MUSES8820 2 回路入りオーディオ用高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概 要 MUSES8820は、オーディオ用として特別の配慮を施し、音質向上を 図った2回路入り高音質オペアンプです。 低雑音、高利得帯域、低歪率を特徴とし、オーディオ用プリアンプ、 アクティブフィルター、ラインアンプ等に最適です。 外 形 MUSES8820D ■特 徴 ●動作電源電圧 ●低雑音 ●入力オフセット電圧 ●入力バイアス電流 ●電圧利得 ●スルーレート ●バイポーラ構造 ●外形 MUSES8820E Vopr= ±3.5V∼±16V 4.5 nV/√Hz VIO= 0.3mV typ. 3mV max. IB= 100nA typ. 500nA max @Ta=25°C Av=110dB typ. SR=5V/µs typ. DIP8, EMP8 ■端子配列 ピン配置 1 2 3 4 8 7 -+ + - 6 5 1. A OUTPUT 2. A -INPUT 3. A +INPUT 4. V5. B +INPUT 6. B -INPUT 7. B OUTPUT 8.V+ は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。 Ver.2013-11-25 -1- MUSES8820 ■絶対最大定格 (Ta=25°C) 項 目 記号 条 件 単位 V+/V- ±18 V 差 動 入 力 電 圧 範 囲 VID ±30 V 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM ±15 (注 1) V 電 源 電 圧 許 容 損 失 PD DIP8：870 EMP8：900(注 2) mW 負 荷 電 流 Io ±50 mA 動 作 温 度 範 囲 Topr -40 to +85 °C 保 存 温 度 範 囲 TSTR -50 to +150 °C (注 1)電 源 電 圧 が ±15V 以 下 の 場 合 は 、 電 源 電 圧 と 等 し く な り ま す 。 (注 2)消 費 電 力 は EIAJ/JEDEC 仕 様 基 板 （ 76.2×114.3×1.6mm、２層、FR-4） 実 装 時 ■推奨動作電圧範囲 (Ta=25°C) 項 電 目 源 定 記号 電 圧 V+/V- 格 ±3.5V∼±16V 単位 V ■電気的特性 DC 特性（指定無き場合には V+/V-=±15V, Ta=+25℃） 項 目 記号 条 件 最小 標準 最大 単位 流 ICC 無信号時 RL=∞ - 8 12 mA 入力オフセット電圧 VIO Rs≦10kΩ(注 2) - 0.3 3 mV 入 力 バ イ ア ス 電 流 IB1 (注 2,3) - 100 500 nA 入力オフセット電流 IIO (注 2,3) 5 200 nA 電 AV RL=2kΩ,VO=±10V, Rs≦10kΩ 90 110 - dB CMR Rs≦10kΩ VICM=±12V(注 4) 80 110 - dB 電 源 電 圧 除 去 比 SVR Rs≦10kΩ V+/V-=±3.5∼±16V (注 2 , 5 ) 80 110 - dB 最 圧 VOM RL=2kΩ ±12 ±13.5 - V 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM CMR≧80ｄB ±12 ±13.5 - V 消 費 電 圧 利 得 同 相 信 号 除 去 比 大 出 力 電 （注 2） VICM=0V で測定 （注 3） 絶対値にて表記 （注 4） VICM=0V → +12V 及び VICM=0V → -12V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出 （注5） V+/V-=±3.5V → ±16Vと変化させたときの入力オフセット電圧変動量より電源電圧除去比を算出 -2- Ver.2013-11-25 MUSES8820 AC特性（指定無き場合にはV+/V-=±15V, Ta=+25℃） 最小 標準 最大 単位 f=10kHz - 11 - MHz fT AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩCL=10pF - 5.8 - MHz 裕 ΦM AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ,CL=10pF - 48 - Deg 入力換算雑音電圧 1 VNI1 f=1kHz, AV=+100 RS=100Ω ,RL=∞ - 4.5 - nV/√Hz 入力換算雑音電圧 2 VNI2 RIAA, RS=2.2kΩ, 30kHz, LPF - 0.8 1.4 μVrms 全 THD ｆ=1kHz , AV=+10 Vo=5Vrms ,RL=2kΩ - 0.001 - % CS f=1kHz , AV=-100 RS=1kΩ, RL=2kΩ - 140 - dB +SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 5 - V/us -SR AV=1,VIN=2Vp-p, RL=2kΩ,CL=10pF - 5 - V/us 利 項 目 帯 域 得 記号 幅 積 ユニティ・ゲイン周波数 位 相 高 調 余 波 歪 率 チャンネルセパレーション 立 ス 立 ス ち ル ち ル Ver.2013-11-25 上 ー 下 ー が レ が レ り ー り ー 時 ト 時 ト GB 条 件 -3- MUSES8820 ■ アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力、出力電力 IC はIC 自身の消費電力（内部損失）によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可 能性があります。この許容値は許容損失PD（=消費電力の最大定格）と呼ばれています。図1にMUSES8820のPDの周囲 温度依存性を示します。 この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25℃におけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当し ます。