NJG1146KG1 バイパス機能付 バイパス機能付き 機能付き広帯域 LNA GaAs MMIC I概要 NJG1146KG1 は、地上波放送での使用を主目的としたバ イパス機能付き広帯域低雑音増幅器(LNA)です。動作周波数 40~900MHz において、TV 放送受信に重視される低歪みを 実現しました。 ESD 保護素子を内蔵しており、高 ESD 耐圧を有します。 パッケージには小型･薄型の ESON6-G1 を採用しました。 I外形 NJG1146KG1 Iアプリケーション 地上波放送用途のデジタルテレビ、ケーブルテレビ及びセットトップボックスなど I特徴 ●動作周波数 ●電源電圧 ●パッケージ ◎High Gain モード ●動作電流 ●利得 ●雑音指数 ●2 次相互変調歪み ●3 次相互変調歪み ◎Low Gain モード ●消費電流 ●利得(低損失) 40MHz~900MHz 5.0V typ. ESON6-G1（Package size: 1.6mm x 1.6mm x 0.397mm typ.） 60mA typ. 12.0dB typ. 2.2dB typ. 52.0dB typ. 80.0dB typ. 30µA typ. -1.0dB typ. I端子配列 (Top View) 4 3 RFIN RFOUT2 5 GND 6 2 Bias circuit NC (GND) Logic circuit 1 端子配列 1. RFOUT1 2. NC(GND) 3. RFOUT2 4. RFIN 5. GND 6. VCTL RFOUT1 VCTL 1pin INDEX I真理値表 “H”=VCTL(H)“L”=VCTL(L) VCTL LNA 動作電流 バイパス回路 LNA 動作状態 H ON OFF High Gain モード L OFF ON Low Gain モード 注: 本資料に記載された内容は変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-04-17 -1- NJG1146KG1 I絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 6.0 V 切替電圧 VCTL 6.0 V 入力電力 PIN VDD=5.0V +10 dBm 消費電力 PD 4 層(101.5x114.5mm スルーホール有) FR4 基板実装時、Tj=150℃ 1200 mW 動作温度 Topr -40～+85 ℃ 保存温度 Tstg -55～+150 ℃ I電気的特性 1 (DC 特性) VDD=5.0V, Ta=+25°C, Z S=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 2.4 5.0 5.5 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.3 1.8 5.5 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0.0 0.0 0.5 V 電源電圧 記号 条件 動作電流 1 IDD1 RF OFF, VCTL=1.8V - 60 80 mA 動作電流 2 IDD2 RF OFF, VCTL=0V - 30 50 µA 切替電流 ICTL RF OFF, VCTL=1.8V - 6 12 µA -2- NJG1146KG1 I電気的特性 2 (High Gain モード) VDD=5.0V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 小信号電力利得 1 Gain1 基板, コネクタ損失除く※1 9.0 12.0 14.0 dB 雑音指数 1_1 NF1_1 freq=40~80MHz, 基板, コネクタ損失除く※2 - 2.5 4.0 dB 雑音指数 1_2 NF1_2 freq=80~900MHz, 基板, コネクタ損失除く※2 - 2.2 3.0 dB +0.0 +6.0 - dBm +16.0 +22.0 - dBm 42.0 52.0 - dB 55.0 80.0 - dB - -17.0 -13.0 dB 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 P-1dB(IN)1 入力 3 次インター セプトポイント 1 IIP3_1 2 次相互変調歪み 1 IM2_1 3 次相互変調歪み 1 IM3_1 アイソレーション 1 ISL1 RF IN ポート リターンロス 1 RLi1 7.0 10.0 - dB RF OUT ポート リターンロス 1 RLo1 7.0 10.0 - dB f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-12dBm f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, PIN1=P IN2=-15dBm ※3 f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, PIN1=P IN2=-15dBm ※3 S12 ※1 入出力側基板、コネクタ損失： 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz) ※2 入力側基板、コネクタ損失： 0.007dB(40MHz), 0.011dB(80MHz), 0.044dB(620MHz), 0.060dB(900MHz) ※3 IM2, IM3 の定義は下図を参照 Pout(dBm) Pout(dBm) IM2 IM3 700 600/650 700 frequency(MHz) frequency(MHz) 200 500 -3- NJG1146KG1 I電気的特性 3 (High Gain モード) VDD=5.0V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=75 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 記号 小信号電力利得 75 Gain75 複合 2 次歪み CSO 複合 3 次歪み CTB 条件 基板, コネクタ損失除く※1 