NJG1128HB6 450MHz 帯低雑音増幅器 GaAs MMIC ■概要 NJG1128HB6 は 450MHz 帯 CDMA2000 携帯電話端末での使用を 主目的としたバイパス回路付き低雑音増幅器です。ロジック回路を 内蔵しており、1 ビットのコントロール信号で High Gain モード／ Low Gain モードの切り替えが可能です。High Gain モード時には高 IIP3、低雑音を実現し、Low Gain モード時には低雑音増幅器がスタ ンバイ状態となるため、低消費電流を実現することができます。 パッケージには、USB8-B6 パッケージを採用し、小型化、薄型化 を実現しました。 ■特徴 ●低電圧動作 ●低切替電圧 ■外形 NJG1128HB6 +2.8V typ. +1.85V typ. [LNA High Gain モード] ●高入力 IP3 ●低雑音 +11.0dBm typ. 1.4dB typ. @ f=460-470MHz @ f=460-470MHz [LNA Low Gain モード] ●低消費電流 ●高入力 IP3 15uA typ. +21.0dBm typ. @ f=460-470MHz ●小型・薄型パッケージ USB8-B6 (Package size: 1.5mm x1.5mm x 0.55mm typ.) ■端子配列 (Top View) 4 Bypass circuit 5 3 LNA Circuits Bias Circuit 6 Logic Circuit 2 Pin Connection 1.VINV 2.GND 3.RF OUT 4.GND 5.RF IN 6.GND 7. VCTL 8. GND 1 7 8 1 Pin INDEX 注: 本資料に記載された内容は、予告変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2007-4-23 -1- NJG1128HB6 ■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V インバータ電源電圧 VINV 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 Pin +15 dBm 消費電力 PD 160 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C 基板実装時、Tjmax=150°C ■電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: VDD=VINV=2.8V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 動作電圧 VDD 2.65 2.80 2.95 V インバータ電圧 VINV 2.65 2.80 2.95 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.80 1.85 VDD+0.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) -0.3 0 0.3 V 動作電流 1 (LNA High Gain 時) 動作電流 2 (LNA Low Gain 時) インバータ電流 1 (LNA High Gain 時) インバータ電流 2 (LNA Low Gain 時) 切替電流 -2- IDD1 RF OFF, VCTL=1.85V - 10.0 16.0 mA IDD2 RFOFF, VCTL=0V - 1 5 uA IINV1 RF OFF, VCTL=1.85V - 150 240 uA IINV2 RF OFF, VCTL=0V - 15 40 uA ICTL RF OFF, VCTL=1.85V - 5 15 uA NJG1128HB6 ■電気的特性 2 (LNA High Gain モード) 共通条件: VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, fRF=460-470MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 小信号電力利得 1 雑音指数 1 1dB 利得圧縮時 出力電圧 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 記号 条件 Gain1 NF1 基板、コネクタ損出 (入力側 dB)除く P-1dB_1 IIP3_1 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-25dBm 最小 標準 最大 単位 13.5 15.0 17.0 dB - 1.4 1.8 dB +4.0 +9.0 - dBm +8.0 +11.0 - dBm RF IN VSWR1 VSWRi _1 - 1.5 2.0 RF OUT VSWR1 VSWRo_1 - 2.3 2.7 ■電気的特性 3 (LNA Low Gain モード) 共通条件: VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, fRF=460-470MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 小信号電力利得 2 雑音指数 2 1dB 利得圧縮時 出力電力 2 入力 3 次インター セプトポイント 2 記号 条件 Gain2 NF2 基板、コネクタ損失 (入力側 dB)除く P-1dB_2 IIP3_2 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-12dBm 最小 標準 最大 単位 -5.0 -3.0 0 dB - 3.0 4.5 dB +1.0 +8.0 - dBm +15.0 +21.0 - dBm RF IN VSWR2 VSWRi _2 - 2.3 2.7 RF OUT VSWR2 VSWRo_2 - 1.5 2.0 -3- NJG1128HB6 ■端子情報 番号 端子名 機能説明 1 VINV 内部論理（インバータ）用の電圧供給端子です。 