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25℃以下を25℃ と同じPDとすることで図1の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。 許容損失 PD = Tj max − Ta [W] （Ta=25℃∼Ta=Tjmax） θja ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料（樹脂、フレーム等）に依存します。次にIC自身の消費電力を導き ます。IC の消費電力は、次式で表されます。 消費電力=（消費電流Icc）×（電源電圧 V+−V-）−（出力電力Po） この消費電力がPDをこえない条件でMUSES8820を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容損失 PDに注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。 PD [mW] EMP8 900 870 DIP8 -40 25 85 最大動作温度 Ta [℃] 150 最大保存温度 図１ MUSES02 の許容損失 PD の周囲温度特性例 -4- Ver.2013-11-25 MUSES8820 ■ 特性例 THD+N 対 出力電圧特性例 (周波数) THD+N 対 出力電圧特性例 (周波数) + V /V-=±15V,Av=+10, Rg=1k,Rf=9.1k, RL =2k,Ta=25℃ 10 10 1 1 0.1 0.1 THD+N [%] THD+N [%] V+/V -=±16V,Av=+10, Rg=1k,Rf=9.1k, RL=2k,Ta=25℃ 20kHz 0.01 0.001 20kHz 0.01 0.001 1kHz 1kHz 20Hz 20Hz 100Hz 100Hz 0.0001 0.01 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 10 0.0001 0.01 THD+N 対 出力電圧特性例 (周波数) + + 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] 20 1 THD+N [%] - V /V =±16V,A V=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 10 20kHz 0.1 0.01 1kHz 100Hz 0.001 0.0001 0.01 20Hz 15 10 5 0 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 1 10 + 10 100 1,000 10,000 周波数 [Hz] 入力換算雑音電圧 対 周波数特性 入力換算雑音電圧 対 周波数特性 - + V /V =±16V,A V =+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ - V /V =±3.5V,A V=+100,Rs=100Ω,RL=∞,Ta=25℃ 20 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] 20 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] 10 入力換算雑音電圧 対 周波数特性 - V /V =±3.5V,Av=+10, Rg=1k,Rf=9.1k, RL=2k,Ta=25℃ 15 10 5 0 15 10 5 0 1 10 100 周波数 [Hz] Ver.2013-11-25 0.1 1 出力電圧 [Vrms] 1,000 10,000 1 10 100 1,000 10,000 周波数 [Hz] -5- MUSES8820 チャンネルセパレーション 対 周波数特性 + チャンネルセパレーション 対 周波数特性 - + - V /V =±15V,AV=-100, RS=1k, RL=2k, Vo=5Vrms, Ta=25℃ -120 -120 -130 -130 チャンネルセパレーション [dB] -140 -150 -160 -170 -180 -140 -150 -160 -170 -180 10 100 1k 10k 100k 10 100 周波数 [Hz] 100k V +/V -=±16V, A V =+100, RS =100, RT =50, RL=2k,CL=10p V IN=-30dBm, Vicm=0V - V /V =±3.5V,A V=-100,RS=1k,RL=2k,Vo=1Vrms, Ta=25℃ -120 60 電圧利得 -130 180 Ta＝25℃ -40℃ 40 120 -140 電圧利得 [dB] チャンネルセパレーション[dB] 10k 電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) チャンネルセパレーション 対 周波数特性 + 1k 周波数 [Hz] -150 -160 20 60 位相 85℃ 0 0 -20 -60 -40 -120 位相 [deg] チャンネルセパレーション [dB] V /V =±16V,AV=-100, RS=1k, RL=2k, Vo=5Vrms, Ta=25℃ -170 -180 100 1k 10k -60 100k 1 周波数[Hz] 電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) + 60 20 0 0 -20 -60 -40 1 10 100 1000 周波数 [kHz] 10000 電圧利得 [dB] 40 85℃ -60 -6- 120 位相 [deg] 20 位相 60 電圧利得 -40℃ 40 電圧利得 [dB] 180 Ta＝25℃ 10000 -180 100000 V +/V -=±3.5V, A V =+100, RS =100, RT =50, RL=2k,CL=10p V IN=-30dBm, Vicm=0V V /V =±15V, A V =+100, RS=100, RT=50, RL=2k,C L=10p V IN=-30dBm, Vicm=0V 電圧利得 100 1000 周波数 [kHz] 電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) - 