74channels ※4, CW PIN=+15dBmV fmeas=295.25MHz, 74channels ※4, CW PIN=+15dBmV fmeas=295.25±1.25MHz, 74channels ※4, Modulation PIN=+15dBmV fmeas=295.25±15.75kHz, 最小 標準 最大 単位 - 12.0 - dB - -56 - dBc - -81 - dBc - -80 - dBc 混変調 XMOD RF IN ポート リターンロス 75 RLi75 - 15 - dB RF OUT ポート リターンロス 75 RLo75 - 15 - dB ※1 入出力側基板、コネクタ損失： 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz) ※4 入力周波数(74 波)： ch1~C63(91.25~463.25MHz)＆U13~U25(471.25~543.25MHz) ただし、ch7(189.25MHz) , C28(253.25MHz)については除く。 -4- NJG1146KG1 I電気的特性 4 (Low Gain モード) VDD=5.0V, VCTL=0V, freq=40~900MHz, Ta =+25°C, ZS=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain2 基板、コネクタ損失除く※1 -2.5 -1.0 - dB +10.0 +16.0 - dBm +25.0 +33.0 - dBm 40.0 60.0 - dB 48.0 70.0 - dB P-1dB(IN)2 入力 3 次インター セプトポイント 2 IIP3_2 2 次相互変調歪み 2 IM2_2 3 次相互変調歪み 2 IM3_2 f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-2dBm f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, PIN1=P IN2=0dBm ※3 f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, PIN1=P IN2=0dBm ※3 RF IN ポート リターンロス 2 RLi2 8.0 15.0 - dB RF OUT ポート リターンロス 2 RLo2 8.0 15.0 - dB ※1 入出力側基板、コネクタ損失： 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz) ※3 IM2, IM3 の定義は下図を参照 Pout(dBm) Pout(dBm) IM2 IM3 700 600/650 700 frequency(MHz) frequency(MHz) 200 500 -5- NJG1146KG1 I端子情報 番号 端子名 機能説明 1 RFOUT1 High Gain モードにおける RF 信号出力端子です。 この端子は LNA およびロジック回路の電源電圧供給端子も兼ねていま すので、外部回路図に示す L1 を介して電源電圧を供給して下さい。 2 NC(GND) この端子はチップ内部との接続がありません。 基板上で接地電位に接続して下さい。 3 RFOUT2 Low Gain モードにおける RF 信号出力端子です。 外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C2 を介して RFOUT1 端子と接続して下さい。 4 RFIN RF 信号入力端子です。 外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C1 を接続して下さい。 5 GND 接地端子(0V)です。 端子近傍で接地電位に接続して下さい。 6 VCTL 切替電圧供給端子です。 Exposed Pad GND IC 裏面の接地端子(0V)です。 基板実装図の様に、この端子直下にスルーホールを設けて下さい。 -6- NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain, IDD vs. Pin Pout vs. Pin (f=620MHz) (f=620MHz) 20 14 90 15 0 Gain (dB) Pout (dBm) 5 -5 -10 12 80 10 70 8 60 IDD 6 -15 IDD (mA) Gain 10 50 Pout -20 4 40 -25 P-1dB(IN)=+7.7dBm P-1dB(IN)=+7.7dBm -30 -40 -30 -20 -10 0 2 -40 10 -30 -20 30 10 0 Pin (dBm) Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin NF, Gain vs. Frequency (f1=620MHz, f2=620.1MHz) 40 OIP3=+36.1dBm 20 4 16 3.5 14 3 12 2.5 10 Pout -20 -40 IM3 8 2 NF Gain 1.5 6 1 4 Gain (dB) 0 NF (dB) Pout, IM3 (dBm) -10 -60 -80 -40 -30 -20 -10 0 10 20 2 0.5 IIP3=+24.3dBm (Exclude PCB, Connector Losses) 0 30 0 500 Pin (dBm) 1000 1500 Frequency (MHz) 0 2000 IIP3, OIP3 vs. Frequency P-1dB(IN) vs. Frequency (f1=Frequency, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm) 12 40 OIP3 11 35 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 10 9 8 P-1dB(IN) 7 30 25 IIP3 6 20 5 15 4 0 500 1000 Frequency (MHz) 1500 2000 0 500 