MUSES01 2 回路入り J-FET 入力 高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概 要 MUSES01は、オーディオ用として特別の配慮を施し、音質向上を図った 2回路入りJFET入力高音質オペアンプです。 低雑音、高利得帯域、低歪率を特徴とし、オーディオ用プリアンプ、 アクティブフィルター、ラインアンプ等に最適です。 外 形 MUSES01 ■特 徴 ●動作電源電圧 ●低雑音 ●入力オフセット電圧 ●入力バイアス電流 ●電圧利得 ●スルーレート ●バイポーラ構造 ●外形 Vopr= ±9V ~ ±16V 9.5nV/√Hz typ. @f=1kHz VIO= 0.8mV typ. 5mV max. IB= 200pA typ. 800pA max @Ta=25°C Av=105dB typ. SR=12V/µs typ. DIP8 ■端子配列 ピン配置 1 2 3 4 8 7 -+ + - 6 5 1. A OUTPUT 2. A -INPUT 3. A +INPUT 4. V5. B +INPUT 6. B -INPUT 7. B OUTPUT 8.V+ は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。 Ver.2015-04-13 -1- MUSES01 ■絶対最大定格 (Ta=25°C) 項 目 記号 条 件 単位 圧 V+/V- 18 V 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM 15(注 1) V 差 動 入 力 電 圧 範 囲 VID 30 V 消 費 電 力 PD 910 mW 負 荷 電 流 Io ±25 mA 電 源 電 動 作 温 度 範 囲 Topr -40 to +85 °C 保 存 温 度 範 囲 Tstg -50 to +150 °C (注 1)電 源 電 圧 が ±15V 以 下 の 場 合 は 、 電 源 電 圧 と 等 し く な り ま す 。 ■推奨動作電圧範囲 (Ta=25°C) 項 電 源 目 電 記号 圧 定 V+/V- 格 9 ~ 16 単位 V ■電気的特性 DC 特性(指定無き場合には V+/V-=±15V, Ta=+25℃) 項 目 記号 条 件 無信号時 RL=∞ 最小 標準 最大 単位 - 8.5 12.0 mA - 0.8 5.0 mV 流 Icc 入力オフセット電圧 VIO Rs≦10k 入 力 バ イ ア ス 電 流 IB (注 2,3) - 200 800 pA 入力オフセット電流 IIO (注 2,3) - 100 400 pA 電 AV RL≧2k, Vo=10V 90 105 - dB VICM=8V, (注 4) 60 75 - dB 消 費 圧 電 利 得 同 相 信 号 除 去 比 CMR + (注 2) - 電 源 電 圧 除 去 比 SVR V /V =9 to 16V (注 2,5) 70 83 - dB 最 大 出 力 電 圧 1 VOM1 RL=10k 12 13.5 - V 最 大 出 力 電 圧 2 VOM2 RL=2k 10 12.5 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM CMR≧60dB 8 9.5 V - V (注 2) VICM=0V で測定 (注 3) 絶対値にて表記 (注 4) VICM=0V → +8V 及び VICM=0V → -8V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出 (注 5) V+/V-=±9V → ±16V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より電源電圧除去比を算出 -2- Ver.2015-04-13 MUSES01 ■電気的特性 AC特性(指定無き場合にはV+/V-=±15V, Ta=+25℃) 最小 標準 最大 単位 f=10kΩ - 3.3 - MHz fT AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩCL=10pF - 3.0 - MHz 裕 ΦM AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ,CL=10pF - 60 - Deg 入力換算雑音電圧 1 VNI1 f=1kHz, AV=+100 RS=100Ω , - 9.5 - nV/√ Hz 入力換算雑音電圧 2 VNI2 RIAA, RS =2.2kΩ, 30kHz, LPF - 1.2 3.0 uVrms 全 率 THD f=1kHz , AV=+10 RL=2kΩ, Vo=5Vrms - 0.002 - % チャンネルセパレーション CS f=1kHz , AV=-100 RS=1kΩ, RL=2kΩ - 150 - dB - 12 - V/us - 13 - V/us 利 得 項 目 帯 域 記号 幅 積 ユニティ・ゲイン周波数 位 ス ス 相 高 調 余 波 歪 立ち上がり時 ル ー レ ー 立ち下がり時 ル ー レ ー Ver.2015-04-13 ト ト GB +SR -SR 条 件 AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF -3- MUSES01 ■ アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力、出力電力 IC はIC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可 能性があります。この許容値は許容損失PD(=消費電力の最大定格)と呼ばれています。図1にMUSES01のPDの周囲温 度依存性を示します。 この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25℃におけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当し ます。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25℃以下を25℃ と同じPDとすることで図1の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。 許容損失 PD Tj max Ta [W] (Ta=25℃~Ta=Tjmax) ja ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料(樹脂、フレーム等)に依存します。次にIC自身の消費電力を導き ます。