2 GND 接地端子 3 RFOUT 4 GND 接地端子 5 RFIN 外部整合回路を介して RF 入力信号が入力されます。 この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 6 GND 接地端子 7 VCTL コントロール端子です。論理信号によって LNA の High Gain モードか Low Gain モードを選択します。High Gain モードを選択する場合には+1.8V 以上の電圧を、 Low Gain モードを選択する場合は-0.3～+0.3V の電圧を印加して下さい。 8 GND 接地端子 外部整合回路を解して RF 信号が出力されます。この端子は LNA 電源電圧供給 端子もかねていますので、推奨回路図に示す L3 を介して電源を供給して下さい。 推奨回路図に示す C3 はバイパスコンデンサです。 注意事項 １）接地端子（2, 4, 6, 8 番端子）は、最短で接地電位に接続して下さい。 ■真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) -4- VCTL Gain Mode LNA L Low bypass H High pass NJG1128HB6 ■特性例 (LNA High Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50Ω) Gain, IDD vs. Pin Pout vs. Pin (f=465MHz) 20 (f=465MHz) 16 20 P-1dBout=+9.4dBm 0 Pout -10 14 10 12 IDD 10 5 Gain 1dB Compression Line -20 15 P-1dBin=-4.6dBm -30 -40 -30 -20 P-1dBin=-4.6dBm -10 0 8 0 -40 10 -30 -20 -10 0 10 Pin (dBm) Pin (dBm) OIP3, IIP3 vs. frequency Pout, IM3 vs. Pin (f1=465MHz, f2=f1+100kHz) 40 IDD (mA) Gain Gain (dB) Pout (dBm) 10 (f1=400~500MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm) 28 15 27 14 OIP3=+26.1dBm 26 13 Pout -20 -40 25 12 24 IIP3 11 23 10 22 9 21 8 IIP3 (dBm) OIP3 0 OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) 20 -60 IM3 -80 -40 -30 IIP3=+10.9dBm -20 -10 0 20 400 10 Pin (dBm) 420 440 460 480 7 500 frequency (MHz) NF, Gain vs. frequency (f=400~500MHz) 4.0 18 3.5 17 3.0 16 2.5 15 2.0 14 1.5 13 NF 1.0 Gain (dB) NF (dB) Gain 12 0.5 11 (NF: Exclude PCB & Connector Losses) 0.0 400 420 440 460 480 10 500 frequency (MHz) -5- NJG1128HB6 ■特性例 (LNA High Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50Ω) -6- NJG1128HB6 ■特性例 (LNA High Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50Ω) Gain, NF vs. VDD, VINV 3.5 12.0 17 3.0 16 2.5 Gain 2.0 14 1.5 NF 13 1.0 12 0.5 11 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 P-1dB(OUT) 11.0 10.0 9.0 8.0 7.0 6.0 2.4 0.0 3.6 3.4 (f=465MHz) 2.6 2.8 VDD, VINV (V) OIP3, IIP3 vs. VDD, VINV 3.2 3.4 3.6 VSWRi, VSWRo vs. VDD, VINV (f1=465MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm) (f=465MHz) 4.0 28 18 3.5 3.5 26 16 3.0 3.0 OIP3 14 22 12 IIP3 20 10 4.0 VSWRo 2.5 VSWRi 24 IIP3 (dBm) 20 30 OIP3 (dBm) 3.0 VDD, VINV (V) 2.0 2.5 2.0 1.5 VSWRo 15 P-1dB(OUT) (dBm) 18 NF (dB) 4.0 13.0 19 Gain (dB) P-1dB(OUT) vs. VDD, VINV (f=465MHz) 1.5 VSWRi 18 8 1.0 1.0 16 6 0.5 0.5 14 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 0.0 2.4 4 3.6 VDD, VINV (V) 2.6 2.8 3.0 VDD, VINV 3.2 3.4 0.0 3.6 (V) IDD, IINV vs. VDD, VINV (RF OFF) 15 190 180 IINV IDD (mA) 13 170 12 160 11 150 10 140 IDD 9 130 8 120 7 2.4 IINV (uA) 14 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 110 3.6 VDD, VINV (V) -7- NJG1128HB6 ■特性例 (LNA High Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50Ω) P-1dB(OUT) vs. Temperature