1000 1500 2000 Frequency (MHz) -7- NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による -8- S11, S22 (f=10MHz~3GHz) S21, S12 (f=10MHz~3GHz) VSWR (f=10MHz~3GHz) Zin, Zout (f=10MHz~3GHz) NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による S11, S22 (f=50MHz~20GHz) S21, S12 (f=50MHz~20GHz) K-factor vs. Frequency 5 40 4 30 3 K-factor K-factor K-factor vs. Frequency 50 20 2 10 1 0 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) 15000 20000 0 5000 10000 15000 20000 Frequency (MHz) -9- NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain vs. VDD IDD vs. VDD (RF OFF) 80 (f=620MHz) 16 70 14 60 12 Gain Gain (dB) IDD (mA) 50 IDD 40 30 10 8 6 4 20 2 10 0 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 2 6 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 5 5.5 6 VDD (V) VDD (V) RLi, RLo vs. V DD NF vs. VDD 4 (f=620MHz) 20 3.5 3 15 NF (dB) RLi, RLo (dB) NF(at 40MHz) 2.5 2 NF(at 620MHz) 1.5 1 RLo 10 RLi 5 0.5 0 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 2 3 3.5 4 4.5 VDD (V) VDD (V) P-1dB(IN) vs. VDD IIP3, OIP3 vs. VDD (f=620MHz) 10 2.5 (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-12dBm) 40 35 OIP3 30 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 5 0 P-1dB(IN) 25 20 15 IIP3 10 -5 5 0 -10 2 2.5 3 3.5 4 VDD (V) - 10 - 4.5 5 5.5 6 2 2.5 3 3.5 4 VDD (V) 4.5 5 5.5 6 NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IM2 vs. VDD IM3 vs. V DD (f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm) 80 (f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm) 100 70 80 60 IM3 IM2 IM3 (dB) IM2 (dB) 50 40 30 60 40 20 20 10 0 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 2 2.5 3 VDD (V) 4 4.5 5 5.5 6 VDD (V) K-factor vs. Frequency K-factor vs. Frequency 50 5 40 4 30 3 K-factor K-factor 3.5 VDD=6.0V 20 VDD=6.0V 2 VDD=5.0V VDD=5.0V 1 10 VDD=2.4V VDD=2.4V 0 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) 15000 20000 0 5000 10000 15000 20000 Frequency (MHz) - 11 - NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IDD vs. Ta Gain vs. Ta (RF OFF) 80 (f=620MHz) 16 70 14 60 12 Gain IDD Gain (dB) IDD (mA) 50 40 30 8 6 4 20 2 10 0 -40 10 -20 0 20 40 60 80 0 -40 100 -20 0 20 Ta ( C) 60 80 100 NF vs. Frequency 6 5 5 4 4 Ta=+85oC NF (dB) NF (dB) NF vs. Ta 6 3 NF(at 40MHz) 2 Ta=+25oC 3 2 NF(at 620MHz) 1 0 -40 40 Ta (oC) o Ta=-40oC 1 -20 0 20 40 60 80 0 100 0 200 400 Ta (oC) 600 800 1000 Frequency (MHz) P-1dB(IN) vs. Ta IIP3, OIP3 vs. Ta (f=620MHz) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-12dBm) 40 10 35 OIP3 30 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 8 P-1dB(IN) 6 4 25 20 IIP3 15 10 2 5 0 -40 -20 0 20 40 o Ta ( C) - 12 - 60 80 100 0 -40 -20 0 20 40 o Ta ( C) 60 80 100 NJG1146KG1 I特性グラフ (High Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IM2 