:86-432-64678411
传真:86-432-64665812
网址:www.hwdz.com.cn
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
Date
旧版本
新版本
Last Rev. New Rev.
版本(Rev.):201403B
修订内容 Description of Changes
5/5