Gain, NF vs. Temperature 17 14 3.5 12 3.0 15 2.5 14 2.0 NF 13 1.5 12 1.0 11 0.5 10 -40 -20 0 20 40 60 NF (dB) Gain (dB) 16 Gain 4.0 P-1dB(OUT) (dBm) (f=465MHz) 18 10 P-1dB(OUT) 8 6 4 2 0 -40 0.0 100 80 (f=465MHz) -20 0 Temperature ( C) 29 40 60 80 100 VSWRi, VSWRo vs. Temperature OIP3, IIP3 vs. Temperature (f1=465MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm) 20 Temperature ( oC) o (f=465MHz) 4.0 12 3.5 11 28 10 27 OIP3 26 9 25 8 VSWRi, VSWRo 3.0 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) IIP3 2.5 VSWRo 2.0 1.5 VSWRi 1.0 7 24 23 -40 -20 0 20 40 60 Temperature (oC) 0.5 0.0 -40 6 100 80 IDD vs. Temperature 0 20 40 60 Temperature (oC) 80 100 k-factor vs. Temperature (RF OFF) 14 -20 (f=100MHz~20GHz) 20 12 IDD 15 k-factor IDD (mA) 10 8 6 10 -40o C -30o C -10o C 0o C +25o C +40o C +85o C 4 5 2 0 -40 -20 0 20 40 60 o Temperature ( C) -8- 80 100 0 0 5 10 frequency (GHz) 15 20 NJG1128HB6 ■特性例 (LNA Low Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50Ω) Gain, IDD vs. Pin Pout vs. Pin (f=465MHz) (f=465MHz) 20 -2 8.0 Gain 10 -3 7.0 -4 6.0 -5 5.0 -6 4.0 -7 3.0 Gain (dB) Pout (dBm) 0 -10 -20 Pout -30 -8 2.0 IDD Gain 1dB Compression Line -40 -9 1.0 P-1dBin=+12.0dBm P-1dBin=+12.0dBm -50 -40 -30 -20 -10 0 10 -10 -40 20 0.0 -30 Pin (dBm) -20 -10 0 10 20 Pin (dBm) OIP3, IIP3 vs. frequency Pout, IM3 vs. Pin (f=465MHz) 40 IDD (mA) P-1dBout=+8.4dBm 22 (f1=400~500MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm) 30 OIP3=+20.7dBm 20 28 20 Pout -20 -40 18 26 16 24 IIP3 14 IIP3 (dBm) 0 OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) OIP3 22 -60 20 12 -80 IM3 -100 -30 -20 -10 IIP3=+23.5dBm 0 10 20 10 400 30 420 440 460 480 18 500 frequency (MHz) Pin (dBm) NF, Gain vs. frequency (f=400~500MHz) 8.0 -1 7.0 -2 6.0 -3 5.0 -4 4.0 -5 3.0 -6 Gain (dB) NF (dB) Gain NF 2.0 -7 1.0 -8 (NF: Exclude PCB & Connector Losses) 0.0 400 420 440 460 480 -9 500 frequency (MHz) -9- NJG1128HB6 ■特性例 (LNA Low Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50Ω) - 10 - NJG1128HB6 ■特性例 (LNA Low Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50Ω) P-1dB(OUT) vs. VDD, VINV Gain, NF vs. VDD, VINV (f=465MHz) 0.0 4.0 3.5 Gain (dB) 10 3.0 -1.5 2.5 -2.0 2.0 -2.5 1.5 Gain 1.0 P-1dB(OUT) (dBm) NF -1.0 NF (dB) -0.5 -3.0 (f=465MHz) 11 9 P-1dB(OUT) 8 7 0.5 -3.5 2.6 2.8 3.0 3.2 0.0 3.6 3.4 6 2.4 2.6 OIP3, IIP3 vs. VDD, VINV 3.0 3.2 3.4 3.6 VSWRi, VSWRo vs. VDD, VINV (f1=465MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm) (f=465MHz) 4.0 30 28 3.5 3.5 28 26 3.0 3.0 IIP3 24 24 22 22 20 2.5 VSWRi 26 IIP3 (dBm) 30 32 OIP3 (dBm) 2.8 VDD, VINV (V) VDD, VINV (V) 4.0 VSWRi 2.5 2.0 2.0 1.5 VSWRo -4.0 2.4 1.5 VSWRo 20 18 1.0 1.0 16 0.5 0.5 