vs. Ta IM3 vs. Ta (f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm) 80 (f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm) 100 70 IM3 80 60 IM2 IM3 (dB) IM2 (dB) 50 40 30 60 40 20 20 10 0 -40 -20 0 20 40 60 80 0 -40 100 -20 0 RLi, RLo vs. Ta 40 60 80 100 IDD vs. VCTL (f=620MHz) 20 20 Ta (oC) Ta (oC) 80 70 60 RLi 50 IDD (mA) RLi, RLo (dB) 15 10 RLo o +85 C 40 o 0C o +75 C 30 o -25 C o 5 +50 C 20 o -40 C o +25 C 10 0 -40 0 -20 0 20 40 60 80 100 0 0.5 Ta ( C) K-factor vs. Frequency 1.5 2 K-factor vs. Frequency 50 5 40 4 30 K-factor K-factor 1 VCTL (V) o Ta=+85oC 20 3 Ta=+85oC 2 Ta=+25oC 10 1 Ta=-40oC Ta=-40oC Ta=+25oC 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) 15000 20000 0 0 5000 10000 15000 20000 Frequency (MHz) - 13 - NJG1146KG1 I特性グラフ (Low Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain, IDD vs. Pin Pout vs. Pin (f=620MHz) (f=620MHz) 20 0 10 15 Gain 10 5 -1 8 -2 6 -10 -15 -20 -3 IDD (mA) -5 Gain (dB) Pout (dBm) 0 4 P-1dB(IN)=+18.0Bm -25 Pout -30 -4 2 -35 -40 IDD P-1dB(IN)=+18.0dBm -5 -45 -40 -30 -20 -10 0 10 0 -40 20 -30 -20 -10 0 10 20 Pin (dBm) Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin Gain vs. Frequency (f1=620MHz, f2=620.1MHz) 40 0 OIP3=+36.2dBm 20 -2 Gain Pout -20 Gain (dB) Pout, IM3 (dBm) 0 -40 -4 -6 -60 IM3 -8 -80 IIP3=+37.1dBm -100 -30 -20 -10 0 10 20 30 (Exclude PCB, Connector Losses) -10 40 0 500 Pin (dBm) 1000 1500 2000 Frequency (MHz) IIP3, OIP3 vs. Frequency P-1dB(IN) vs. Frequency (f1=Frequency , f2=f1+100kHz, Pin=-2dBm) 40 20 IIP3 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 19 18 P-1dB(IN) 17 OIP3 35 30 16 25 15 0 - 14 - 500 1000 Frequency (MHz) 1500 2000 0 500 1000 Frequency (MHz) 1500 2000 NJG1146KG1 I特性グラフ (Low Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による S11, S22 (f=10MHz~3GHz) S21, S12 (f=10MHz~3GHz) VSWR (f=10MHz~3GHz) Zin, Zout (f=10MHz~3GHz) - 15 - NJG1146KG1 I特性グラフ (Low Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による S11, S22 (f=50MHz~20GHz) S21, S12 (f=50MHz~20GHz) K-factor vs. Frequency 5 40 4 30 3 K-factor K-factor K-factor vs. Frequency 50 20 1 10 0 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) - 16 - 2 15000 20000 0 5000 10000 Frequency (MHz) 15000 20000 NJG1146KG1 I特性グラフ (Low Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IDD vs. Ta Gain vs. Ta (RF OFF) 50 (f=620MHz) 0 -0.5 -1 Gain IDD 30 Gain (dB) IDD (µ A) 40 20 -1.5 -2 -2.5 -3 10 -3.5 0 -40 -20 0 20 40 60 80 -4 -40 100 -20 0 P-1dB(IN) vs. Ta 80 100 80 100 (f=620MHz) 24 22 P-1dB(IN) (dBm) RLi, RLo (dB) 60 RLi, RLo vs. Ta RLi 15 40 Ta ( C) (f=620MHz) 20 20 Ta (oC) o RLo 10 20 P-1dB(IN) 18 5 16 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Ta (oC) 14 -40 -20 0 20 40 60 Ta (oC) IIP3, OIP3 vs. Ta (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-2dBm) 40 IIP3 IIP3, OIP3 (dBm) 38 36 OIP3 34 32 30 -40 -20 0 20 40 60 80 100 o Ta ( C) - 17 - NJG1146KG1 I特性グラフ (Low Gain モード) 共通条件： VDD=5.0V, VCTL=0V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による IM2 vs. Ta IM3 vs. Ta (f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=0dBm) 80 (f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=0dBm) 100 70 80 60 IM3 IM2 IM3 (dB) IM2 (dB) 50 40 30 60 40 20 20 10 0 -40 -20 0 20 40 60 80 0 -40 100 -20 0 20 40 60 80 100 Ta (oC) Ta (oC) K-factor vs. Frequency K-factor vs. Frequency 50 5 40 4 30 3 K-factor K-factor Ta=+85oC Ta=+85oC 20 Ta=+25oC 2 Ta=+25oC Ta=-40oC 1 10 Ta=-40oC 0 0 0 5000 10000 Frequency (MHz) - 18 - 15000 20000 0 5000 10000 Frequency (MHz) 15000 20000 NJG1146KG1 I外部回路図 (Top View) R1 680 ohm C2 0.01µ µF RF IN 4 C1 0.01µ µF 3 RFIN RFOUT2 5 Bias circuit GND VCTL 2 NC (GND) RF OUT Logic circuit 6 1 RFOUT1 VCTL 1Pin INDEX L1 470nH C4 0.01µ µF C3 0.01µ µF VDD I基板実装図 チップ部品リスト 部品番号 L1 太陽誘電製 HK1608シリーズ C1~C4 村田製作所製 GRM15シリーズ R1 C1 RF IN 型名 C2 C3 RF OUT R1 KOA製 RK73Bシリーズ L1 PCB C4 基板材質：FR-4 基板厚：0.2mm VDD VCTL マイクロストリップライン幅：0.4mm (Z0=50Ω ) 外形サイズ：16.8mm×16.8mm 1PIN INDEX デバイス使用上の注意 ・C1~C3 は DC ブロッキングキャパシタ、C4 はバイパスキャパシタです ・L1 はチョークインダクタです ・Exposed Pad は複数のスルーホールを用いて接地して下さい ・ RFIN 端子と VCTL 端子の結合を防ぐために、端子間にグランドパターンを配置して下さい ・チップ部品は IC 近傍に実装して下さい - 19 - NJG1146KG1 INF 測定ブロックダイアグラム 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent 8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form ：LSB Sideband ・Averages ：16 ・Average mode ：Point ・Bandwidth ：4MHz ・Loss comp ：off ・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力（303.15K） NF Analyzer (Agilent 8973A) Noise Source (Agilent 346A) ※ノイズソースと NF Input (50Ω) Noise Source Drive Output アナライザは直接接続 キャリブレーション時 NF Analyzer (Agilent 8973A) Noise Source (Agilent 346A) ※ノイズソースと DUT、 DUT と NF アナライザは IN DUT OUT NF 測定時 - 20 - Input (50Ω) Noise Source Drive Output 直接接続 NJG1146KG1 Iパッケージ外形図（ESON6-G1） 0.10 M S A 0 . 39 7 ±0 . 0 3 0 S 0.075 0.10 M S S +0.010 -0.008 0.05 S 1. 6 0 ±0 . 0 5 B 1 . 6 0 ± 0 .0 5 A 0. 0 1 0 GND に必ず接続してください。 +0.06 -0.04 C0 +0.06 0 . 6 8 -0.04 1.20 .2 +0.06 0 . 2 1 -0.04 B 3 0 -R 単位 基板 端子処理 モールド樹脂 重量(typ.) .2 0. 5 0.5 0 . 2 6 +0.06 -0.04 φ0.05 M ：mm ：Cu ：SnBi メッキ ：エポキシ樹脂 ：0.0035 (g) S AB ガリウムヒ素 ガリウムヒ 素 (GaAs)製品取 製品取り 製品取 り 扱 い 上 の 注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止 のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄 する場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブック の掲載内容の 正確さに は 万全を期しており ますが、掲載 内容につ いて 何らかの法的な保 証を行うもの ではあり ませ ん。とくに応用回 路については 、製品の 代表 的な応用例を説明 するためのも のです。ま た、 工業所有権その他 の権利の実施 権の許諾 を伴 うものではなく、 第三者の権利 を侵害し ない ことを保証するも のでもありま せん。 - 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