60 10 180 Ta＝25℃ -40℃ 120 60 85℃ 位相 0 0 -20 -60 -120 -40 -120 -180 100000 -60 1 10 100 1000 周波数 [kHz] 10000 位相 [deg] 10 -180 100000 Ver.2013-11-25 MUSES8820 過渡応答特性 (周囲温度) + スルーレート 対 周囲温度特性例 - V+ /V-＝±16V,VIN＝2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10p,RL=2k V /V ＝±16V,V IN＝2V P-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10p,RL=2k 6 2 6 入力電圧 5 Fall 1 5 3 -1 Ta=25℃ 2 -40℃ -2 85℃ 1 -3 0 -4 -1 スルーレート [V/μsec] 0 入力電圧 [V] 出力電圧 [V] 4 4 Rise 3 2 1 -5 出力電圧 -2 -6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 時間[μsec] 6 7 8 0 9 -50 過渡応答特性 (周囲温度) + -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 125 150 125 150 スルーレート 対 周囲温度特性例 - V+ /V-＝±15V,V IN＝2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10p,RL=2k V /V ＝±15V,VIN ＝2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10p,RL =2k 6 2 6 入力電圧 5 Fall 1 5 3 -1 Ta=25℃ 2 -40℃ -2 85℃ 1 -3 0 -4 -1 スルーレート [V/μsec] 0 入力電圧 [V] 出力電圧 [V] 4 4 Rise 3 2 1 -5 出力電圧 -2 -6 -2 -1 0 1 2 3 4 5 時間[μsec] 6 7 8 0 9 -50 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 スルーレート 対 周囲温度特性例 過渡応答特性 (周囲温度) + -25 V +/V -＝±3.5V,V IN＝2V P-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,CL=10p,RL=2k - V /V ＝±3.5V,VIN＝2VP-P,f=100kHz PulseEdge=10nsec,Gv=0dB,C L=10p,RL =2k 6 6 2 1 4 0 3 -1 Ta=25℃ 2 -40℃ -2 85℃ 1 -3 0 -4 -1 -5 Fall 5 スルーレート [V/μsec] 5 入力電圧 [V] 出力電圧 [V] 入力電圧 4 3 Rise 2 1 出力電圧 -2 -6 -2 -1 Ver.2013-11-25 0 1 2 3 4 5 時間 [μsec] 6 7 8 9 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 -7- MUSES8820 消費電流 対 電源電圧特性例 (周囲温度) 消費電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) GV=0dB,Vicm=0V GV=0dB,Vicm=0V 12 12 10 -40℃ 10 Ta=25℃ V +/V- =±15V ±16V 8 消費電量 [mA] 消費電量 [mA] 8 6 4 6 ±3.5V 4 85℃ 2 2 0 0 0 2 4 6 8 10 12 + 電源電圧 [V /V ] 14 16 18 -50 -25 入力ｵﾌｾｯﾄ電圧 対 電源電圧特性例 (周囲温度) 3 電源電圧除去比 ［dB］ 入力ｵﾌｾｯﾄ電圧 ［mV］ 150 -40℃ 1 0 -1 80 60 40 20 -3 0 2 4 6 8 10 + 12 14 16 0 18 -50 - -25 0 電源電圧 ［V /V ］ 500 400 400 + 入力バイアス電流 [nA] 500 ±16V 100 125 150 V+ /V- =±16V Vicm=0V 300 25 50 75 周囲温度 ［℃］ 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性 (周囲温度) 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 （電源電圧） 入力バイアス電流 [nA] 125 100 85℃ -2 - V /V =±15V ±3.5V 200 300 85℃ -40℃ Ta＝25℃ 200 100 100 0 0 -50 -8- 100 VICM=0V ，V+/V -=±3.5V→±16V 120 Ta＝25℃ 25 50 75 周囲温度 [℃] 電源電圧除去比 対 周囲温度特性例 V ICM=0V,Vin=0V 2 0 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -16 -12 -8 -4 0 4 同相入力電圧 [V] 8 12 16 Ver.2013-11-25 MUSES8820 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性 (周囲温度) + 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性 (周囲温度) - V+ /V-=±3.5V 500 500 400 400 300 85℃ 入力バイアス電流 [nA] 入力バイアス電流 [nA] V /V =±15V -40℃ Ta＝25℃ 200 100 300 85℃ -40℃ Ta＝25℃ 200 100 0 0 -16 -12 -8 -4 0 4 同相入力電圧 [V] 8 12 -4 16 入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) -3 -2 -1 0 1 同相入力電圧 [V] 2 3 4 入力ｵﾌｾｯﾄ電圧 対 出力電圧特性 (周囲温度) Vicm=0V V +/V -=±15V，RL=2kΩ to 0V 200 3 150 入力オフセット電流 [nA] - 2 ±16V 入力ｵﾌｾｯﾄ電圧 [mV] + V /V =±15V 100 50 0 -50 ±3.5V -40℃ 85℃ Ta＝25℃ 1 0 -1 -100 -2 -150 -200 -3 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -16 -12 電圧利得 対 周囲温度特性例 -4 0 4 出力電圧 [V] 8 12 16 電圧利得 対 周囲温度特性例 RL=2kΩ to 0V，V +/V- =±16V，Vo=-11V→+11V 120 120 110 110 100 100 電圧利得 [dB] 電圧利得 [dB] -8 90 90 80 80 70 70 60 RL =2kΩ to 0V，V+/V -=±15V，Vo=-10V→+10V 60 -50 Ver.2013-11-25 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -9- MUSES8820 電圧利得 対 周囲温度特性例 + 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 (同相入力電圧) V+/V-=±16V - RL=2kΩ to 0V，V /V =±3.5V，Vo=-1V→+1V 120 140 130 110 Vicm=0V→+13V 同相信号除去比 [dB] 120 電圧利得 [dB] 100 90 80 110 100 90 Vicm=-13V→0V 80 70 70 60 60 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -50 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 （同相入力電圧） + 130 130 同相信号除去比 [dB] 同相信号除去比 [dB] 125 150 125 150 120 Vicm=0V→+12V 110 100 90 Vicm=-12V→0V 110 Vicm=0V→+1V 100 90 80 70 60 Vicm=-1V→0V 60 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 -50 150 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) V+/V -=±16V,Gv=open,RL to 0V V+/V -=±15V,Gv=open,RL to 0V 16 16 12 12 -40℃ -40℃ 8 8 最大出力電圧 ［V］ 最大出力電圧 ［V］ 100 V+/V-=±3.5V 140 70 25℃ 4 0 -4 85℃ -8 25℃ 4 0 -4 85℃ -8 -12 -12 -16 -16 10 - 10 - 25 50 75 周囲温度 [℃] 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 （同相入力電圧） V /V =±15V 80 0 - 140 120 -25 100 1000 負荷抵抗［Ω］ 10000 100000 10 100 1000 負荷抵抗［Ω］ 10000 100000 Ver.2013-11-25 MUSES8820 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) V+ /V-=±3.5V,Gv=open,RLto0V Gv=open,RL=2k,RL to 0V 16 3 12 2 8 -40℃ 1 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 ［V］ 4 0 25℃ -1 ±15V ±3.5V 4 0 -4 -2 -8 + - V /V =±16V -3 -12 85℃ -16 -4 10 100 1000 負荷抵抗［Ω］ 10000 -50 100000 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 利得帯域幅積 対 周囲温度特性例 ユニティ･ゲイン周波数 対 周囲温度特性例 RT =50, f=10kHz,RL =2k,CL=10pF,Vin=-50dBm G V =+100, RS=100, RT =50, RL=2k,CL=10pF,Vin=-30dBm 18 150 10 9 V+/V-=±15V GV=80dB, Rs=10 12 ユニティ・ゲイン周波数 [MHz] 利得帯域幅積 [MHz] 15 V+/V-=±16V GV=80dB, Rs=10 9 6 + - V /V =±3.5V GV=66dB, Rs=50 3 8 + - V /V =±15V 7 6 ±16V 5 4 ±3.5V 3 2 1 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 125 150 0 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 位相余裕 対 周囲温度特性例 G V=+100, RS=100, RT =50, RL=2k,CL=10pF, Vin=-30dBm 90 位相余裕 [deg] V+/V-=±15V 60 ±16V 30 ±3.5V 0 -50 Ver.2013-11-25 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 - 11 - MUSES8820 MEMO ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期 しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保 証を行うものではありません。とくに応用回路につい ては、製品の代表的な応用例を説明するためのもので す。また、工業所有権その他の権利の実施権の許諾を 伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを 保証するものでもありません。 - 12 - Ver.2013-11-25