OIP3 18 16 2.4 2.6 2.8 3.0 VDD, VINV 3.2 0.0 2.4 14 3.6 3.4 (V) 2.6 2.8 3.0 VDD, VINV 3.2 3.4 0.0 3.6 (V) IDD, IINV vs. VDD, VINV (RF OFF) 40 3.5 35 3.0 30 2.5 25 2.0 20 IINV 1.5 15 1.0 10 0.5 IINV (uA) IDD (uA) 4.0 5 IDD 0.0 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 0 3.6 VDD, VINV (V) - 11 - NJG1128HB6 ■特性例 (LNA Low Gain モード) (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50Ω) P-1dB(OUT) vs. Temperature Gain, NF vs. Temperature 0 -1 14 9 12 8 Gain -3 7 -4 6 -5 5 -6 NF (dB) Gain (dB) -2 10 4 P-1dB(OUT) (dBm) (f=465MHz) (f=465MHz) 10 8 6 P-1dB(OUT) 4 NF -7 -8 -40 2 3 -20 0 20 40 60 o 80 2 100 0 -40 -20 0 OIP3, IIP3 vs. Temperature 28 26 24 24 22 22 IIP3 20 20 18 18 16 16 14 -40 -20 0 20 40 o 60 80 80 100 14 100 (f=465MHz) 3.0 VSWRi 2.5 2.0 1.5 VSWRo 1.0 0.5 0.0 -40 -20 0 20 40 60 Temperature (oC) Temperature ( C) 80 100 k-factor vs. Temperature IDD vs. Temperature (RF OFF) 10 60 3.5 VSWRi, VSWRo 26 OIP3 40 VSWRi, VSWRo vs. Temperature 4.0 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 28 (f1=465MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm) 20 Temperature ( oC) Temperature ( C) (f=100MHz~20GHz) 20 8 6 k-factor IDD (uA) 15 10 4 -40o C -30o C -10o C 0o C +25o C +40o C +85o C 5 2 IDD 0 -40 - 12 - -20 0 20 40 60 Temperature (oC) 80 100 0 0 5 10 frequency (GHz) 15 20 NJG1128HB6 ■測定回路図 ( TOP VIEW ) R1 C4 4 RFIN L1 5 L2 C2 RFOUT L3 VDD 3 C1 Bias Circuit 6 Logic Circuit 2 VCTL C3 VINV 1 7 8 チップ部品リスト Parts ID L1 L2 L3 C1 C2 C3 C4 R1 定数 27nH 33nH 33nH 0.75pF 1000pF 1000pF 2pF 2.7kΩ 備考 村田製作所製 (LQW15A) 太陽誘電製 (HK1005) 太陽誘電製 (HK1005) 村田製作所製 (GRM15) 村田製作所製 (GRM15) 村田製作所製 (GRM15) 村田製作所製 (GRM15) 1005size - 13 - NJG1128HB6 ■基板実装図 (Top View) VDD R1 RF IN VCTL C3 C1 C4 L1 L2 L3 C2 RF OUT VINV PCB(FR-4),t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm(ZO=50Ω) PCB SIZE : 17.0 X 17.0mm デバイス使用上の注意事項 [1] C1, L1 は入力側の外部整合回路です。RF IN 端子(5 番端子)の近傍に配置して下さい。 [2] L2, L3 は出力側の外部整合回路です。RF OUT 端子(3 番端子)の近傍に配置して下さい。 [3] R1, C4 はネガティブフィードバック回路です。RF OUT 端子(3 番端子)と RF IN(5 番端子)の間の距離 ができるだけ短くなるように、基板レイアウトして下さい。 [4] C2 は DC-ブロッキングキャパシタです。 [5] C3 はバイパスキャパシタです。L3 の近傍に配置して下さい。 [6] 接地端子(2, 4, 6, 8 番端子)は最短で接地電位に接続して下さい。 - 14 - NJG1128HB6 !PACKAGE OUTLINE (USB8-B6) (TOP VIEW) (SIDE VIEW) 1pin INDEX 0.038±0.01 0.14±0.05 0.55±0.05 1.5±0.05 0.5±0.1 0.5±0.1 : 金メッキ : FR : エポキシ樹脂 : mm : 4mg R0.075 0.2±0.1 3 0.3±0.05 8 4 0.2±0.1 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 2 0.3±0.1 1.5±0.05 1 7 6 5 0.2±0.05 0.2±0.05 0.4±0.1 (BOTTOM VIEW) ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼 いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関連法規に従い、一般産 業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 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