IC の消費電力は、次式で表されます。 消費電力=(電源電圧VDD)×(消費電流IDD)-(出力電力Po) この消費電力がPDをこえない条件でMUSES01を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容損失PD に注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。 PD [mW] DIP8 910 -40 25 85 最大動作温度 Ta [℃] 150 最大保存温度 図1 MUSES01 の許容損失 PD の周囲温度特性例 -4- Ver.2015-04-13 MUSES01 ■ 特性例 THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) + V /V- =±15V,AV=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, R L=2kΩ,Ta=25℃ 10 10 1 1 THD+N [%] THD+N [%] V + / V- = ±1 6 V,AV = + 1 0 , Rg= 1 kΩ,Rf = 9 .1 kΩ, R L = 2 kΩ,Ta= 2 5 ℃ 0.1 f= 2 0 kHz 0.01 0.1 f=20kHz 0.01 1kHz 1 kHz 100Hz 1 0 0 Hz 0.001 0.001 20Hz 2 0 Hz 0.0001 0.01 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 10 0.0001 0.01 THD+N 対 出力電圧特性例(周波数) + 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 10 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 - V /V =±9V,AV=+10, Rg=1kΩ,Rf=9.1kΩ, RL =2kΩ,Ta=25℃ + - V /V =±16V,AV =+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 10 80 70 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] THD+N [%] 1 0.1 f=20kHz 0.01 1kHz 100Hz 0.001 20Hz 0.0001 0.01 60 50 40 30 20 10 0 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 1 10 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 + 1,000 10,000 + - V /V =±9V,A V =+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 80 80 70 70 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] 100 周波数 [Hz] 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 - V /V =±15V,AV =+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 60 50 40 30 20 60 50 40 30 20 10 10 0 0 1 Ver.2015-04-13 10 10 100 周波数 [Hz] 1,000 10,000 1 10 100 周波数 [Hz] 1,000 10,000 -5- MUSES01 チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 V /V - =±16V,A V=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃ V + /V - =±15V,A V=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=5Vrms, Ta=25℃ -120 -120 -130 -130 チャンネルセパレーション [dB] チャンネルセパレーション [dB] + -140 -150 -160 -170 -140 -150 -160 -170 -180 -180 10 100 1000 周波数 [Hz] 10000 100000 10 100 1000 周波数 [Hz] 10000 100000 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 V +/V -=±16V, A V=+100, RS=100Ω, RT =50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF V IN=-30dBm,Vicm=0V V + /V - =±9V,A V=-100, RS=1kΩ, RL=2kΩ, Vo=4Vrms, Ta=25℃ 60 -120 180 電圧利得 Ta=25℃ 40 -150 -160 -180 100 1000 周波数 [Hz] 10000 60 位相 0 -20 -60 -40 -120 -60 100000 1 V /V =±15V, A V=+100, RS=100Ω, RT =50Ω, RL=2kΩ,CL=10pF V IN =-30dBm,Vicm=0V 電圧利得 40 180 60 120 40 Ta=25℃ 60 位相 0 85℃ -20 -60 -40 -60 10 100 1000 周波数 [kHz] 10000 電圧利得 [dB] 20 1 -180 100000 120 -40℃ 位相 [deg] 電圧利得 [dB] -40℃ 0 10000 180 電圧利得 Ta=25℃ 100 1000 周波数 [kHz] V +/V -=±9V, A V=+100, RS=100Ω, RT =50Ω, RL=2k,C L=10pF V IN =-30dBm,Vicm=0V - 60 10 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) 40dB電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) + 0 85℃ 20 60 位相 0 0 85℃ 位相 [deg] 10 20 位相 [deg] -140 -170 -6- 120 -40℃ 電圧利得 [dB] チャンネルセパレーション [dB] -130 -20 -60 -120 -40 -120 -180 100000 -60 1 10 100 1000 周波数 [kHz] 10000 -180 100000 Ver.2015-04-13 MUSES01 スルーレート 対 周囲温度特性例 過渡応答特性例 (周囲温度) + V+/V- =±16V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ - V /V =±16V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10pF,R L=2kΩ 6 20 2 入力電圧 5 1 4 0 3 -1 Fall 85℃ -2 -40℃ 1 -3 0 スルーレート [V/μsec] Ta=25℃ 2 入力電圧[V] 出力電圧[V] 16 -4 -1 12 8 Rise 4 -5 出力電圧 -2 0 -6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 時間[μsec] 6 7 8 -50 9 過渡応答特性例 (周囲温度) + -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 125 150 125 150 スルーレート 対 周囲温度特性例 - + V /V =±15V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10pF,R L=2kΩ 6 - V /V =±15V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ 2 20 1 4 0 3 -1 Ta=25℃ 2 85℃ -2 -40℃ 1 -3 0 -4 -1 -5 16 スルーレート [V/μsec] 5 入力電圧[V] 出力電圧[V] 入力電圧 Fall 12 8 Rise 4 出力電圧 -2 -6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 時間[μsec] 6 7 8 0 9 -50 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 スルーレート 対 周囲温度特性例 過渡応答特性例 (周囲温度) + -25 + - - V /V =±9V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10pF,RL=2kΩ V /V =±9V,VIN=2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10pF,R L=2kΩ 6 2 20 1 4 0 3 -1 Ta=25℃ 2 85℃ -2 -40℃ 1 -3 0 -4 -1 -5 16 スルーレート [V/μsec] 5 入力電圧[V] 出力電圧[V] 入力電圧 Fall 12 8 Rise 4 出力電圧 -2 -6 -2 Ver.2015-04-13 -1 0 1 2 3 4 5 時間[μsec] 6 7 8 9 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 -7- MUSES01 消費電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) 消費電流 対 電源電圧特性例 (周囲温度) GV=0dB,Vin=0V GV=0dB,Vin=0V 12 12 ±16V -40℃ 10 8 8 消費電流 [mA] 消費電流 [mA] Ta=25℃ 10 6 85℃ 6 ±9V 4 4 2 2 0 -50 0 0 3 6 9 12 電源電圧 [V+ /V- ] 15 18 -25 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 125 150 VICM=0V ,V+/V-=±9V to ±16V VICM=0V,Vin=0V 100 5 90 4 80 -40℃ 3 電源電圧除去比 [dB] Ta=25℃ 入力オフセット電圧 [mV] 0 電源電圧除去比 対 周囲温度特性例 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例 (周囲温度) 2 1 0 -1 -2 70 60 50 40 30 20 -3 85℃ -4 10 -5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 -50 -25 0 電源電圧 [V+/V-] 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) 100 V+ /V- =±16V 1,000,000 100,000 100,000 入力バイアス電流 [pA] 1,000,000 10,000 V+/V-=±15V 1,000 ±16V 100 10 25 50 75 周囲温度 [℃] 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) V ICM=0V 入力バイアス電流 [pA] V+/V-=±15V 10,000 85℃ 1,000 Ta=25℃ 100 10 ±9V -40℃ 1 1 -50 -8- -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -16 -12 -8 -4 0 4 同相入力電圧 [V] 8 12 16 Ver.2015-04-13 MUSES01 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) + 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) - V /V =±15V 1,000,000 100,000 100,000 10,000 入力バイアス電流 [pA] 入力バイアス電流 [pA] 1,000,000 85℃ 1,000 Ta=25℃ 100 V+ /V- =±9V 10,000 85℃ 1,000 Ta=25℃ 100 10 10 -40℃ -40℃ 1 1 -15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 同相入力電圧 [V] 9 12 15 -9 入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) -6 -3 0 3 同相入力電圧 [V] 6 9 入力オフセット電圧 対 出力電圧特性例 (周囲温度) VICM=0V + - V /V =±15V,RL=2kΩ to 0V 10,000 5 4 -40℃ Ta=25℃ 入力オフセット電圧 [mV] 入力オフセット電流 [pA] 3 1,000 V+/V-=±15V 100 ±16V 2 1 0 -1 85℃ -2 10 -3 -4 ±9V -5 1 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 -12 -8 -4 0 4 出力電圧 [V] 8 12 電圧利得 対 周囲温度特性例 電圧利得 対 周囲温度特性例 RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±16V,Vo=-11V to +11V RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±15V,Vo=-10V to +10V 120 120 110 110 100 100 90 90 80 80 70 60 50 16 70 60 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0 -50 Ver.2015-04-13 -16 150 電圧利得 [dB] 電圧利得 [dB] -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -9- MUSES01 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) 電圧利得 対 周囲温度特性例 V +/V- =±16V RL=2kΩ to 0V,V+/V-=±9V,Vo=-4V to +4V 100 120 110 100 0V to +9V 80 同相信号除去比 [dB] 90 電圧利得 [dB] 80 70 60 50 40 60 Vicm=0V to -9V 40 30 20 20 10 0 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 -50 150 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) + -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) - V /V =±15V V+ /V -=±9V 100 100 0V to +2V 80 60 同相信号除去比 [dB] 同相信号除去比 [dB] 80 0V to +8V Vicm=0V to -8V 40 20 60 Vicm=0V to -2V 40 20 0 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -50 -25 100 125 150 V+ /V -=±15V,Gv=open,RL to 0V V+ /V -=±16V,Gv=open,RL to 0V 16 18 15 12 12 -40℃ -40℃ 8 9 6 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 [V] 25 50 75 周囲温度 [℃] 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 3 0 85℃ -3 -6 4 85℃ 0 -4 -8 -9 -12 -12 25℃ -15 25℃ -16 -18 10 - 10 - 0 100 1000 負荷抵抗[Ω] 10000 100000 10 100 1000 負荷抵抗[Ω] 10000 100000 Ver.2015-04-13 MUSES01 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) V+/V -=±9V,Gv=open,RL to 0V Gv=open,RL =2kΩ to 0V 10 18 8 15 12 -40℃ 6 9 2 85℃ 0 6 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 [V] 4 -2 3 ±9V 0 V+/V-=±15V ±16V -3 -6 -4 -9 -6 -12 25℃ -8 -15 -10 10 100 1000 負荷抵抗[Ω] 10000 100000 -18 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) 利得帯域幅積 対 周囲温度特性例 (電源電圧) Gv=open,RL=10kΩ to 0V f=10kHz,AV =80dB, RS=10Ω, RT =50Ω,RL=2kΩ, C L=10pF,V IN=-50dBm 6 18 15 5 12 V + /V - =±15V 9 利得帯域幅積 [MHz] ±16V 最大出力電圧 [V] 6 3 ±9V 0 V+/V-=±15V ±16V -3 -6 4 3 ±9V 2 -9 1 -12 -15 -18 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 0 -50 150 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 位相余裕 対 周囲温度特性例 (電源電圧) ユニティ・ゲイン周波数 対 周囲温度特性例 (電源電圧) A V =+100, RS=100Ω, RT =50Ω,RL=2kΩ, C L=10pF,V IN=-30dBm A V =+100, RS =100Ω, RT =50Ω,RL=2kΩ, CL=56pF,V IN=-30dBm 90 6 V +/V -=±15V ±16V + - V /V =±15V 4 位相余裕 [deg] ユニティ・ゲイン周波数 [MHz] 5 ±16V 3 2 60 ±9V 30 ±9V 1 0 -50 Ver.2015-04-13 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 - 11 - MUSES01 MEMO <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期 しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保 証を行うものではありません。とくに応用回路につい ては、製品の代表的な応用例を説明するためのもので す。また、工業所有権その他の権利の実施権の許諾を 伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを 保証するものでもありません。 - 12 - Ver.2015-04-13